用于灭活病毒以及其他外源性因子的方法技术

本发明专利技术提供使用高温瞬时(HTST)处理的病毒灭活方法，并且调整多个参数以使沉淀物产生和沉积减少和/或最小化。和沉积减少和/或最小化。和沉积减少和/或最小化。

【技术实现步骤摘要】
用于灭活病毒以及其他外源性因子的方法
[0001]本申请是中国专利申请201380031879.X的分案申请，原申请的申请日是2013年6月20日，专利技术名称是“用于灭活病毒以及其他外源性因子的方法”。
[0002]相关申请的交互引用
[0003]本申请要求2013年3月15日提交的美国专利申请号13/844,051和2012年6月20日提交的美国临时专利申请号61/662,349的优先权，将所述专利以其整体并入本文作为参考。


[0004]本专利技术提供了使用高温瞬时(HTST)处理以及调整多种参数以使沉淀物的产生和沉积减少和/或最小化的病毒灭活方法。

技术介绍

[0005]病毒在药物生产工艺中是潜在的污染物，特别是在生物药物来源于哺乳动物细胞培养物的情况下。病毒污染物的来源可以是用于细胞培养的培养基或者产生目的生物制品的细胞系。目前在生产工艺期间防止病毒污染生物药物的方法包括用于灭活病毒的高温瞬时(HTST)细胞培养基处理，所述病毒可能通过原材料引入到细胞培养基中并在培养过程中扩增(Schleh,M.等人2009.Biotechnol.Prog.25(3):854
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860和Kiss,R.2011.PDA J Pharm Sci and Tech.65:715
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729)。已经报道，对于HTST所需的约85℃以上的温度是有效的病毒灭活方法，其中对于灭活细小病毒，需要约95℃以上的温度，所述细小病毒是已记录的在细胞培养过程中存在的常见细胞培养病毒污染，并且其抗许多化学和物理灭活剂(inactivating agent)(Schleh等人)。
[0006]尽管在病毒的灭活中已经证实HTST处理是高度有效的，但当进行该处理时，在多种细胞培养基中会产生沉淀或生成沉淀物。该沉淀导致残渣在HTST系统内的表面上积累并引起设备结垢，以使其不再能将培养基加热至完全灭活病毒污染物的目标温度。此外，该沉淀还可能使滤器结垢，该滤器通常在HTST系统的下游使用的用于去除来自培养基的微生物如细菌的最终处理。该滤器结垢可能导致不能完成细胞培养工艺之前的培养基处理步骤。在一些实例中，沉淀物还可能影响细胞培养基的性能，并妨碍来自培养的细胞系的生物药物的高效产生。为了防止沉淀，可以降低温度，但可能会不利地影响成功的病毒灭活。此外，HTST细胞培养基处理期间的沉淀生成可能导致在生产工艺期间频繁地清洁或维护用于HTST处理的设备，这显著增加了工艺的成本。因此，在去除或灭活病毒污染物的HTST处理期间存在防止沉淀生成，并且不会不利地影响该处理的效率的需求。
[0007]本文中所述的专利技术通过使用HTST处理，提供在细胞培养基中有效灭活病毒污染物的方法，从而满足了这些需求，所述HTST处理调整了导致沉淀生成减少或防止沉淀生成的工艺参数。
[0008]本文中所引用的全部参考文献，包括专利申请和出版物在此处以其整体并入本文作为参考。

技术实现思路

[0009]本专利技术通过使用高温瞬时(HTST)处理并调整培养基中多种参数如pH和/或钙和/或磷酸盐浓度组合，提供了用于灭活细胞培养基中的病毒污染物和/或其他污染物的方法、工艺、系统和组合物。此外，还提供了减少用于HTST处理的设备和滤器结垢的方法、工艺、系统和组合物。
[0010]因此，在一个方面，本专利技术提供了用于在细胞培养基中灭活病毒或外源性因子(adventitious agent)，同时使所述培养基维持细胞培养适合性的方法，所述方法包括(a)将细胞培养基进行高温瞬时(HTST)处理，和(b)调整选自pH、钙水平和磷酸盐水平的一个或多个参数。
[0011]在其他方面，本专利技术提供了用于在细胞培养基中灭活病毒的方法，其包括将细胞培养基进行高温瞬时(HTST)处理，其中培养基在HTST处理期间具有约pH5.0至约pH6.9之间的pH。在另一方面，本专利技术提供了用于在细胞培养基中灭活病毒的方法，其包括将细胞培养基进行高温瞬时(HTST)处理，其中培养基在HTST处理期间具有约pH5.0至约pH7.2之间的pH。在一些实施方案中，培养基在HTST处理期间具有约pH5.3至约pH6.3之间的pH。在其他实施方案中，培养基在HTST处理期间具有约pH6.0的pH。在任一实施方案中，HTST处理包括将培养基的温度升高至至少约85℃并持续足够的时间，以灭活培养基中的病毒或可能的病毒。在一些实施方案中，将培养基的温度升高至至少约93℃并持续足够的时间，以灭活培养基中的病毒或可能的病毒。在一些实施方案中，将培养基的温度升高至至少约95、97、99、101或103℃并持续足够的时间，以灭活培养基中的病毒或可能的病毒。在一些实施方案中，在多肽产生阶段之前，在HTST处理期间将培养基的pH降低至约pH5.0至约pH6.9之间。在一些实施方案中，然后使培养基的pH达到约6.9
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7.2之间，以用于多肽产生阶段。
[0012]在另一方面，本专利技术提供了在细胞培养基中灭活病毒的方法，包括在HTST处理期间将培养基中磷酸盐和钙的总量限制至小于约10mM。在一些实施方案中，在HTST处理期间将培养基中磷酸盐和钙的总浓度限制至约小于9、8、7、6、5、4、3、2或1mM。在一些实施方案中，在多肽产生阶段之前，在HTST处理期间将培养基中磷酸盐和钙的总量限制至小于约10mM。在一些实施方案中，在蛋白质产生阶段，然后将培养基中磷酸盐和钙的总量升高至足够多肽产生的水平。
[0013]在另一方面，本专利技术提供了减少用于HTST处理的设备结垢的方法，该方法包括将在设备中使用的细胞培养基进行高温瞬时(HTST)处理，其中培养基在HTST处理期间具有约pH5.0至约pH6.9之间的pH。在一些实施方案中，在HTST处理期间，培养基具有约pH5.3至约pH6.3之间的pH。在一些实施方案中，在HTST处理期间，培养基具有约pH6.0的pH。在一些实施方案中，污垢包含用于HTST处理的设备上的沉淀。在任意实施方案中，HTST处理包括将培养基的温度升高至至少约85℃并持续足够的时间，以灭活培养基中的病毒。在一些实施方案中，将培养基的温度升高至至少约95、97、99、101或103℃并持续足够的时间，以灭活培养基中的病毒。
[0014]在另一方面，本专利技术提供了减少用于HTST处理的设备结垢，以灭活病毒的方法，该方法包括在HTST处理期间，将设备中使用的培养基中的磷酸盐和钙的总量限制至小于约10mM。在一些实施方案中，将HTST处理期间，培养基中磷酸盐和钙的总浓度限制至小于约9、8、7、6、5、4、3、2或1mM。在一些实施方案中，污垢包含用于HTST处理的设备上的沉淀。在任一
实施方案中，病毒选自细小病毒科(parvoviridae)、paramyoxviridae、正粘病毒科(orthomyxoviridae)、布尼亚病毒科(bunyaviridae)、弹状病毒科(rhabdoviridae)、呼肠孤病毒科(reoviridae)、披膜病毒科(togav本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.灭活哺乳动物细胞培养基中病毒或外源性因子，同时使所述培养基维持对哺乳动物细胞培养适应性的方法，所述方法包括a)调节细胞培养基的pH，其中细胞培养基在HTST处理之前具有pH5.0至pH6.9，b)将细胞培养基进行HTST处理，和c)在HTST处理之后将细胞培养基的pH升高到6.9至7.2之间。2.根据权利要求1所述的方法，其中在HTST处理之前将所述细胞培养基的pH调节到pH5.0至pH6.7。3.根据权利要求2所述的方法，其中在HTST处理之前将所述细胞培养基的pH调节到pH5.0至6.3。4.根据权利要求1所述的方法，其中在HTST处理之后将所述细胞培养基的pH升高到pH7.0至pH7.2。5.根据权利要求3所述的方法，其中在HTST处理之后将所述细胞培养基的pH升高到pH7.0至pH7.2。6.根据权利要求1所述的方法，包括在HTST处理之前将所述细胞培养基中钙和磷酸盐的总量限制在小于9mM。7.根据权利要求6所述的方法，其中在HTST处理期间，所述培养基中的总磷酸盐和钙浓度小于8mM。8.根据权利要求3所述的方法，其中在HTST处理期间，所述培养基中的总磷酸盐和钙浓度小于8mM。9.根据权利要求6所述的方法，其中在HTST处理期间，所述培养基中的总磷酸盐和钙浓度小于4mM。10.根据权利要求3所述的方法，其中在HTST处理期间，所述培养基中的总磷酸盐和钙浓度小于4mM。11.根据权利要求6所述的方法，还包括在HTST处理之后将钙和磷酸盐水平调节到适合细胞培养的水平。12.根据权利要求9所述的方法，还包括在HTST处理之后将钙和...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：弗，
类型：发明
国别省市：