微型发光二极管的巨量转移方法技术

本申请提供一种微型发光二极管的巨量转移方法，包括以下步骤：提供原生基板，所述原生基板上设有多个第一发光二极管；在所述第一发光二极管上形成临时基板；移除所述原生基板；翻转所述临时基板后在所述第一发光二极管上形成第一热解胶层；移除所述临时基板，得到第一中间体；提供第二中间体，包括第二热解胶层以及多个第二发光二极管；提供第三中间体，包括第三热解胶层以及多个第三发光二极管；将所述第一中间体、所述第二中间体以及所述第三中间体分别与目标基板对位并压合；以及加热以移除所述第一热解胶层、所述第二热解胶层和所述第三热解胶层，以实现所述发光二极管的转移。本申请的巨量转移方法具有较高的对位准度。本申请的巨量转移方法具有较高的对位准度。本申请的巨量转移方法具有较高的对位准度。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管的巨量转移方法


[0001]本申请涉及微型发光二极管转移
，尤其涉及一种微型发光二极管的巨量转移方法。

技术介绍

[0002]相比传统显示器，微型发光二极管(Micro LED)具有更佳的色彩对比度、更快的响应速度以及更低的能耗等优点，因此日益受到更多客户的青睐。在发光二极管的制备流程中，通常需要将原生基板上的微型发光二极管批量式转移到目标基板上，并进行封装。如何将数以万计颗微小尺寸的发光二极管准确转移到目标基板上并保证较高的对位准度是巨量转移的主要目标，由此，巨量转移(Mass Transfer)技术也应运而生。然而，现有技术中用于巨量转移的方法具有操作复杂、设备成本较高以及对位准度较低的缺点。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供一种对位准度较高的微型发光二极管的巨量转移方法。
[0004]本申请一实施例提供一种微型发光二极管的巨量转移方法，包括以下步骤：
[0005]提供原生基板，所述原生基板上设有多个第一发光二极管；
[0006]在所述第一发光二极管上形成临时基板；
[0007]移除所述原生基板；
[0008]翻转所述临时基板后在所述第一发光二极管上形成第一热解胶层；
[0009]移除所述临时基板，得到第一中间体；
[0010]提供第二中间体，包括第二热解胶层以及设于所述第二热解胶层上的多个第二发光二极管；
[0011]提供第三中间体，包括第三热解胶层以及设于所述第三热解胶层上的多个第三发光二极管；<br/>[0012]将所述第一中间体、所述第二中间体以及所述第三中间体分别与目标基板对位并压合；以及
[0013]加热以移除所述第一热解胶层、所述第二热解胶层和所述第三热解胶层，以实现所述发光二极管的转移。
[0014]本申请通过将所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管分别粘结到所述第一热解胶层、所述第二热解胶层和所述第三热解胶层上，并将所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管转移到所述目标基板上，由于所述第一热解胶层、所述第二热解胶层和所述第三热解胶层的限位功能，因此可减少在后续加热过程中所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管发生偏移、立碑以及翘曲不良现象的机率，从而提高了所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管在转移过程中的对位准度。
附图说明
[0015]图1是本申请一实施例提供的原生基板以及第一发光二极管的结构示意图。
[0016]图2是在图1所示的第一发光二极管上形成临时基板后的结构示意图。
[0017]图3是在图2所示的原生基板移除后的结构示意图。
[0018]图4是本申请一实施例提供的第一热解胶层的结构示意图。
[0019]图5是在图4所示的第一热解胶层中开设第一对位孔、第一通孔以及第二通孔后的结构示意图。
[0020]图6是将图5所示的临时基板翻转后在第一发光二极管上贴合第一热解胶层后的结构示意图。
[0021]图7是将图6所示的临时基板移除后的结构示意图。
[0022]图8是本申请一实施例提供的第二中间体的结构示意图。
[0023]图9是本申请一实施例提供的第三中间体的结构示意图。
[0024]图10是本申请一实施例提供的基体的结构示意图。
[0025]图11是在图10所示的基体中开设基准孔，并在基体上形成导电线路层后的结构示意图。
[0026]图12是在图11所示的第一连接垫、第二连接垫以及第三连接垫上分别形成导电膏后的结构示意图。
[0027]图13是将图7所示的第一中间体与图12所示的目标基板对位时的结构示意图。
[0028]图14是将图13所示的第一中间体与目标基板压合后的结构示意图。
[0029]图15是将图8所示的第二中间体与图14所示的目标基板对位时的结构示意图。
[0030]图16是将图15所示的第二中间体与目标基板压合后的结构示意图。
[0031]图17是将图9所示的第三中间体与图16所示的目标基板对位时的结构示意图。
[0032]图18是将图17所示的第三中间体与目标基板压合后的结构示意图。
[0033]主要元件符号说明
[0034]原生基板
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[0035]第一发光二极管
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[0036]第一本体
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[0037]第一电极
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[0038]第二电极
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[0039]临时基板
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[0040]第一热解胶层
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[0041]第一对位孔
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[0042]第一通孔
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[0043]第二通孔
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[0044]第一中间体
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[0045]第二中间体
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[0046]第二热解胶层
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[0047]第二对位孔
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[0048]第三通孔
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[0049]第四通孔
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[0050]第二发光二极管
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[0051]第二本体
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[0052]第三电极
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[0053]第四电极
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[0054]第三中间体
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[0055]第三热解胶层
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供原生基板，所述原生基板上设有多个第一发光二极管；在所述第一发光二极管上形成临时基板；移除所述原生基板；翻转所述临时基板后在所述第一发光二极管上形成第一热解胶层；移除所述临时基板，得到第一中间体；提供第二中间体，包括第二热解胶层以及设于所述第二热解胶层上的多个第二发光二极管；提供第三中间体，包括第三热解胶层以及设于所述第三热解胶层上的多个第三发光二极管；将所述第一中间体、所述第二中间体以及所述第三中间体分别与目标基板对位并压合；以及加热以移除所述第一热解胶层、所述第二热解胶层和所述第三热解胶层，以实现所述发光二极管的转移。2.如权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述第一热解胶层、所述第二热解胶层以及所述第三热解胶层中还分别设有第一对位孔、第二对位孔以及第三对位孔，所述目标基板中设有基准孔，所述第一对位孔、所述第二对位孔和所述第三对位孔分别用于与所述基准孔对准以实现所述第一中间体、所述第二中间体以及所述第三中间体与所述目标基板之间的对位。3.如权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，在同一温度条件下，所述第一热解胶层、所述第二热解胶层和所述第三热解胶层的粘度依次降低。4.如权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述第一发光二极管发红光、所述第二发光二极管发绿光、所述第三发光二极管发蓝光。5.如权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述第一热解胶层中设有多个第一通孔以及多个第二通孔，所述第二热解胶层中设有第三通孔以及第四通孔，所述第三热解胶层中设有第五通孔以及第六通孔，将所述第一中间体、所述第二中间体以及所述第三中间体分别与所述目标基板对位并压合...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盈儒，杨景筌，鞠彦章，
申请(专利权)人：鹏鼎控股深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：