一种倒装白光LED封装结构的制备方法技术

本发明专利技术属于白光LED封装技术领域，具体涉及一种倒装白光LED封装结构的制备方法。本发明专利技术提供的一种倒装白光LED封装结构的制备方法，将荧光膜覆膜到置晶板上，然后在荧光膜上点透明硅胶，并将LED芯片下压到透明硅胶上，能够在LED芯片和荧光膜之间形成一层透明硅胶，将LED芯片与荧光膜阻隔，避免LED芯片产生的热量直接传导到荧光膜导致光衰，并且透明硅胶的设置增加了在蓝光在白胶上的反射面积，增大了白胶形成的反射杯的深度，使蓝光的反射角变大，有效提升了LED的亮度和中心光强。有效提升了LED的亮度和中心光强。有效提升了LED的亮度和中心光强。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装白光LED封装结构的制备方法


[0001]本专利技术属于白光LED封装
，具体涉及一种倒装白光LED封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)广泛运用于照明领域，而照明领域的光一般为白光，实现二极管的白光通常的方法是先形成蓝光芯片，然后在封装的时候在封装材料中加入荧光粉，蓝光芯片发出的蓝光激发封装材料里的荧光粉发出黄光或绿光或红光或多种颜色的混合光，由蓝光和这些被激发出的光共同混合形成白光。
[0003]LED芯片具有多种封装结构，相对于正装LED芯片，在相同的芯片面积下，倒装LED芯片具有更大的发光面积和更好的光学性能，并且在一定的电流范围下，倒装LED芯片具有更高的功率转化效率。
[0004]现有技术下，一般采用传统二次固化胶膜工艺封装倒装LED芯片，将二次固化荧光粉胶膜直接与LED芯片粘接并加热固化，这种工艺制备的LED封装结构，由于荧光膜直接覆盖在LED芯片表面，LED芯片长时间工作时发热，热量直接传导到荧光膜上，高温导致荧光膜寿命降低，从而导致LED光衰，亮度降低；同时，由于荧光膜直接覆盖在LED芯片表面，LED芯片发光的反射角度较小，限制了LED的亮度和中心光强的提升。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中，倒装白光LED封装工艺荧光膜直接覆盖在LED芯片表面，导致光衰并且限制LED亮度和中心光强提升的缺陷，从而提供一种倒装白光LED封装结构的制备方法。/>[0006]一种倒装白光LED封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0007]步骤S1：将荧光胶覆膜到置晶板上；
[0008]步骤S2：预切割所述荧光胶，预切割形成的切割道在所述荧光胶上分隔出多个荧光膜；
[0009]步骤S3：在所述荧光膜上侧进行透明硅胶点胶；
[0010]步骤S4：准备LED芯片，所述LED芯片底部设置有正电极和负电极；将所述LED芯片顶部朝下与所述透明硅胶接触；
[0011]步骤S5：下压所述LED芯片，并静置，使所述透明硅胶充满所述LED芯片与所述荧光膜之间，覆盖所述LED芯片的四周，覆盖所述荧光膜上侧并在所述荧光膜的四周被所述切割道的边缘阻挡，所述透明硅胶在所述LED芯片四周上部到所述切割道的边缘之间形成斜角；
[0012]步骤S6：对所述透明硅胶进行烘烤，使其固化；
[0013]步骤S7：在所述LED芯片的电极一侧贴附蓝膜，使所述LED芯片连同所述透明硅胶以及所述荧光膜在所述置晶板上脱离，并进行倒膜；
[0014]步骤S8：将LED芯片固晶到基板上，将所述LED芯片底部的正电极和负电极分别与
所述基板上的正焊盘和负焊盘焊接；
[0015]步骤S9：填充白胶，所述白胶填充所述透明硅胶的侧面与所述基板之间，填充所述荧光膜的侧面与所述基板之间，形成一个反射杯；
[0016]步骤S10：以一个LED芯片为单位对所述基板进行切割，使各个LED芯片分离，形成多个所述倒装白光LED封装结构。
[0017]进一步的，所述步骤S2中，在预切割所述荧光胶时，采用激光进行切割。
[0018]进一步的，所述步骤S3中，在所述荧光膜上侧进行透明硅胶点胶时，点胶位置在所述荧光膜中心。
[0019]进一步的，所述步骤S5中，下压所述LED芯片后，静置2～5分钟。
[0020]进一步的，在所述步骤S9填充所述白胶后，还包括以下步骤：进行压模并形成透镜，所述透镜在所述基板安装所述LED芯片的一侧包裹所述白胶和所述荧光膜。
[0021]进一步的，所述透镜形状可以是半球型的，也可以是平面型的或切角螺纹型的，表面可以是光滑的，也可是磨砂的。
[0022]进一步的，所述置晶板厚度为300～1000um，表面粘力为20～200gf/25mm。
[0023]一种倒装白光LED封装结构，包括LED芯片、荧光膜、透明硅胶、白胶、基板，所述LED芯片位于所述基板上方，所述LED芯片底部的正电极和负电极分别与所述基板上侧的正焊盘和负焊盘焊接；所述透明硅胶覆盖所述LED芯片的上侧和四周，并且上宽下窄在侧面形成倒角；所述荧光膜位于所述透明硅胶的上侧；所述白胶填充所述透明硅胶的侧面与所述基板之间，填充所述荧光膜的侧面与所述基板之间，形成一个反射杯。
[0024]有益效果：
[0025]1.本专利技术提供的一种倒装白光LED封装结构的制备方法，将荧光膜覆膜到置晶板上，然后在荧光膜上点透明硅胶，并将LED芯片下压到透明硅胶上，能够在LED芯片和荧光膜之间形成一层透明硅胶，将LED芯片与荧光膜阻隔，避免LED芯片产生的热量直接传导到荧光膜导致光衰，并且透明硅胶的设置增加了在蓝光在白胶上的反射面积，增大了白胶形成的反射杯的深度，使蓝光的反射角变大，有效提升了LED的亮度和中心光强。并且本专利技术制备方法通过预切割荧光胶的设置，在荧光胶上形成切割道，在挤压透明硅胶时由于表面张力的作用能够阻止透明硅胶继续流动，防止透明硅胶在荧光胶上形成的溢面过大，更容易挤压透明硅胶形成斜角，更容易控制斜角大小；同时预切割在芯片上形成固定的标识点和位置，能够在荧光胶上有效进行位置识别，确保封装精度。
[0026]2.本专利技术的制备方法采用激光进行预切割，切割质量好，能够形成平整的切割道，从而有效限制透明硅胶的流动，并且相比采用LED芯片贴到荧光胶上再切割的方式割速度更快，后切割需要采用刀片水切割或者劈裂切割并且需要不断进行视觉对位，激光预切割有效提高了封装效率。本专利技术的制备方法步骤还包括进行压模形成透镜并包裹所述白胶和所述荧光膜，能够增强光的使用效率和发光效率。
[0027]3.本专利技术的制备方法在所述荧光膜上侧进行透明硅胶点胶时，点胶位置在所述荧光膜中心，确保挤压透明硅胶时，透明硅胶能够均匀覆盖LED芯片的四周和荧光膜上侧，确保LED封装结构发光的均匀一致。本专利技术在所述步骤S5中，下压所述LED芯片后，静置2～5分钟，能够进一步确保透明硅胶充分覆盖LED芯片的四周和荧光膜上侧。
附图说明
[0028]图1为本专利技术制备方法步骤S1的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术制备方法步骤S2的结构俯视图；
[0030]图3为本专利技术制备方法步骤S4的结构示意图；
[0031]图4为本专利技术制备方法步骤S5的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术制备方法步骤S8的结构示意图；
[0033]图6为本专利技术制备方法步骤S9的结构示意图；
[0034]图7为本专利技术倒装白光LED封装结构的示意图。
[0035]附图标记：1、置晶板；2、荧光胶；21、荧光膜；3、透明硅胶；4、LED芯片；5、基板；6、白胶；7、透镜。
具体实施方式
[0036]为了使本领域的技术人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装白光LED封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将荧光胶(2)覆膜到置晶板(1)上；步骤S2：预切割所述荧光胶(2)，预切割形成的切割道在所述荧光胶(2)上分隔出多个荧光膜(21)；步骤S3：在所述荧光膜(21)上侧进行透明硅胶(3)点胶；步骤S4：准备LED芯片(4)，所述LED芯片(4)底部设置有正电极和负电极；将所述LED芯片顶部朝下与所述透明硅胶(3)接触；步骤S5：下压所述LED芯片(4)，并静置，使所述透明硅胶(3)充满所述LED芯片(4)与所述荧光膜(21)之间，覆盖所述LED芯片(4)的四周，覆盖所述荧光膜(21)上侧并在所述荧光膜(21)的四周被所述切割道的边缘阻挡，所述透明硅胶(3)在所述LED芯片(4)四周上部到所述切割道的边缘之间形成斜角；步骤S6：对所述透明硅胶(3)进行烘烤，使其固化；步骤S7：在所述LED芯片(4)的电极一侧贴附蓝膜，使所述LED芯片(4)连同所述透明硅胶(3)以及所述荧光膜(21)在所述置晶板(1)上脱离，并进行倒膜；步骤S8：将LED芯片(4)固晶到基板(5)上，将所述LED芯片(4)底部的正电极和负电极分别与所述基板(5)上的正焊盘和负焊盘焊接；步骤S9：填充白胶(6)，所述白胶(6)填充所述透明硅胶(3)的侧面与所述基板(5)之间，填充所述荧光膜(21)的侧面与所述基板(5)之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭政伟，肖浩，滕翼龙，刘娟，包优赈，张雄，
申请(专利权)人：硅能光电半导体广州有限公司，
类型：发明
国别省市：