一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置，涉及磁控溅射技术领域，该超高真空磁控溅射靶可以包括支杆、靶头、底座、磁环和磁柱。其中，靶头与支杆的一端相连，靶头还与电源阴极相连，靶头内部形成有安装腔。底座设置于安装腔内，且与安装腔底壁相连。磁环设置于安装腔内，且位于底座上。磁柱设置于安装腔内，且位于底座上，还位于磁环内。靶材设置于靶头远离支杆一侧的外表面。其中，磁环上表面、磁柱上表面与安装腔内壁之间均具有间隙。安装腔内通入冷却液。本发明专利技术用于镀膜设备。本发明专利技术用于镀膜设备。本发明专利技术用于镀膜设备。

【技术实现步骤摘要】
一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置


[0001]本专利技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置。

技术介绍

[0002]磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的一种。用磁控溅射的方法制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等，适用于基片镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜。目前磁控溅射法制造薄膜已被光学、机械加工等多个领域广泛使用。通常薄膜制备设备的极限真空度越高，膜层缺陷越少，制备的薄膜质量越好。
[0003]但是，超高真空装备对其制造工艺有着严格的条件，现有的磁控溅射靶内的密封部分常使用橡胶材料，之后把接制成。在高真空的抽气过程中，容易造成密封圈放气以及密封圈失效，从而达不到超高真空条件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置，通过改进靶头的结构，达到了磁控溅射靶在高真空状态下的密封要求。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高真空磁控溅射靶，其特征在于，包括：支杆；靶头，与所述支杆的一端相连，所述靶头还与电源阴极相连，所述靶头内部形成有安装腔；底座，设置于所述安装腔内，且与所述安装腔底壁相连；磁环，设置于所述安装腔内，且位于所述底座上；磁柱，设置于所述安装腔内，且位于所述底座上，还位于所述磁环内，靶材设置于所述靶头远离所述支杆一侧的外表面；其中，所述磁环上表面、所述磁柱上表面与所述安装腔内壁之间均具有间隙；所述安装腔内通入冷却液。2.根据权利要求1所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括绝缘件，所述绝缘件的一端与所述靶头相连，另一端与所述支杆相连。3.根据权利要求2所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述绝缘件包括：第一套环，一端与所述靶头远离所述靶材的一侧相连，作为绝缘件与所述靶头相连的一端；陶瓷环，位于所述第一套环远离所述靶头一侧，所述陶瓷环的一端与所述第一套环另一端相连；第二套环，一端与所述陶瓷环的另一端相连；所述第二套环的另一端与所述支杆相连，作为所述绝缘件与所述支杆相连的另一端。4.根据权利要求3所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述第一套环和所述第二套环均为可伐材料，所述陶瓷环为陶瓷材料。5.根据权利要求1~4任一项所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括：挡板，设置于所述靶材远离所述靶头的一侧，用于露出或者遮盖所述靶材；旋转气缸，具有输出轴；磁耦合驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴向方，梁玉生，吴煦，梁家禄，蔡豫，孔祥鹏，
申请(专利权)人：鹏城半导体技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：