半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一实施方式提供能够实现可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备壳体、基板、控制器以及半导体存储器部件。所述控制器构成为控制所述半导体存储器部件。所述控制器具有在作为所述基板的厚度方向的第一方向上相对于所述基板位于第一侧的第一壁部及第二壁部以及在所述第一方向上相对于所述基板位于与所述第一侧相反的一侧即第二侧的第三壁部及第四壁部。所述第一壁部与所述第二壁部形成为能够相互分离。所述第三壁部与所述第四壁部形成为能够相互分离。壁部与所述第四壁部形成为能够相互分离。壁部与所述第四壁部形成为能够相互分离。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021－093092号(申请日：2021年6月2日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的所有内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知有一种具有壳体、收容于壳体的基板、安装于基板的发热部件以及安装于基板的半导体存储器部件的半导体存储装置。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式提供能够实现可靠性的提高的半导体存储装置。
[0006]实施方式的半导体存储装置具备壳体、基板、控制器以及半导体存储器部件。所述控制器构成为控制所述半导体存储器部件。所述基板收容于所述壳体，包括第一区域和与所述第一区域不同的第二区域。所述控制器安装于所述第一区域与所述第二区域中的一方。所述半导体存储器部件安装于所述第一区域与所述第二区域中的另一方。所述壳体具有：第一壁部，在作为所述基板的厚度方向的第一方向上相对于所述基板位于第一侧且面向所述第一区域；第二壁部，在所述第一方向上相对于所述基板位于所述第一侧且面向所述第二区域；第三壁部，在所述第一方向上相对于所述基板位于与所述第一侧相反的一侧即第二侧且面向所述第一区域；以及第四壁部，在所述第一方向上相对于所述基板位于所述第二侧且面向所述第二区域。所述第一壁部与所述第二壁部形成为能够相互分离。所述第三壁部与所述第四壁部形成为能够相互分离。
附图说明
[0007]图1是表示第一实施方式的半导体存储装置的立体图。
[0008]图2是表示第一实施方式的基板单元的立体图。
[0009]图3是表示第一实施方式的基板单元的仰视图。
[0010]图4是表示第一实施方式的基板单元的俯视图。
[0011]图5是表示第一实施方式的壳体的立体图。
[0012]图6是表示第一实施方式的第一部件的立体图。
[0013]图7是表示第一实施方式的第二部件的立体图。
[0014]图8是用于说明第一实施方式的第二部件相对于第一部件的安装方法的图。
[0015]图9是沿着图1中所示的半导体存储装置的F9－F9线的剖面图。
[0016]图10是沿着图9中所示的半导体存储装置的F10－F10线的剖面图。
[0017]图11是表示第一实施方式的壳体的下壁的一部分的仰视图。
[0018]图12是分解表示第二实施方式的壳体的立体图。
[0019]图13是分解表示第三实施方式的壳体的立体图。
[0020]图14是分解表示第四实施方式的壳体的立体图。
[0021]附图标记说明
[0022]1…
半导体存储装置，10、10A、10B、10C
…
壳体，23
…
控制器(发热部件)，24
…
电力转换部件(发热部件)，25
…
电源电路部件(发热部件)，27
…
半导体存储器部件，28
…
电容器(电子部件)，31
…
下壁，32
…
上壁，33
…
第一侧壁，34
…
第二侧壁，41
…
第一下壁部，42
…
第二下壁部，51
…
第一上壁部，52
…
第二上壁部，61
…
第三连接部，62
…
第四连接部，M1
…
第一部件，M2
…
第二部件，M3A
…
第三部件，M4A
…
第四部件，M5B
…
第五部件，M6B
…
第六部件，M7C
…
第七部件，M8C
…
第八部件，M9C
…
第九部件，M10C
…
第十部件，R1
…
第一区域，R2
…
第二区域，S1
…
第一间隙，S2
…
第二间隙，S3
…
第三间隙，S4
…
第四间隙，S5
…
第五间隙，S6
…
第六间隙
具体实施方式
[0023]以下，参照附图对实施方式的半导体存储装置进行说明。在以下的说明中，对具有相同或类似的功能的构成标注相同的附图标记。而且，有时省略这些构成的重复说明。在本申请中，所谓“平行”、“正交”、或者“相同”也可以分别包括“大致平行”、“大致正交”、或者“大致相同”的情况。在本申请中“连接”并不限定于机械连接，也可以包括电连接。另外，“连接”并不限于多个构成要素直接连接的情况，也可以包含使其他要素夹设于其间而连接的情况。
[0024]这里，首先定义+X方向、－X方向、+Y方向、－Y方向、+Z方向以及－Z方向。+X方向、－X方向、+Y方向及－Y方向是与后述的基板21的第一面21a(参照图9)平行的方向。+X方向是从后述的壳体10的第一上壁部51朝向第二上壁部52的方向(参照图1)。－X方向是与+X方向相反的方向。在不区分+X方向与－X方向的情况下，仅称作“X方向”。+Y方向以及－Y方向是与X方向交叉(例如正交)的方向。+Y方向是从后述的壳体10的第一侧壁33朝向第二侧壁34的方向(参照图1)。－Y方向是与+Y方向相反的方向。在不区分+Y方向与－Y方向的情况下，仅称作“Y方向”。
[0025]+Z方向以及－Z方向是与X方向以及Y方向交叉(例如正交)的方向，是后述的基板21的厚度方向。+Z方向是从后述的壳体10的第一下壁部41朝向第一上壁部51的方向(参照图9)。－Z方向是与+Z方向相反的方向。在不区分+Z方向与－Z方向的情况下，仅称作“Z方向”。在本申请中，为了方便说明，有时将+Z方向侧称作“上”、将－Z方向侧称作“下”。但是，它们并不限定重力方向。+Z方向是“第一方向”的一个例子。+X方向是“第二方向”的一个例子。+Y方向是“第三方向”的一个例子。
[0026](第一实施方式)
[0027]＜1.半导体存储装置的整体构成＞
[0028]参照图1至图11，对第一实施方式的半导体存储装置1进行说明。半导体存储装置1例如是SSD(Solid State Drive，固态硬盘)那样的存储装置。半导体存储装置1例如安装于服务器、个人计算机等信息处理装置，被用作信息处理装置的存储区域。在本申请中，将安装半导体存储装置1的信息处理装置称作“主机装置”。
[0029]图1是表示半导体存储装置1的立体图。半导体存储装置1例如具有壳体10、基板单元20以及多个固定部件80。这里为了方便说明，先对基板单元20说明，之后对壳体10以及固定部件80进行说明。
[0030]＜2.基板单元＞
[0031]首先，对基板单元20进行说明。如图1所示，基板单元20收容于壳体10。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：壳体；基板，收容于所述壳体，包括第一区域和与所述第一区域不同的第二区域；控制器，安装于所述第一区域与所述第二区域中的一方；以及半导体存储器部件，安装于所述第一区域与所述第二区域中的另一方，所述控制器构成为控制所述半导体存储器部件，所述壳体具有：第一壁部，在作为所述基板的厚度方向的第一方向上相对于所述基板位于第一侧且面向所述第一区域；第二壁部，在所述第一方向上相对于所述基板位于所述第一侧且面向所述第二区域；第三壁部，在所述第一方向上相对于所述基板位于与所述第一侧相反的一侧即第二侧且面向所述第一区域；以及第四壁部，在所述第一方向上相对于所述基板位于所述第二侧且面向所述第二区域，所述第一壁部与所述第二壁部形成为能够相互分离，所述第三壁部与所述第四壁部形成为能够相互分离。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述壳体在从所述第一壁部朝向所述第二壁部的第二方向上在所述第一壁部与所述第二壁部之间具有第一部分，该第一部分的热传导率比所述第一壁部的热传导率低。3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，在从所述第一壁部朝向所述第二壁部的第二方向上，所述第二壁部被设置为与所述第一壁部之间具有间隙。4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述间隙的长度方向沿着与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向。5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，所述壳体在所述第二方向上在所述第三壁部与所述第四壁部之间具有第二部分，该第二部分的热传导率比所述第三壁部的热传导率低。6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述壳体包括一片第一部件，所述第一部件包括所述第一壁部和所述第四壁部。7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述壳体还包括一片第二部件，所述第二部件包括所述第二壁部和所述第三壁部。8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一部件具有第一连接部及第二连接部，该第一连接部及第二连接部在与所述第一方向交叉且与从所述第一壁部朝向所述第二壁部的第二方向交叉的第三方向上分开设置，且分别连接所述第一壁部和所述第四壁部，所述第二部件具有第三连接部及第四连接部，该第三连接部及第四连接部在所述第三方向上分开设置，且分别连接所述第二壁部与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保玲，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：