掩模版制造技术

本实用新型专利技术公开了一种掩模版，所述掩模版包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括半刻蚀区域以及围绕所述半刻蚀区域设置的未刻蚀区域，所述半刻蚀区域具有开口；其中，所述半刻蚀区域的表面设有改性层，所述改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层。采用该掩模版可以加强半刻蚀区域的结构强度，降低半刻蚀区域的铁磁性和导电性，有效改善半刻蚀区域因强度/磁力/导电能力导致的面板刮伤和静电释放的问题，从而可以提升产品良率与品质。从而可以提升产品良率与品质。从而可以提升产品良率与品质。

【技术实现步骤摘要】
掩模版


[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种掩模版。

技术介绍

[0002]在OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode,有机发光二极管)器件的制造工艺中，常采用Open Mask(开口掩模版)进行膜层蒸镀。
[0003]Open Mask在开口位置一般采用半刻蚀设计，以防止Mask与面板的外围设计发生刮擦。半刻蚀后，半刻蚀区域的厚度减薄，强度降低。在蒸镀工艺过程中，半刻蚀区域由于厚度偏薄，在磁力作用下会产生上翘形变，从而刮伤膜层产生微粒(Particle)，导致封装失效，产生信赖性风险。且会接触面板产生静电释放(Electro
‑
Static discharge，ESD)现象，影响产品良率。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种掩模版。
[0005]本技术提供了一种掩模版，所述掩模版包括：
[0006]至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括半刻蚀区域以及围绕所述半刻蚀区域设置的未刻蚀区域，所述半刻蚀区域具有开口；
[0007]其中，所述半刻蚀区域的表面设有改性层，所述改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层。
[0008]可选地，所述半刻蚀区域的第一表面与所述未刻蚀区域的表面形成台阶，所述第一表面设有所述改性层。
[0009]可选地，所述第一表面包括靠近所述开口的第一边缘，所述改性层覆盖所述第一边缘与预设边界之间的区域；其中，所述第一边缘与所述预设边界之间的距离大于或等于所述第一边缘与所述台阶之间的距离的二分之一。
[0010]可选地，所述半刻蚀区域的所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面均形成有所述改性层。
[0011]可选地，所述改性层中的非金属元素为氮或碳，所述金属元素为铁或镍。
[0012]可选地，所述半刻蚀区域的厚度为所述未刻蚀区域的厚度的10％～50％。
[0013]可选地，所述半刻蚀区域和所述未刻蚀区域为一体式结构。
[0014]可选地，所述半刻蚀区域和所述未刻蚀区域的材质为因瓦合金。
[0015]可选地，所述掩模版包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元中的所述开口呈矩阵阵列布置。
[0016]可选地，所述掩模版为显示面板蒸镀用开口掩模版。
[0017]本技术实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0018]本技术实施例提供的掩模版，通过在半刻蚀区域的表面设置改性层，改性层
为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层，具备高强度、低磁性、低导电性的特性。一方面，可以提升半刻蚀区域的结构强度，并降低半刻蚀区域的铁磁性，改善半刻蚀区域在磁力作用下产生上翘形变的情况，防止半刻蚀区域上翘形变而刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效的情况发生。另一方面，可以降低半刻蚀区域的导电能力，防止刻蚀区域上翘形变与面板接触，产生静电释放现象，最终起到提升产品良率与品质的作用。
[0019]上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。
附图说明
[0020]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0021]图1是相关技术提供的一种掩模版的上翘形变示意图；
[0022]图2是相关技术提供的一种面板膜层刮伤的部分结构示意图；
[0023]图3是相关技术提供的另一种掩模版的上翘形变示意图；
[0024]图4是相关技术提供的一种显示面板ESD现象的部分结构示意图；
[0025]图5是本技术实施例提供的一种掩模版的结构示意图；
[0026]图6是本技术实施例提供的一种掩模版的使用示意图。
具体实施方式
[0027]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。
[0028]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0029]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。在本公开的上下文中，相似或者相同的部件可能会用相同或者相似的标号来表示。
[0030]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细说明，应当理解本公开内容实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0031]相关技术中提供了一种掩模版，参考图1所示，该掩模版100在开口位置采用半刻蚀设计。该掩模版通过面板上方的磁条(图1未示出)与面板紧紧贴合，然而该掩模版100的半刻蚀区域110的厚度较薄，在磁力作用(图1中X方向为磁力方向)下会上翘形变，刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效。参考图2所示，图2中圆圈标注位置即为膜层刮伤位置。
[0032]同时，参考图3所示，该掩模版100的半刻蚀区域110上翘形变后还会接触面板产生ESD现象，影响产品良率。参考图4所示，图4中圆圈标注位置即为易产生ESD现象的位置。
[0033]为了解决上述问题，本技术实施例提供了一种掩模版。图5是本技术实施例提供的一种掩模版的结构示意图，如图5所示，该掩模版200包括至少一个掩膜单元210。每个掩膜单元210均包括半刻蚀区域211以及围绕半刻蚀区域211设置的未刻蚀区域212。半刻蚀区域211具有开口A，半刻蚀区域211的表面设有包含非金属离子的改性层213。
[0034]通过在半刻蚀区域的表面设置改性层，改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层，具备高强度、低磁性、低导电性的特性。一方面，可以提升半刻蚀区域的结构强度，并降低半刻蚀区域的铁磁性，改善半刻蚀区域在磁力作用下产生上翘形变的情况，防止半刻蚀区域上翘形变而刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效的情况发生。另一方面，可以降低半刻蚀区域的导电能力，防止刻蚀区域上翘形变与面板接触，产生静电释放现象，最终起到提升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版包括：至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括半刻蚀区域以及围绕所述半刻蚀区域设置的未刻蚀区域，所述半刻蚀区域具有开口；其中，所述半刻蚀区域的表面设有改性层，所述改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层。2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述半刻蚀区域的第一表面与所述未刻蚀区域的表面形成台阶，所述第一表面设有所述改性层。3.如权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述第一表面包括靠近所述开口的第一边缘，所述改性层覆盖所述第一边缘与预设边界之间的区域；其中，所述第一边缘与所述预设边界之间的距离大于或等于所述第一边缘与所述台阶之间的距离的二分之一。4.如权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述半刻蚀区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘运金，赵欢，瞿智明，杨尚华，陈涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：