一种镀膜设备样品台组件制造技术

本技术公开一种镀膜设备样品台组件，涉及半导体设备领域，镀膜设备具有真空室，镀膜设备样品台组件包括设置于真空室内的底座和加热组件；底座具有第一座面和相对的第二座面，第一座面与加热组件相连。底座的第二座面朝向上，第二座面包括第一环面、第二斜面、第三环面、第四竖面和第五圆面。其中，第一环面，绕第二座面的外延一周设置。第二斜面外延边与第一环面的内边相连，且第二斜面的内延边低于第二斜面的外延边。第三环面外延边与第二斜面的内延边相连，且与第一环面平行。第四竖面外延边与第三环面的内延边相连，且第四竖面垂直于第三环面。第五圆面与第四竖面的内延边垂直相连。其中，第三环面用于承载基片。本技术用于承载基片。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种镀膜设备样品台组件。

技术介绍

1、镀膜设备是在真空环境下，利用蒸镀、溅射以及随后凝结的办法，可以在金属、玻璃、陶瓷、半导体以及塑料件等物体上镀上金属薄膜或者是覆盖层。具体地，可以分为物理气相沉积技术（pvd）和化学气相沉积（cvd）。

2、其中，物理气相沉积技术（pvd）包括真空蒸镀、溅射镀膜和离子镀膜等。化学气相沉积（cvd）是利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

3、基于此，在一些镀膜的过程中需要将样品放置在真空室内的样品台上进行覆膜工序，例如，在进行化学沉积制备金刚石时，样品台也需要进行加热到一定温度传递给样品，从而达到反应条件。但是，由于通常用于承载样品的基片托温度的受热均匀性并不好，就导致样品表面镀膜均匀性不够，从而影响样品表面镀膜质量。

技术实现思路

1、本技术的实施例提供一种镀膜设备样品台组件，通过改变用于承载样品的底座形状，从而使得底座的受热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，所述镀膜设备具有真空室，所述镀膜设备样品台组件包括设置于所述真空室内的底座和加热组件；所述底座具有第一座面和相对的第二座面，所述第一座面与所述加热组件相连；

2.根据权利要求1所述的一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，所述冷却台内形成有冷却腔；

5.根据权利要求3或4所述的一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，所述镀膜设备样品台组件还包括：

【技术特征摘要】

1.一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，所述镀膜设备具有真空室，所述镀膜设备样品台组件包括设置于所述真空室内的底座和加热组件；所述底座具有第一座面和相对的第二座面，所述第一座面与所述加热组件相连；

2.根据权利要求1所述的一种镀膜设备样品台组件，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：吴向方，孔祥鹏，吴煦，蔡豫，梁家禄，
申请(专利权)人：鹏城半导体技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：