LED芯片巨量转移方法及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片巨量转移方法及显示面板，该转移方法包括将LED芯片的电极与第一基板结合，并移除生长基板；在第一基板上形成图案化牺牲层，包括环绕LED芯片设置的第一牺牲部、位于LED芯片背离第一基板一侧的第二牺牲部，第二牺牲部的至少相对两侧与第一牺牲部之间具有露出LED芯片至少部分的开口；在所述图案化牺牲层上形成图案化支撑层，该图案化支撑层包括连接臂，连接臂连接LED芯片与第二基板，向第二基板施加使连接臂断裂的外部力，能够使得LED芯片与第二基板分离，并转移到驱动背板上。本发明专利技术的LED芯片巨量转移方法无需采用PDMS即可进行转移，具有转移效率高、精度高、成本低的优点。成本低的优点。成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片巨量转移方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种LED芯片巨量转移方法及显示面板。

技术介绍

[0002]在微型发光二极管显示装置制备过程中，需要将生长基板上形成的发光二极管LED芯片转移到驱动背板上。现有的巨量转移方法首先采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)对暂态基板上的芯片进行粘附，接着对暂态基板上的胶材进行解粘，使得PDMS粘附起LED，从而将其转移至背板。PDMS价格昂贵，使得转移成本较高，同时PDMS具有一定的形变特性，其粘附的LED有可能会发生倾斜，导致转移到背板时产生不良，并且由于PDMS具有热释放性和化学降解性，导致暂态基板胶材的选择具有一定的局限性。
[0003]因此，有必要提供一种转移效率高、转移良率高、转移成本低的微元件的转移方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种LED芯片巨量转移方法，以提高LED芯片在巨量转移中的效率和转移良率，并降低转移成本。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]一种LED芯片巨量转移方法，包括如下步骤：
[0007]提供LED芯片阵列基板，所述LED芯片阵列基板包括生长基板和位于所述生长基板上的多个LED芯片，所述LED芯片背离所述生长基板的一侧设置有电极；
[0008]提供第一基板，将所述LED芯片的电极与所述第一基板结合，并移除所述生长基板；
[0009]在所述第一基板上形成图案化牺牲层，所述图案化牺牲层包括环绕所述LED芯片设置的第一牺牲部、位于所述LED芯片背离所述第一基板一侧的第二牺牲部，所述第二牺牲部的至少相对两侧与所述第一牺牲部之间具有开口，所述开口露出所述LED芯片的至少部分；
[0010]在所述图案化牺牲层上形成图案化支撑层，所述图案化支撑层具有镂空区，所述镂空区露出所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面，且所述图案化支撑层至少包括连接臂，所述连接臂位于所述开口处并与所述LED芯片相结合；
[0011]提供一第二基板，并将所述第二基板与所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧相结合，以形成第一中间结构；
[0012]去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第一基板，以形成第二中间结构，所述第二中间结构中的LED芯片与第二基板之间具有间隔；
[0013]提供驱动背板，将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合，并向所述第二基板施加使所述连接臂断裂的外部力，以使得所述LED芯片与所述第二基板分离，并转移到所述驱动背板上。
[0014]在本专利技术的一个技术方案中，所述LED芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面，所述第一表面为设置所述电极的表面；其中，在第一中间结构中：
[0015]所述开口至少包括第一开口区，所述第一开口区露出所述侧表面的至少部分区域；
[0016]所述连接臂的至少部分位于所述第一开口区，并与露出的所述侧表面相结合。
[0017]在本专利技术的一个技术方案中，所述开口还包括与所述第一开口区连通的第二开口区，所述第二开口区露出所述第二表面的边缘；
[0018]所述连接臂的部分位于所述第二开口区，并与露出的所述第二表面相结合。
[0019]在本专利技术的一个技术方案中，所述连接臂包括第一连接部及第二连接部；
[0020]所述第一连接部位于所述第一开口区内，并与所述侧表面和所述第一牺牲部相接触，所述第一连接部远离所述第一基板的表面与所述第二表面相平齐；
[0021]所述第二连接部位于所述第一开口区和所述第二开口区内，且覆盖所述第一连接部远离所述第一基板的表面以及露出的所述第二表面，所述第二连接部与所述第一牺牲部和所述第二牺牲部相接触。
[0022]在本专利技术的一个技术方案中，所述第二连接部远离所述第一基板的表面低于所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面；
[0023]其中，所述连接臂还包括第三连接部；所述第三连接部位于所述第一开口区，并设于所述第二连接部远离所述第一基板的一侧；所述第三连接部与所述第一牺牲部相接触，并与所述第二牺牲部之间具有间隔；且所述第三连接部远离所述第一基板的表面高于所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面或与所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面相平齐。
[0024]在本专利技术的一个技术方案中，所述第三连接部的水平宽度与所述第二连接部的竖直厚度之间的比值大于或等于2.5；和/或
[0025]所述第三连接部的水平宽度大于或等于5μm；和/或
[0026]所述第二连接部的竖直厚度的取值范围为0.5μm至2um；和/或
[0027]所述第二牺牲部的竖直厚度为1μm至5μm；和/或
[0028]所述第二开口区的水平宽度为0.5μm至4μm。
[0029]在本专利技术的一个技术方案中，所述图案化支撑层还包括支撑部，所述支撑部覆盖所述第一牺牲部远离所述第一基板的表面并与所述连接臂相接触，所述支撑部远离所述第一基板的表面与所述连接臂相接触的表面相平齐；和/或
[0030]所述图案化支撑层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种；和/或
[0031]所述开口环绕所述第二牺牲部。
[0032]在本专利技术的一个技术方案中，所述图案化牺牲层的材料包括光刻胶；
[0033]所述第一基板包括暂态基板和形成在所述暂态基板上的第一胶层，所述LED芯片的电极通过所述第一胶层结合在所述暂态基板上，所述第一胶层与所述图案化牺牲层的材料特性相同，所述第二基板包括转移基板和形成在所述转移基板上的第二胶层，所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧通过所述第二胶层与所述第二基板相结合，所述第二胶层与所述第一胶层的材料特性不同；其中，去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第
一基板，包括：
[0034]通过光刻胶剥离液同时去除所述图案化牺牲层和所述第一胶层。
[0035]在本专利技术的一个技术方案中，所述向所述第二基板施加使所述连接臂断裂的外部力，包括：所述向所述第二基板施加朝向所述驱动背板的外部力，以使所述连接臂断裂；和/或
[0036]将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合，包括：通过锡或铟金属熔融以将所述第二中间结构的电极固定于所述驱动背板的绑定区。
[0037]本专利技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括驱动背板和设置在所述驱动背板上的多个LED芯片；其中，各所述LED芯片通过如上所述的转移方法转移至所述驱动背板上。
[0038]本专利技术的有效效果：
[0039]本专利技术的LED芯片巨量转移方法通过形成连接臂，通过向第二基板施加外部力即可实现LED芯片与第二基板的分离，以及LED芯片与驱动背板的贴合，无需采用PDMS即可进行转移，并且可避免采用PDMS进行转移所存在对位不准问题的发生，具有转移效率高、精度高、成本低的优点。
[0040]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：提供LED芯片阵列基板，所述LED芯片阵列基板包括生长基板和位于所述生长基板上的多个LED芯片，所述LED芯片背离所述生长基板的一侧设置有电极；提供第一基板，将所述LED芯片的电极与所述第一基板结合，并移除所述生长基板；在所述第一基板上形成图案化牺牲层，所述图案化牺牲层包括环绕所述LED芯片设置的第一牺牲部、位于所述LED芯片背离所述第一基板一侧的第二牺牲部，所述第二牺牲部的至少相对两侧与所述第一牺牲部之间具有开口，所述开口露出所述LED芯片的至少部分；在所述图案化牺牲层上形成图案化支撑层，所述图案化支撑层具有镂空区，所述镂空区露出所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面，且所述图案化支撑层至少包括连接臂，所述连接臂位于所述开口处并与所述LED芯片相结合；提供一第二基板，并将所述第二基板与所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧相结合，以形成第一中间结构；去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第一基板，以形成第二中间结构，所述第二中间结构中的LED芯片与第二基板之间具有间隔；提供驱动背板，将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合，并向所述第二基板施加使所述连接臂断裂的外部力，以使得所述LED芯片与所述第二基板分离，并转移到所述驱动背板上。2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述LED芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面，所述第一表面为设置所述电极的表面；其中，在第一中间结构中：所述开口至少包括第一开口区，所述第一开口区露出所述侧表面的至少部分区域；所述连接臂的至少部分位于所述第一开口区，并与露出的所述侧表面相结合。3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述开口还包括与所述第一开口区连通的第二开口区，所述第二开口区露出所述第二表面的边缘；所述连接臂的部分位于所述第二开口区，并与露出的所述第二表面相结合。4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，所述连接臂包括第一连接部及第二连接部；所述第一连接部位于所述第一开口区内，并与所述侧表面和所述第一牺牲部相接触，所述第一连接部远离所述第一基板的表面与所述第二表面相平齐；所述第二连接部位于所述第一开口区和所述第二开口区内，且覆盖所述第一连接部远离所述第一基板的表面以及露出的所述第二表面，所述第二连接部与所述第一牺牲部和所述第二牺牲部相接触。5.根据权利要求4所述的转移方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲洋，郑浩旋，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：