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本发明公开一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置，涉及磁控溅射技术领域，该超高真空磁控溅射靶可以包括支杆、靶头、底座、磁环和磁柱。其中，靶头与支杆的一端相连，靶头还与电源阴极相连，靶头内部形成有安装腔。底座设置于安装腔内，且与安装腔底壁相连...
该专利属于鹏城半导体技术（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鹏城半导体技术（深圳）有限公司授权不得商用。

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