掩膜版及显示面板制造技术

本申请属于显示领域，具体涉及一种掩膜版及显示面板，掩膜版包括透明基板和形成在透明基板一侧的掩膜层，所述掩膜层包括主图案区和至少两个副图案区，至少两个所述副图案区依次环绕所述主图案区设置，所述副图案区包括靠近所述主图案区的第一环形区和远离所述主图案区的第二环形区，所述主图案区和所述第二环形区均为遮光区且所述第一环形区为透光区，或所述主图案区和所述第二环形区均为透光区且所述第一环形区为遮光区。第一环形区和第二环形区其中一个为遮光区，另一个为透光区，照射副图案区的部分光线可通过部分光线被遮挡，主图案区形成孔结构或槽结构时，副图案区形成的孔结构或槽结构边缘的坡角更平缓，通过坡角处金属线不容易断线。属线不容易断线。属线不容易断线。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及显示面板


[0001]本申请属于显示领域，具体涉及一种掩膜版及显示面板。

技术介绍

[0002]对于高分辨率、高刷新率的显示器件，需要尽可能降低功耗和寄生电容，减少面内串扰及残影等问题。目前，普遍采用的是增加一层有机绝缘层(即PFA)降低功耗和寄生电容。采用COG(chip on glass，芯片绑定在面板上)技术时，需要在有机绝缘层的绑定区形成槽结构，有机绝缘层厚度较大，形成的槽结构边缘坡度角(即taper)过大，通常坡角为70度甚至更大，陡峭的坡角容易造成有机绝缘层上金属断线，造成绑定芯片不良等问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种掩膜版及显示面板，以降低有机绝缘层上金属断线的风险。
[0004]为了达到上述目的，本申请提供了一种掩膜版，包括透明基板和形成在所述透明基板一侧的掩膜层，所述掩膜层包括：
[0005]主图案区，用于使光刻胶上形成孔结构或槽结构；
[0006]至少两个副图案区，至少两个所述副图案区依次环绕所述主图案区设置，至少两个所述副图案区用于所述孔结构边缘的坡角或所述槽结构边缘的坡角；
[0007]其中，所述副图案区包括靠近所述主图案区的第一环形区和远离所述主图案区的第二环形区，所述主图案区和所述第二环形区均为遮光区且所述第一环形区为透光区，或
[0008]所述主图案区和所述第二环形区均为透光区且所述第一环形区为遮光区。
[0009]可选的，所述第一环形区为透光区，所述主图案区和所述第二环形区均为遮光区，以用于加工负性光刻胶；
[0010]其中，所述第一环形区为贯穿所述掩膜层的狭缝。
[0011]可选的，由内向外，所述副图案区的宽度逐渐减小。
[0012]可选的，由内向外，所述第二环形区的宽度逐渐减小。
[0013]可选的，由内向外，所述第一环形区的宽度逐渐减小。
[0014]可选的，由内向外，所述第一环形区的宽度等差减小且所述第二环形区的宽度等差减小。
[0015]可选的，由内向外，多个所述第一环形区的宽度均相等，多个所述第二环形区的宽度均相等。
[0016]可选的，所述第一环形区的宽度为1.5
±
0.5微米，所述第二环形区的宽度为1.5
±
0.5微米。
[0017]可选的，所述副图案区满足调制传输函数大于0.5且小于1；和/或
[0018]所述主图案区为矩形结构或圆形结构，所述第一环形区和所述第二环形区均为矩形环结构或圆环结构。
[0019]本申请还提供一种显示面板，包括衬底基板，以及依次形成在所述衬底基板上的第一金属层、绝缘层、IGZO层、第二金属层、第一钝化层、PFA层，所述PFA层开设有槽结构，所述槽结构由掩膜版的主图案区形成，所述槽结构边缘的坡角由所述掩膜版的副图案区形成。
[0020]本申请公开的掩膜版及显示面板具有以下有益效果：
[0021]本申请中，掩膜版包括透明基板和形成在透明基板一侧的掩膜层，掩膜层包括主图案区和至少两个副图案区，至少两个副图案区依次环绕主图案区设置，副图案区包括靠近主图案区的第一环形区和远离主图案区的第二环形区，主图案区和第二环形区均为遮光区且第一环形区为透光区，或主图案区和第二环形区均为透光区且第一环形区为遮光区，第一环形区和第二环形区透光性不同，其中一个为遮光区，另一个为透光区，照射副图案区的光线部分可通过部分被遮挡，主图案区形成孔结构或槽结构时，副图案区形成的孔结构边缘的坡角或槽结构边缘的坡角更平缓，通过坡角处金属线不容易断线。
[0022]本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
[0023]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0024]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本申请实施例一中掩膜版的结构示意图。
[0026]图2是本申请实施例一中掩膜版用于图案化有机绝缘层示意图。
[0027]图3是本申请实施例一中有机绝缘层挖槽示意图。
[0028]图4是图3中位置A处坡角的示意图。
[0029]图5是图3中位置B处坡角的示意图。
[0030]图6是本申请实施例一中狭缝衍射示意图。
[0031]图7是本申请实施例一中衍射影响MTF示意图。
[0032]图8是本申请实施例一中光刻胶对光强的响应特性示意图。
[0033]图9是图3中位置A处坡角的扫描电镜图。
[0034]图10是本申请实施例二中掩膜版的结构示意图。
[0035]图11是本申请实施例三中图案化显示面板的PFA层示意图。
[0036]附图标记说明：
[0037]100、透明基板；
[0038]200、掩膜层；
[0039]210、主图案区；220、副图案区；221、第一环形区；222、第二环形区；
[0040]310、衬底基板；320、第一金属层；330、第二金属层；340、PFA层；341、槽结构；350、第一ITO层；360、绝缘层。
具体实施方式
[0041]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
[0042]此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
[0043]下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0044]实施例一
[0045]参见图1和图2所示，本实施例中掩膜版包括透明基板100和形成在透明基板100一侧的掩膜层200。掩膜层200包括主图案区210和至少两个副图案区220，至少两个副图案区220依次环绕主图案区210设置。也就是说，第一个副图案区220包围主图案区210，第二个副图案区220包围第一个副图案区220，形成环环嵌套的图案。主图案区210用于使光刻胶上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，包括透明基板和形成在所述透明基板一侧的掩膜层，其特征在于，所述掩膜层包括：主图案区，用于使光刻胶上形成孔结构或槽结构；至少两个副图案区，至少两个所述副图案区依次环绕所述主图案区设置，至少两个所述副图案区用于所述孔结构边缘的坡角或所述槽结构边缘的坡角，所述副图案区包括靠近所述主图案区的第一环形区和远离所述主图案区的第二环形区；其中，所述主图案区和所述第二环形区均为遮光区且所述第一环形区为透光区，或所述主图案区和所述第二环形区均为透光区且所述第一环形区为遮光区。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一环形区为透光区，所述主图案区和所述第二环形区均为遮光区，以用于加工负性光刻胶；其中，所述第一环形区为贯穿所述掩膜层的狭缝。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，由内向外，所述副图案区的宽度逐渐减小。4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，由内向外，所述第二环形区的宽度逐渐减小。5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，由内向外，所述第一环形区的宽度逐渐减...

【专利技术属性】
技术研发人员：党锋珍，康报虹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：