描述了在基于数据模式的编程期间对存储器单元进行编程和控制位线放电方案的设备和方法。存储器控制器可基于SLC脉冲数目和TLC数据完成信号而预测编程数据模式，且使用这些信号来调整禁止位线可以放电的时间。一旦TLC编程操作具有多于一个数据，所述存储器控制器就使EQVDDSA_PROG与VDDSA相等，且接着放电。在SLC编程中，所述存储器控制器将仅在第一编程脉冲中启用EQVDDSA_PROG，此后停用所述EQVDDSA_PROG。EQVDDSA_PROG。EQVDDSA_PROG。
【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的程序循环中的下一状态验证的触发
技术介绍
[0001]本专利技术技术涉及存储器装置的操作。半导体存储器装置在各种电子装置中的使用已经越来越普遍。举例来说，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置和其它装置中。存储器装置始终致力于提高操作效率和速度。
技术实现思路
[0002]本文中描述用于操作NAND、BICS存储器等非易失性存储器的各种实施例。
[0003]根据本公开的一方面，提供一种设备，其包含配置成存储多个状态的多个存储器单元。所述设备进一步包含存储器控制器，所述存储器控制器可操作地连接到多个存储器单元以控制其中的数据存储。控制器配置成将编程控制信号施加到选定位线，以对多个存储器单元中的选定存储器单元进行编程，且将禁止控制信号施加到多个存储器单元中的未选定存储器单元，以阻止对未选定存储器单元进行编程。控制器进一步配置成在将初始编程脉冲施加到选定存储器单元之后，停用施加到选定位线的均衡信号。控制器进一步配置成在达到编程脉冲的阈值数目后立即启用施加到选定位线的均衡信号。
[0004]根据本公开的另一方面，存储器控制器配置成将编程脉冲的阈值设置为某一数值，在此数值下，多个存储器单元中的至少一半编程到相应最终存储器状态。
[0005]根据本公开的另一方面，存储器控制器进一步配置成停用均衡信号以减少电力消耗且减少禁止存储器单元干扰。
[0006]根据本公开的又一方面，存储器控制器配置成控制单层级单元的编程且针对第一编程脉冲停用均衡信号。<br/>[0007]根据本公开的另一方面，存储器控制器配置成在第二编程脉冲或稍后编程脉冲之后启用位线均衡。
[0008]根据本公开的又一方面，存储器控制器配置成通过针对预定编程脉冲选择性地启用和停用均衡信号而控制部分页上的单层级单元的编程。
[0009]根据本公开的又一方面，存储器控制器配置成控制三层级单元的编程且针对前三个编程脉冲停用均衡信号。
[0010]根据本公开的另一方面，存储器控制器配置成在完成C层级编程之后启用均衡。
[0011]根据本公开的又一方面，存储器控制器配置成在完成F层级编程之后停用均衡。
[0012]根据本公开的又一方面，存储器控制器配置成控制四层级单元的编程，针对至少第一编程脉冲停用均衡信号，在完成S7编程之后启用均衡信号，且在完成S13编程之后停用均衡信号。
[0013]根据本公开的另一方面，存储器控制器配置成使用MLS/精细编程来控制对四层级单元的编程，针对至少第一编程脉冲停用均衡信号，在完成A编程之后启用均衡信号，且在完成C编程之后停用均衡信号。
[0014]本公开的又一方面涉及一种非易失性存储器控制方法。所述方法包含以下步骤：
将选择控制信号施加到选定位线，以对多个存储器单元中的选定存储器单元寻址，从而对选定存储器单元进行编程。所述方法继续进行到以下步骤：将禁止控制信号施加到多个存储器单元中的未选定存储器单元，以阻止对未选定存储器单元进行编程。所述方法继续进行到以下步骤：停用选定位线的放电，直到初始编程脉冲被施加到选定存储器之后为止。所述方法继续进行到以下步骤：在达到编程脉冲的阈值后立即启用选定位线的放电。
[0015]根据本公开的另一方面，启用选定位线的放电的步骤包含在使位线放电之前，将位线均衡到VDDSA。
[0016]根据本公开的又一方面，所述方法进一步包含以下步骤：将编程脉冲的阈值设置为某一数值，在此数值下，存储器单元中的至少一半编程到相应最终存储器状态。
[0017]根据本公开的又一方面，所述方法进一步包含以下步骤：控制对单层级单元编程，且其中停用选定位线的放电包含针对第一编程脉冲停用放电。
[0018]根据本公开的另一方面，所述方法进一步包含以下步骤：控制三层级单元的编程，且其中停用选定位线的放电包含针对前三个编程脉冲停用位线的放电。
[0019]根据本公开的又一方面，启用选定位线的放电进一步包含在完成C编程之后，启用已停用位线进行放电。
[0020]根据本公开的又一方面，停用选定位线的放电的步骤包含在完成F编程之后停用先前启用的位线。
[0021]本公开的又一方面涉及一种非易失性存储器控制方法。所述方法包含以下步骤：将编程脉冲计数设置为零。所述方法继续进行到以下步骤：在编程电平下利用位线执行编程脉冲。所述方法继续进行到以下步骤：使编程脉冲计数递增。在编程脉冲计数低于第一阈值的情况下，所述方法继续进行到以下：停用编程脉冲之间的位线放电，且接着通过返回到在编程电平下利用位线执行编程脉冲来执行后续编程脉冲。在编程脉冲计数处于或高于第一阈值的情况下，所述方法继续进行到以下步骤：启用编程脉冲之间的位线放电，且接着返回到在编程电平下利用位线执行编程脉冲且使编程脉冲计数递增。在编程脉冲计数高于第二阈值的情况下，所述方法继续到以下：停用编程脉冲之间的位线放电。
[0022]根据本公开的另一方面，执行编程脉冲的步骤包含针对QLC存储器执行编程脉冲、在S7编程脉冲电平下设置第一阈值以及在S13编程脉冲电平下设置第二阈值。
附图说明
[0023]下文参考附图中示出的特定实施例包含更具体的描述。应理解，这些附图仅描绘了本公开的某些实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，通过使用附图，以额外的特征和细节来描述和解释本公开，在附图中：
[0024]图1示出根据实例实施例的包含位线和字线的存储器单元阵列的实施例；
[0025]图2示出根据实例实施例的NAND配置中的三维(3D)存储器的图；
[0026]图3示出说明根据实例实施例的3D竖直存储器结构的实施例的示意性框图；
[0027]图4示出展示根据实例实施例的3D存储器块的俯视图的图；
[0028]图5示出根据实例实施例的用于图4的3D存储器块的感测放大器群组的阵列；
[0029]图6示出说明根据实例实施例的存储器系统的实施例的示意性框图；
[0030]图7示出用于存储器单元子群组识别和选择的非易失性存储器装置的示意性框
图；
[0031]图8示出根据实例实施例的存储器的示意图；
[0032]图9示出根据实例实施例的存储器的示意图；
[0033]图10示出根据实例实施例的存储器过程；
[0034]图11示出根据实例实施例的存储器过程；
[0035]图12示出根据实例实施例的存储器过程；
[0036]图13示出根据实例实施例的存储器过程；
[0037]图14示出根据实例实施例的存储器过程；
[0038]图15示出根据实例实施例的简化时序图；
[0039]图16示出用于存储器单元的阈值电压分布；
[0040]图17示出描述数据值到数据状态的分配的一个实例的表；
[0041]图18是描述用于编程的过程的一个实施例的流程图；
[0042]图19是描述用于将数据编程到连接到公共字线的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：多个存储器单元，其配置成存储多个状态；存储器控制器，其可操作地连接到所述多个存储器单元以控制其中的数据存储，且配置成：将编程控制信号施加到选定位线，以对所述多个存储器单元中的选定存储器单元进行编程，从而对所述选定存储器单元进行编程，且将禁止控制信号施加到所述多个存储器单元中的未选定存储器单元，以阻止对所述未选定存储器单元进行编程，在将初始编程脉冲施加到所述选定存储器单元之后，停用施加到所述选定位线的均衡信号，且在达到编程脉冲的阈值数目后立即启用施加到所述选定位线的所述均衡信号。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器配置成将编程脉冲的所述阈值设置为某一数值，在此数值下，所述多个存储器单元中的至少一半编程到相应最终存储器状态。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述存储器控制器进一步配置成停用所述均衡信号以减少电力消耗且减少禁止存储器单元干扰。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器配置成控制单层级单元的编程且针对第一编程脉冲停用所述均衡信号。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述存储器控制器配置成在第二编程脉冲或稍后编程脉冲之后启用位线均衡。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器配置成通过针对预定编程脉冲选择性地启用和停用所述均衡信号而控制部分页上的单层级单元的编程。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器配置成控制三层级单元的编程且针对前三个编程脉冲停用所述均衡信号。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述存储器控制器配置成在完成C层级编程之后启用所述均衡。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制器配置成在完成F层级编程之后停用所述均衡。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器配置成控制四层级单元的编程，针对至少第一编程脉冲停用所述均衡信号，在完成S7编程之后启用所述均衡信号，且在完成S13编程之后停用所述均衡信号。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器配置成使用MLS/精细编程来控制对四层级单元的编程，针对至少第一编程脉冲停用所述均衡信号，在完成A编程之后启用所述均衡信号，且在完成C编程之后停用所述均衡信...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐华玲，H，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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