一种增强型HEMT器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，主要提供了一种增强型HEMT器件及其制备方法，增强型HEMT器件包括层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层以及势垒层以及隔离层，其中，隔离层内设有P型GaN帽层以及第一电极层和第二电极层，第二电极层与P型GaN帽层之间隔离，且P型GaN帽层通过电桥与第一电极层之间电性连接，P型GaN帽层包括多层P型GaN层，多层P型GaN层的宽度依次增加，从而通过改进电桥结构的界面形状，减小P型GaN帽层与势垒层之间的接触面积，优化器件输出电流，从而达到提升增强型HEMT器件的性能的目的。从而达到提升增强型HEMT器件的性能的目的。从而达到提升增强型HEMT器件的性能的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种增强型HEMT器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种增强型HEMT器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)材料具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子速度、抗腐蚀性强，耐高温等优秀特性，使其成为第三代半导体材料中的佼佼者。利用Ga N与铝镓氮(Al Ga N)异质结的自发极化和压电极化效应，产生高浓度、高密度的二维电子气(2DEG)可以实现工作频率高、耐压性能卓越的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。
[0003]然而，目前的栅源桥会由于P
‑
GaN耗尽2DEG，减小了器件的导电沟道面积，从而导致输出电流下降。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种增强型HEMT器件及其制备方法，通过改进电桥结构的界面形状，减小P型GaN帽层与势垒层之间的接触面积，优化器件输出电流，从而达到提升增强型HEMT器件的性能的目的。
[0005]本申请实施例提供了一种增强型HEMT器件，所述增强型HEMT器件包括：
[0006]层叠设置的衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强型HEMT器件，其特征在于，所述增强型HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层以及隔离层；设于所述隔离层内的P型GaN帽层以及第一电极层和第二电极层，所述第二电极层与所述P型GaN帽层之间隔离，且所述P型GaN帽层通过电桥与所述第一电极层之间电性连接；设于所述P型GaN帽层上的栅极金属层；其中，所述P型GaN帽层包括多层P型GaN层，多层所述P型GaN层的宽度依次增加。2.如权利要求1所述的增强型HEMT器件，其特征在于，所述P型GaN帽层呈倒梯形。3.如权利要求1所述的增强型HEMT器件，其特征在于，所述P型GaN帽层包括第一P型GaN层、第二P型GaN层；所述第一P型GaN层设于所述第二P型GaN层与所述势垒层之间，且所述第一P型GaN层的宽度小于所述第二P型GaN层，所述第二P型GaN层通过电桥与所述电极层之间电连接。4.如权利要求1所述的增强型HEMT器件，其特征在于，所述P型GaN帽层包括层叠设置的第一P型GaN层、第二P型GaN层以及第三P型GaN层；其中，所述第一P型GaN层和所述第三P型GaN层为矩形，所述第二P型GaN层为倒梯形。5.如权利要求4所述的增强型HEMT器件，其特征在于，所述第二P型GaN层的底边宽度与所述第三P型GaN层的宽度相同；和/或所述第二P型GaN层的顶边宽度与所述第一P型GaN层的宽度相同。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁帅，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：