掩模及制造掩模的方法技术

本公开涉及掩模及制造掩模的方法，所述掩模包括掩模片和掩模框架，其中，掩模片包括上表面和面对上表面的下表面，掩模片包括穿过上表面和下表面的开口，掩模框架支承掩模片，掩模片包括邻近开口并从下表面突出的突起，以及邻近突起并从掩模片的下表面朝向上表面凹入的凹陷。的凹陷。的凹陷。

【技术实现步骤摘要】
掩模及制造掩模的方法


[0001]本文中的公开内容涉及掩模及制造其的方法，并且涉及通过激光加工制造的掩模及制造其的方法。

技术介绍

[0002]显示面板可以包括像素。每个像素可以包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光元件的显示元件。显示元件可以通过在衬底上堆叠电极和各种功能层来形成。
[0003]构成显示元件的功能层可以通过使用具有开口区域的掩模来图案化而被提供，其中，开口区域限定为穿过掩模。这里，例如，可以根据掩模的开口区域的形状来控制图案化的功能层的形状。因此，对于其中以高精度加工开口区域以改善图案化的功能层的沉积质量的掩模以及制造这种掩模的方法，需要技术发展。
[0004]应当理解，该
技术介绍
部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，该
技术介绍
部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种改善形成在目标衬底上的功能层的沉积质量的掩模以及制造该掩模的方法。
[0006]实施例提供了一种掩模，该掩模包括掩模片和掩模框架，其中，掩模片可包括上表面和面对上表面的下表面，掩模片包括穿过上表面和下表面的开口，掩模框架支承掩模片，其中，掩模片可包括邻近开口并从下表面突出的突起，以及邻近突起并从掩模片的下表面朝向上表面凹入的凹陷。
[0007]在实施例中，突起的厚度可以在约1μm至约10μm的范围内。
[0008]在实施例中，凹陷的厚度可以在约1μm至约10μm的范围内。
[0009]在实施例中，掩模片的下表面和上表面之间的距离可以在约20μm至约200μm的范围内。
[0010]在实施例中，开口可以在横截面上具有基本上梯形的形状，并且开口的宽度可以从掩模片的下表面朝向上表面增加。
[0011]在实施例中，掩模片的形成开口的开口侧表面可相对于掩模片的下表面具有在约30
°
至约70
°
的范围内的倾斜角度。
[0012]在实施例中，凹陷的一侧可以延伸到突起的一侧。
[0013]在实施例中，突起可以设置在掩模片的开口和凹陷之间。
[0014]在实施例中，突起可以具有从掩模片的下表面突出远离的基本上弯曲的突起底表面。
[0015]在实施例中，在平面图中，突起可以以平行于开口的一侧的条的形式设置。
[0016]在实施例中，掩模片可以包括铁(Fe)和镍(Ni)的合金。
[0017]在实施例中，掩模片的热膨胀系数可以为约5ppm/℃或更小。
[0018]在实施例中，掩模片可以沉积发光元件的至少一个功能层或第二电极，发光元件包括彼此面对的第一电极和第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的至少一个功能层。
[0019]在实施例中，掩模可以包括掩模片和掩模框架，在平面图中，掩模片包括开口区域，掩模框架支承掩模片，其中，掩模片可以包括其中形成有开口区域的基础部、设置在基础部的下表面上并且从下表面突出远离的突起、以及在掩模片的基础部的下表面中的凹入的凹陷。
[0020]在实施例中，开口区域可以形成为在目标衬底上提供彼此间隔开并且包括相同材料的功能层。
[0021]在实施例中，突起可以与目标衬底邻近，并且基础部分可以与目标衬底间隔开。
[0022]在实施例中，突起可以与开口区域邻近，凹陷的侧部可以分别连接到突起的侧部，并且凹陷可以分别与开口区域间隔开，并且邻近的突起设置在开口区域之间。
[0023]在实施例中，开口区域中的每个在平面图中可以具有基本上矩形的形状，并且，在平面图中，与开口区域邻近的突起和凹陷可以具有平行于开口区域的一侧的基本上条形的形状。
[0024]在实施例中，制造掩模的方法可以包括制备包括彼此面对的上表面和下表面的初始掩模片；通过用第一激光照射初始掩模片的上表面来形成开口，使得开口从初始掩模片的上表面穿透到下表面；用第二激光重复照射初始掩模片的与开口邻近的下表面；以及通过用第二激光重复照射，形成包括与开口邻近并从下表面突出的突起，以及与突起邻近并从下表面凹入的凹陷的掩模片。
[0025]在实施例中，第一激光和第二激光可以各自具有在约10
‑
15
秒到约10
‑
12
秒的范围内的脉冲宽度。
[0026]在实施例中，在形成开口时，开口的宽度可以从初始掩模片的上表面朝向下表面减小。
[0027]在实施例中，掩模片的暴露在开口中的开口侧表面可相对于初始掩模片的下表面具有在约30
°
至约70
°
的范围内的倾斜角度。
[0028]在实施例中，用第二激光重复照射初始掩模片的下表面可包括用相同功率的第二激光重复照射与开口邻近的下表面中的同一点。
[0029]在实施例中，突起可具有在约1μm至约10μm的范围内的高度。
[0030]在实施例中，掩模片的形成可以包括根据第二激光的入射角形成与开口邻近的突起，以及形成与突起邻近的凹陷。
附图说明
[0031]包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0032]图1是根据实施例的显示设备的示意性平面图；
[0033]图2是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
[0034]图3是根据实施例的掩模的分解立体图；
[0035]图4是根据实施例的掩模的示意性剖视图；
[0036]图5A是根据实施例的掩模的一部分的示意性剖视图；
[0037]图5B是根据实施例的掩模的一部分的示意性剖视图；
[0038]图6A是根据实施例的掩模的示意性立体图；
[0039]图6B是根据实施例的掩模的一部分的示意性立体图；
[0040]图7A是示出使用相关技术掩模的比较例的沉积表面的图像；
[0041]图7B是示出使用根据实施例的掩模的示例的沉积表面的图像；
[0042]图8是示出根据实施例的制造掩模的方法的流程图；
[0043]图9A至图9D是分别示出根据实施例的制造掩模的方法的操作的示意图；
[0044]图10A是示出根据实施例的使用掩模的沉积工艺的示意图；以及
[0045]图10B是示出根据实施例的使用掩模的沉积工艺的示意图。
具体实施方式
[0046]在本公开中，可以进行各种修改并且可以应用各种形式，并且将在附图中示出并且以文字详细描述实施例。然而，这并不旨在将本公开限制为公开形式，应当理解为包括包含在本公开的精神和范围内的所有变化、等同和替代。
[0047]在本说明书中，当部件(例如，或者区域、层、部分)被称为“在”另一部件“上”、“连接”或“联接”到另一部件时，意味着它被直接放置/连接/联接在另一部件上，或者第三部件可以被布置在它们之间。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模，包括：掩模片，包括上表面和面对所述上表面的下表面，所述掩模片包括穿过所述上表面和所述下表面的开口；以及掩模框架，支承所述掩模片，其中，所述掩模片包括：突起，邻近所述开口并从所述下表面突出；以及凹陷，邻近所述突起并从所述掩模片的所述下表面朝向所述上表面凹入。2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述突起的厚度在1μm至10μm的范围内。3.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述凹陷的厚度在1μm至10μm的范围内。4.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片的所述下表面与所述上表面之间的距离在20μm至200μm的范围内。5.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述开口在横截面上具有梯形的形状，以及所述开口的宽度从所述掩模片的所述下表面朝向所述上表面增加。6.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片的形成所述开口的开口侧表面相对于所述掩模片的所述下表面具有在30
°
至70
°
的范围内的倾斜角度。7.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述凹陷的一侧延伸到所述突起的一侧。8.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述突起设置在所述掩模片的所述开口和所述凹陷之间。9.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述突起具有从所述掩模片的所述下表面突出远离的弯曲的突起底表面。10.根据权利要求1所述的掩模，其中，在平面图中，所述突起以平行于所述开口的一侧的条形式设置。11.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片包括铁和镍的合金。12.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片的热膨胀系数为5ppm/℃或更小。13.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片沉积发光元件的至少一个功能层或第二电极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金桢国，金辉，李娥凛，黄圭焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：