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本发明属于半导体技术领域，主要提供了一种增强型HEMT器件及其制备方法，增强型HEMT器件包括层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层以及势垒层以及隔离层，其中，隔离层内设有P型GaN帽层以及第一电极层和第二电极层，第二电极层与P型GaN帽层之间隔离...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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