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本发明提供一种组对结构非易失性存储器的制作方法。该制作方法中，首先在基底的上表面上形成多个分隔墙，然后在基底上形成覆盖基底和分隔墙的栅极材料层，再研磨去除部分栅极材料层，使得栅极材料层的上表面平坦且露出分隔墙的顶面，接着对栅极材料层进行图形...
该专利属于杭州领开半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州领开半导体技术有限公司授权不得商用。

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