【技术实现步骤摘要】
一种存储器三单元耦合故障检测方法、终端设备及介质
[0001]本专利技术涉及存储器故障检测领域，尤其涉及一种存储器三单元耦合故障检测方法、终端设备及介质。
技术介绍
[0002]随着集成电路的发展，芯片制程不断减小，存储器的容量和密度也在不断提升，同时存储器内部每个存储单元之间的距离也随之减小，存储器出现故障的概率也大大增加。因此，如何对随机存取存储器进行有效的测试成为关键。目前业界常用的可测性设计技术主要有三种，分别是扫描测试、边界扫描和内建自测试(BIST)。扫描测试通过引入扫描寄存器以及插入扫描链，可以实现对时序电路的直接测试，但缺点是需要引入大量的输入输出引脚，会大大降低芯片的性能。边界扫描的主要测试对象是电路的输入输出引脚，虽然对芯片性能影响不大，但测试时间较长。内建自测试是通过集成在芯片内部的专用测试电路来检查电路的制造缺陷，其占用面积很小，对芯片性能的影响也微乎其微，并且测试时间也较短。根据测试对象的不同，内建自测试又分为逻辑内建自测试(LBIST)和存储内建自测试(MBIST)。MBIST的故障检测算法已经有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器三单元耦合故障检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：通过地址任意顺序的写操作将待测存储器的存储单元设置为第一种背景数据I0；步骤二：按照地址升序的方式，对所有存储单元依次进行读、读、有跳变写和无跳变写的操作；步骤三：按照地址升序的方式，再次对所有存储单元依次进行读、读、有跳变写和无跳变写的操作；步骤四：按照地址降序的方式，对所有存储单元依次进行读、读、有跳变写和无跳变写的操作；步骤五：按照地址降序的方式，再次对所有存储单元依次进行读、读、有跳变写和无跳变写的操作；步骤六：按照地址任意顺序的方式，对所有存储单元依次进行读操作；步骤七：通过地址任意顺序的写操作将待测存储器的存储单元设置成第二种数据背景I1；步骤八：按照地址升序的方式，对所有存储单元依次进行读、读、有跳变写、无跳变写、读、读、有跳变写、无跳变写的操作；步骤九：按照地址任意顺序的方式，对所有存储单元依次进行读操作；步骤十：通过地址任意顺序的写操作将待测存储器的存储单元设置成第三种数据背景I2；步骤十一：按照地址升序的方式，对所有存储单元依次进行读、读、有跳变写、无...
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