一种镀膜银钯结构制造技术

本实用新型专利技术涉及玻璃镀膜设备领域，具体来说是一种镀膜银钯结构，包括银钯本体；所述银钯本体包括端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块；所述端部银钯块通过桥接银钯块与中部银钯块对接；所述银钯结构由端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块拼接而成；本实用新型专利技术公开了一种镀膜银钯结构，本实用新型专利技术公开的银钯本体由多个银钯块拼接而成，方便后续使用时根据需要改变银钯本体的尺寸，方便在实际中使用。方便在实际中使用。方便在实际中使用。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜银钯结构


[0001]本技术涉及玻璃镀膜设备领域，具体来说是一种镀膜银钯结构。

技术介绍

[0002]磁控溅射靶材是通过磁控溅射镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。
[0003]镀膜玻璃是一种在玻璃表面涂制一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜，以改变玻璃的光学性能，满足特定要求。
[0004]根据功能划分为两大类：阳光控制镀膜玻璃和低辐射镀膜玻璃.
[0005]随着镀膜技术的发展，强磁场平面阴极的应用越来越广泛，在追求磁场强度的同时，又要求更长的银靶使用周期和更好的溅射均匀性。
[0006]所以一种能够改善现有强磁场平面阴极的技术缺陷，提供一种高利用率的镀膜银靶结构。

技术实现思路

[0007]本技术的目的是提供一种组合式的镀膜银钯结构。
[0008]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：
[0009]一种镀膜银钯结构，包括银钯本体；
[0010]所述银钯本体包括端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块；
[0011]所述端部银钯块通过桥接银钯块与中部银钯块对接；
[0012]所述银钯结构由端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块拼接而成。
[0013]所述端部银钯块的厚度不小于中部银钯块的厚度。
[0014]所述端部银钯块包括第一银钯块和第二银钯块；所述桥接银钯块包括第一桥接块和第二桥接块；所述第一银钯块与第二银钯块分布在镀膜银钯结构的两端；所述第一银钯块通过第一桥接块与中部银钯块相连接，所述第二银钯块通过第二桥接块与中部银钯块相连接；所述中部银钯块包括多个单体银钯块，相邻单体银钯块依次对接。
[0015]所述单体银钯块、第一银钯块、第二银钯块、第一桥接块以及第二桥接块上设有用于安装的安装孔。
[0016]所述第一桥接块包括第一桥接块体，所述第一桥接块体包括左块体、中块体以及右块体，所述左块体与第一银钯块相连接；所述左块体厚度大于右块体高度，所述中块体靠近左块体一侧的厚度与左块体厚度相同；所述中块体靠近右块体一侧的高度与右块体的高度相同；所述中块体上端面为倾斜面。
[0017]所述第二银钯块包括第二块体，所述第二块体靠近第二桥接块一侧设有第一加厚块。
[0018]所述第二桥接块包括第二桥接块体，所述第二桥接块体上设有第二加厚块体，所述第二加厚块体包括设置在第二桥接块体上的对接块和过渡块，所述对接块与第一加厚块
相对设置；所述对接块与第一加厚块相贴合；所述过渡块分布在对接块远离第一加厚块一侧；所述过渡块竖直截面呈三角形；所述过渡块上端面为倾斜面。
[0019]所述单体银钯块、第一银钯块、第二银钯块、第一桥接块以及第二桥接块远离第一加厚块和第二加厚块的一侧侧面处于同一平面上。
[0020]本技术的优点在于：
[0021]本技术公开了一种镀膜银钯结构，本技术公开的银钯本体由多个银钯块拼接而成，方便后续使用时根据需要改变银钯本体的尺寸，方便在实际中使用，另外，本技术通过限定银钯本体端部银钯块厚度，可以使得磁场较强位置的银钯块厚度较大，保证了保证磁场较强的位置靶块能和其它位置靶块拥有同等的使用寿命；在使用后期更好的保证溅射均匀性能。
附图说明
[0022]下面对本技术说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0023]图1为本技术的结构示意图。
[0024]图2为本技术中第一银钯块的结构示意图。
[0025]图3为本技术中第二银钯块的结构示意图。
[0026]图4为本技术中第一桥接块的结构示意图。
[0027]图5为本技术中第二桥接块的结构示意图。
[0028]图6为本技术中单体桥接块的结构示意图。
[0029]上述图中的标记均为：
[0030]1、中部银钯块，11、单体银钯块，3、第二桥接块，4
‑
1、第一银钯块，4
‑
2、第二银钯块，6、第一桥接块。
具体实施方式
[0031]下面对照附图，通过对最优实施例的描述，对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0032]一种镀膜银钯结构，包括银钯本体；所述银钯本体包括端部银钯块、中部银钯块1以及桥接银钯块；所述端部银钯块通过桥接银钯块与中部银钯块1对接；所述银钯结构由端部银钯块、中部银钯块1以及桥接银钯块拼接而成；本技术公开了一种镀膜银钯结构，本技术公开的银钯本体由多个银钯块拼接而成，方便后续使用时根据需要改变银钯本体的尺寸，方便在实际中使用。
[0033]具体，本技术公开的镀膜银钯结构主要是包括端部银钯块、中部银钯块1以及桥接银钯块；银钯本体通过三类银钯块拼接而成，在实际使用时可以根据需要改变银钯本体的长度，继而增加本技术的使用长度；同时拼装式的结构，方便了局部更换某处银钯块，方便局部更换银钯块结构，增加镀膜银钯结构的使用效率。
[0034]进一步的，在本技术中所述端部银钯块的厚度不小于中部银钯块1的厚度；本技术这样设计的目的是因为在实际磁控溅射时，溅射区域两端磁场强度大于中部磁场强度，在实际溅射操作时，常规银钯结构端部银钯块消耗量大，所以为了保证磁场较强的位置靶块能和其它位置靶块拥有同等的使用寿命；所以本技术对端部银钯块的厚度进行
限定，使得端部银钯块的厚度不小于中部银钯块1的厚度。
[0035]进一步的，在本技术中所述端部银钯块包括第一银钯块4
‑
1和第二银钯块4
‑
2；所述桥接银钯块包括第一桥接块6和第二桥接块3；所述第一银钯块 4
‑
1与第二银钯块4
‑
2分布在镀膜银钯结构的两端；所述第一银钯块4
‑
1通过第一桥接块6与中部银钯块1相连接，所述第二银钯块4
‑
2通过第二桥接块3与中部银钯块1相连接；所述中部银钯块1包括多个单体银钯块11，相邻单体银钯块11依次对接；本技术通过这样的结构设计，方便了整个镀膜银钯结构的拼装。
[0036]进一步的，在本技术中所述单体银钯块11、第一银钯块4
‑
1、第二银钯块4
‑
2、第一桥接块6以及第二桥接块3上设有用于安装的安装孔1
‑
1；安装孔1
‑
1的设置，方便后续单体银钯块11、第一银钯块4
‑
1、第二银钯块4
‑
2、第一桥接块6以及第二桥接块3的后续使用安装固定，同时方便了相邻银钯块之间的对接拼装。
[0037]进一步的，在本技术中所述第一桥接块6包括第一桥接块体6
‑
1，所述第一桥接块体6
‑
1包括左块体61、中块体62以及右块体63，所述左块体61与第一银钯块4
‑
1相连接；所述左块体61厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜银钯结构，其特征在于，包括银钯本体；所述银钯本体包括端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块；所述端部银钯块通过桥接银钯块与中部银钯块对接；所述银钯结构由端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块拼接而成。2.根据权利要求1所述的一种镀膜银钯结构，其特征在于，所述端部银钯块的厚度不小于中部银钯块的厚度。3.根据权利要求1所述的一种镀膜银钯结构，其特征在于，所述端部银钯块包括第一银钯块和第二银钯块；所述桥接银钯块包括第一桥接块和第二桥接块；所述第一银钯块与第二银钯块分布在镀膜银钯结构的两端；所述第一银钯块通过第一桥接块与中部银钯块相连接，所述第二银钯块通过第二桥接块与中部银钯块相连接；所述中部银钯块包括多个单体银钯块，相邻单体银钯块依次对接。4.根据权利要求3所述的一种镀膜银钯结构，其特征在于，所述单体银钯块、第一银钯块、第二银钯块、第一桥接块以及第二桥接块上设有用于安装的安装孔。5.根据权利要求3所述的一种镀膜银钯结构，其特征在于，所述第一桥接块包括第一桥接块体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，姜兴胜，范文辉，
申请(专利权)人：信义玻璃江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：