一种热丝CVD设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种热丝CVD设备，涉及真空设备技术领域，该设备包括镀膜腔室、阴极柱、阳极柱、热丝、电源、喷气管路、气源、聚气罩和机械泵，其中，镀膜腔室，具有真空腔。并列设置的两个阴极柱，一部分设置于所述真空腔内。并列设置的两个阳极柱，一部分设置于所述真空腔内。热丝安装于两个阴极柱和两个阳极柱之间。电源与所述阴极柱和阳极柱相连。喷气管路设置于所述真空腔内，且绕设置于所述热丝上方，所述喷气管路靠近所述热丝的一侧开设有喷气孔。气源与所述喷气管路相连通。聚气罩设置于所述真空腔内，且罩设于所述喷气管路上方。机械泵与所述真空腔内相连通，用于对所述真空腔内进行抽真空。本实用新型专利技术用于基片覆膜。本实用新型专利技术用于基片覆膜。本实用新型专利技术用于基片覆膜。

【技术实现步骤摘要】
一种热丝CVD设备


[0001]本技术涉及半导体真空设备
，尤其涉及一种热丝CVD设备。

技术介绍

[0002]热丝薄膜CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。例如可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片，用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉；可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层；环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极等。
[0003]热丝CVD设备在进行工作时，混合气体喷洒经过热丝后解理激发，得到大量反应粒子、原子、电子离子，反应粒子混合后并经历一系列复杂化学反应到达基体表面，有吸附，有脱附进入气相，有扩散到基体近表面徘徊至合适反应点。由于此时镀膜腔室的真空腔内在进行抽真空持续保压，因此，混合气体在喷洒时一部分会随真空腔内抽真空的方向飘散，基于此，若在混合气体喷洒的位置上方设置聚气罩，从而阻隔混合气体朝向抽真空方向流动，提升混合气体经过热丝的总量。

技术实现思路

[0004]本技术的实施例提供一种热丝C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热丝CVD设备，其特征在于，包括：镀膜腔室，具有真空腔；并列设置的两个阴极柱，一部分设置于所述真空腔内；并列设置的两个阳极柱，一部分设置于所述真空腔内；热丝，安装于两个阴极柱和两个阳极柱之间；电源，与所述阴极柱和阳极柱相连；喷气管路，设置于所述真空腔内，且绕设置于所述热丝上方，所述喷气管路靠近所述热丝的一侧开设有喷气孔；气源，与所述喷气管路相连通；聚气罩，设置于所述真空腔内，且罩设于所述喷气管路上方；机械泵，与所述真空腔内相连通，用于对所述真空腔内进行抽真空。2.根据权利要求1所述的热丝CVD设备，其特征在于，所述聚气罩的四周朝向所述喷气管路的一侧弯折，从而形成聚气腔，所述喷气管路位于所述聚气腔内。3.根据权利要求1所述的热丝CVD设备，其特征在于，所述喷气孔靠近所述热丝的一端的开口面积大于所述喷气孔远离所述热丝的一端的开口面积。4.根据权利要求1~3任一项所述的热丝CVD设备，其特征在于，所述热丝CVD设备还包括：第一导电柱，安装于两个所述阴极柱上方，绕所述第一导电柱的周向开设有第一卡槽；第二导电柱，安装于两个所述阳极柱上方，绕所述第一导电柱的周向开设有第二卡槽；其中，所述热丝的一部分卡设于所述第一卡槽和所述第二卡槽上；拉簧，设置于所述热丝的两端，且所述拉簧的一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴向方，梁玉生，孔祥鹏，吴煦，梁家禄，蔡豫，
申请(专利权)人：鹏城半导体技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：