显示装置的制造方法制造方法及图纸

在显示装置的制造方法中，提高使用激光照射将LED芯片与半导体基板分离时的合格率。显示装置的制造方法包括：准备具有配置成M行

【技术实现步骤摘要】
显示装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个实施方式涉及显示装置的制造方法。尤其涉及安装有LED(Light Emitting Diode)芯片的显示装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，作为下一代显示装置，在各像素安装有微小的LED芯片的LED显示器的开发不断有进展。LED显示器具有在构成像素阵列的电路基板上安装有多个LED芯片的构造。电路基板在与各像素对应的位置，具有用于使LED发光的驱动电路。这些驱动电路分别与各LED芯片电连接。
[0003]在将多个LED芯片安装于电路基板上的方法中，具有各种各样的方法。例如，已知一种在将设于支承基板的LED芯片粘结到电路基板后仅除去支承基板的方法。例如，在专利文献1中，记载了将LED芯片粘结到电路基板上后使用被称为激光剥离(LLO)的方法从支承基板分离LED芯片的技术。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利第10096740号说明书

技术实现思路

[0007]本专利技术的课题之一在于提高使用激光照射将LED芯片与半导体基板分离时的合格率。
[0008]本专利技术的一个实施方式中的显示装置的制造方法包括：准备具有配置成M行
×
N列(M、N为1以上的整数)的多个LED芯片的第1基板；将上述第1基板经由上述多个LED芯片粘结到第2基板；通过选择性地对上述多个LED芯片中的第1组的LED芯片照射激光，将上述第1组的LED芯片从上述第1基板分离；通过选择性地对上述多个LED芯片中的第2组的LED芯片照射激光，将上述第2组的LED芯片从上述第1基板分离，在以(Mx，Ny)表示上述第1组的LED芯片的各位置时，上述第2组的LED芯片的各位置以(Mx
±
1，Ny)或(Mx，Ny
±
1)表示。
附图说明
[0009]图1是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的流程图。
[0010]图2是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0011]图3是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0012]图4是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0013]图5是用于说明第1实施方式中的第1组的LED及第2组的LED的配置的俯视图。
[0014]图6是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0015]图7是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0016]图8A是表示在第1实施方式中的显示装置的制造方法中粘结于载体基板的LED芯
片的状态的俯视图。
[0017]图8B是表示在比较例中的显示装置的制造方法中粘结于载体基板的LED芯片的状态的俯视图。
[0018]图9是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0019]图10是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0020]图11是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0021]图12是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0022]图13是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0023]图14是表示第1实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0024]图15是表示第1实施方式中的显示装置的概略结构的俯视图。
[0025]图16是表示第1实施方式的显示装置的电路结构的框图。
[0026]图17是表示第1实施方式的显示装置的像素电路的结构的电路图。
[0027]图18是表示第1实施方式的显示装置的像素的结构的剖视图。
[0028]图19是用于说明第2实施方式中的第1组的LED、第2组的LED、第3组的LED及第4组的LED的配置的俯视图。
[0029]图20是用于说明第3实施方式中的第1组的LED及第2组的LED的配置的俯视图。
[0030]图21是用于说明第3实施方式中的第1组的LED及第2组的LED的配置的俯视图。
[0031]图22是表示第5实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0032]图23是表示第5实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0033]图24是表示第5实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0034]图25是表示第5实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0035]图26是表示第5实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0036]图27是表示第5实施方式中的显示装置的制造方法的剖视图。
[0037]附图标记说明
[0038]10
…
显示装置，11
…
绝缘基板，12
…
半导体层，13
…
栅极绝缘层，14
…
栅电极，15
…
绝缘层，16
…
源电极，17
…
漏电极，18
…
布线，19
…
平坦化层，20
…
连接布线，21
…
绝缘层，22
…
阳极，23
…
阴极，24
…
平坦化层，25a、25b
…
安装焊盘，30、35
…
遮光掩模，30a、35a
…
开口部，40、50
…
激光，100
…
电路基板，101
…
基板，102
…
驱动电路，103、103a、103b
…
连接电极，110、110R、110G、110B
…
像素，112
…
显示区域，114
…
周边区域，116
…
端子区域，120、120R、120G、120B
…
像素电路，121
…
数据线，122
…
栅极线，123
…
阳极电源线，124
…
阴极电源线，126
…
选择晶体管，127
…
驱动晶体管，128
…
保持电容，130
…
数据驱动电路，140
…
栅极驱动电路，150
…
端子部，151、152
…
连接布线，160
…
柔性印刷电路基板，170
…
IC芯片，200
…
元件基板，201
…
半导体基板，202、202R、202G、202B
…
LED芯片，202Ra
…
第1组的LED芯片，202Rb
…
第2组的LED芯片，202Rc
…
第3组的LED芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：准备具有配置成M行
×
N列的多个LED芯片的第1基板，其中M、N为1以上的整数；将所述第1基板经由所述多个LED芯片粘结于第2基板；通过选择性地对所述多个LED芯片中的第1组的LED芯片照射激光，将所述第1组的LED芯片从所述第1基板分离；通过选择性地对所述多个LED芯片中的第2组的LED芯片照射激光，将所述第2组的LED芯片从所述第1基板分离，在以(Mx，Ny)表示所述第1组的LED芯片的各位置时，所述第2组的LED芯片的各位置以(Mx
±
1，Ny)或(Mx，Ny
±
1)表示。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：通过选择性地对所述多个LED芯片中的第3组的LED芯片照射激光，将所述第3组的LED芯片从所述第1基板分离；通过选择性地对所述多个LED芯片中的第4组的LED芯片照射激光，将所述第4组的LED芯片从所述第1基板分离。3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在以(Mx，Ny)表示所述第1组的LED芯片的各位置时，所述第2组的LED芯片的各位置以(Mx
±

【专利技术属性】
技术研发人员：浅田圭介，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：