组对结构非易失性存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供一种组对结构非易失性存储器的制作方法。该制作方法中，首先在基底的上表面上形成多个分隔墙，然后在基底上形成覆盖基底和分隔墙的栅极材料层，再研磨去除部分栅极材料层，使得栅极材料层的上表面平坦且露出分隔墙的顶面，接着对栅极材料层进行图形化处理，在每个分隔墙的两侧分别形成第一栅极和第二栅极，其中，一个分隔墙两侧的第一栅极和第二栅极属于同一个组对存储单元，组对存储单元的第一存储管包括第一栅极，组对存储单元的第二存储管包括第二栅极。该制作方法利用分隔墙分隔形成第一栅极和第二栅极，避免了光刻的分辨能力的限制，可以缩小组对存储单元中两个栅极之间的间距，减少组对存储单元占用的芯片面积。积。积。

【技术实现步骤摘要】
组对结构非易失性存储器的制作方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种组对结构非易失性存储器的制作方法。

技术介绍

[0002]图1为一种组对结构非易失性存储器的布局图(layout图)。图2为图1中椭圆虚线框内一个组对存储单元的架构图。如图1至图2所示，非易失性存储器中的一个组对存储单元包括电连接的第一存储管T1和第二存储管T2，第一存储管T1和第二存储管T2均为非易失性存储管，可以独立存储两个字节。同一个组对存储单元的第一存储管T1和第二存储管T2之间通过扩散区域A(Diffusion Region)连接，扩散区域A如图1中的矩形虚线框所示。
[0003]图3为图1中一个组对存储单元沿BC线所示方向的剖面示意图。如图1和图3所示，同一个组对存储单元的两个存储管均为传统的源漏对称结构，具体的，第一存储管T1的栅极100两侧和第二存储管T2的栅极100两侧的基底中均形成有完整并对称的标准工艺中轻掺杂漏区101(N
‑
LDD)和N+源漏注入区102(S/D N+注入区)，扩散区域A包括位于中心的N+源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组对结构非易失性存储器的制作方法，所述组对结构非易失性存储器包括多个组对存储单元，每个所述组对存储单元包括电连接的第一存储管和第二存储管，其特征在于，所述制作方法包括：提供基底；在所述基底的上表面上形成多个分隔墙；在所述基底上形成栅极材料层，所述栅极材料层覆盖所述基底的上表面以及覆盖所述分隔墙的顶面和侧壁；研磨去除部分所述栅极材料层，使得所述栅极材料层的上表面平坦且露出所述多个分隔墙的顶面；以及对所述栅极材料层进行图形化处理，以在每个所述分隔墙的两侧分别形成第一栅极和第二栅极；其中，一个所述分隔墙两侧的第一栅极和第二栅极属于同一个所述组对存储单元，所述组对存储单元的第一存储管包括位于所述分隔墙一侧的第一栅极，所述组对存储单元的第二存储管包括位于所述分隔墙另一侧的第二栅极。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成多个分隔墙的方法包括：在所述基底上表面上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成多个侧墙结构；以所述多个侧墙结构为掩模，刻蚀所述第一材料层形成多个所述分隔墙；以及去除所述侧墙结构。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一材料层上形成多个侧墙结构的方法包括：在所述第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层上形成第三材料层；在所述第三材料层中形成多个第一开口，所述多个第一开口露出所述第二材料层的上表面；在所述第三材料层上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述第三材料层的上表面、所述多个第一开口的侧壁、以及所述多个第一开口露出的第二材料层的上表面；以及刻蚀去除所述第三材料层上表面上的侧墙材料层以及所述第二材料层上表面上的部分侧墙材料层，保留所述多个第一开口侧壁上的侧墙材料层作为所述多个侧墙结构。4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：所述在所述基底的上表面上形成多个分隔墙之后、所述在所述基底上形成栅极材料层之前，在所述基底上形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述基底的上表面以及覆盖所述分隔墙的顶面和侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金波，禹小军，
申请(专利权)人：杭州领开半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：