一种深紫外LED芯片的返工方法技术

本发明专利技术公开了一种深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；对深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；采用BOE溶液浸泡深紫外LED芯片；对深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；采用返工液浸泡深紫外LED芯片；清水冲洗深紫外LED芯片，返回进行制程工序。本发明专利技术通过一次酸浸

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED芯片的返工方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是一种深紫外LED芯片的返工方法。

技术介绍

[0002]目前，深紫外LED在芯片生产过程中存在一定比例的外延片未能达到预期的制程要求，需要对这些不佳的外延片进行制程返工工序，但目前没有较好的制程返工手段，其原因在于，深紫外LED外延片主要基于AlGaN材料，在外延生长过程中含有大量的Al，且深紫外LED的p型层一般也为高Al组分的AlGaN，从而使得Al容易残留在外延片的表层，对制程返工后的效果造成影响。如果使用强酸或者强碱浸泡外延片，以除去外延片表面多余的Al，所需时间较长，则会对深紫外LED外延片造成不可逆的损伤，从而对返工后的深紫外LED外延片的发光效果造成影响。故需要提出一种新的返工方法用于解决现有返工手段的不足。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于，提供一种深紫外LED芯片的返工方法，用于解决深紫外LED外延片采用制程返工方法易对外延片造成不可逆损伤的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：S1，清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；S2，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；S3，采用BOE溶液浸泡经过S2步骤后的深紫外LED芯片；S4，对经过S3步骤后的深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；S5，采用返工液浸泡经过S4步骤后的深紫外LED芯片；S6，清水冲洗经过S4步骤后的深紫外LED芯片，返回进行制程工序。
[0005]优选的，S1步骤和S6步骤中，采用99.99％的去离子水进行清水冲洗，且单次冲洗时间大于10min。
[0006]优选的，S1步骤中，采用王水进行一次酸浸泡处理，浸泡时间为2～4h。
[0007]优选的，S2步骤中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应等离子体刻蚀工艺，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片表面金属和有机物进行刻蚀。
[0008]优选的，S2步骤中，采用等离子去胶机对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行轰击，刻蚀时间为1～5000s。
[0009]优选的，S3步骤中，BOE溶液为氟化铵腐蚀液，且氟化铵与溶剂的质量比为1：20，BOE溶液的浸泡时间为1～5000s。
[0010]优选的，S4步骤中，采用ITO溶液进行二次酸浸泡处理，ITO溶液包括盐酸和三氯化铁，二次酸浸泡处理的时间为1～5000s。
[0011]优选的，ITO溶液中盐酸的质量占比为5～30％，三氯化铁的质量占比为5～30％。
[0012]优选的，S5步骤中，返工液以质量百分数计包括如下组分：无机酸1～10％，氟化物1～10％，分散剂0.1～10％，溶剂70～80％。
[0013]优选的，S5步骤中，返工液浸泡时间为0.1～4h。
[0014]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种深紫外LED芯片
的返工方法，通过一次酸浸
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表面刻蚀
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BOE溶液浸泡
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二次酸浸
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返工液浸泡的工艺，逐步除去待返工外延片的表层结构，同时避免对外延片造成不可逆的损伤，使经返工后的外延片发光效果接近与正常外延片的发光效果，有效避免了传统强酸或强碱浸泡时间长，易造成损伤的问题。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0016]本专利技术所提供的深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：
[0017]S1，清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理。本步骤中，先采用99.99％的去离子水进行清水冲洗，可进行多次冲洗，且单次冲洗时间大于10min；然后采用王水进行一次酸浸泡处理，浸泡时间为2～4h。
[0018]S2，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理。本步骤中，可采用电感耦合等离子体刻蚀工艺(ICP)、反应等离子体刻蚀工艺(RIE)等刻蚀工艺，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片表面金属和有机物进行刻蚀；例如，采用等离子去胶机对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行轰击，刻蚀时间为1～5000s。
[0019]S3，采用BOE溶液浸泡经过S2步骤后的深紫外LED芯片。本步骤中，BOE溶液为氟化铵腐蚀液，且氟化铵与溶剂的质量比为1：20，BOE溶液的浸泡时间为1～5000s，采用BOE溶液浸泡是为了除去深紫外LED芯片的隔离层。
[0020]S4，对经过S3步骤后的深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理。本步骤中，采用ITO溶液进行二次酸浸泡处理，目的在于除去P型电极。其中，ITO溶液包括盐酸和三氯化铁，二次酸浸泡处理的时间为1～5000s；ITO溶液中盐酸的质量占比为5～30％，三氯化铁的质量占比为5～30％。
[0021]S5，采用返工液浸泡经过S4步骤后的深紫外LED芯片。本步骤中，返工液以质量百分数计包括如下组分：无机酸1～10％，氟化物1～10％，分散剂0.1～10％，溶剂70～80％；返工液浸泡时间为0.1～4h，目的在于除去N型电极。
[0022]S6，清水冲洗经过S4步骤后的深紫外LED芯片，返回进行制程工序。本步骤中，采用99.99％的去离子水再次进行清水冲洗，洗掉深紫外LED芯片表面的残留溶液，可进行多次冲洗，且单次冲洗时间大于10min，洗净后的深紫外LED芯片返回进行常规制程，从而实现对深紫外LED芯片的制程返工。
[0023]下面通过具体实施例和对比例，对前述深紫外LED芯片的返工方法的实施效果进行分析阐述。
[0024]实施例1
[0025]本实施例中深紫外LED芯片的返工步骤具体如下：
[0026](1)使用清水冲洗需要返工的外延片，冲洗2次，每次30min。
[0027](2)使用王水对外延片进行一次酸浸泡处理，浸泡时间2h。
[0028](3)使用等离子去胶机轰击经过一次酸浸泡处理后的外延片，刻蚀时间1800s。
[0029](4)采用氟化铵、氢氟酸、溶剂配制BOE溶液，氟化铵含量38％，氢氟酸含量2.42％，使用BOE溶液浸泡经过刻蚀后的外延片，刻蚀时间1800s。
[0030](5)采用盐酸、三氯化铁、溶剂配制ITO溶液，盐酸含量14％，三氯化铁18％，使用ITO溶液进行二次酸浸泡处理，浸泡时间1800s。
[0031](6)采用溶剂、分散剂、无机酸、氟化物、水配制返工液，其中无机酸含量4％，氟化物含量4％，使用返工液对经过刻蚀后的外延片进行二次酸浸泡处理，浸泡时间4h。
[0032](7)使用清水冲洗需要返工的外延片，冲洗2次，每次30分钟。返工流程结束后，重新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；S2，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；S3，采用BOE溶液浸泡经过S2步骤后的深紫外LED芯片；S4，对经过S3步骤后的深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；S5，采用返工液浸泡经过S4步骤后的深紫外LED芯片；S6，清水冲洗经过S4步骤后的深紫外LED芯片，返回进行制程工序。2.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S1步骤和S6步骤中，采用99.99％的去离子水进行清水冲洗，且单次冲洗时间大于10min。3.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S1步骤中，采用王水进行一次酸浸泡处理，其浸泡时间为2～4h。4.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S2步骤中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应等离子体刻蚀工艺，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片表面金属和有机物进行刻蚀。5.根据权利要求4所述深紫外LED芯片的返工方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱小龙，罗红波，王梦祥，张会雪，陈景文，
申请(专利权)人：湖北深紫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：