一种高色纯度光源制造技术

本申请涉及发光器件技术领域，特别涉及一种高色纯度光源，包括基板以及芯片组件，芯片组件至少包括设置于基板的第一芯片以及第二芯片，还包括用于隔开第一芯片以及第二芯片的围挡，围挡设置于基板，围挡位于第一芯片以及第二芯片之间，第一芯片用于配合工艺形成荧光层，荧光层位于第一芯片上

【技术实现步骤摘要】
一种高色纯度光源


[0001]本申请涉及发光器件
，特别是涉及一种高色纯度光源
。

技术介绍

[0002]LED
光源一般指的是发光二极管光源，其具有体积小
、
寿命长
、
效率高等优点，可连续使用长达
10
万个小时，被广泛地应用于照明领域中
。
多色
LED
光源是最常见的
LED
光源，其一般包括基板以及设置在基板上的多个不同色光的芯片，在通电后能发射多种色光
。
[0003]在
LED
光源的封装过程中，一般先在基板上固晶多个色光芯片，随后对基板上的一个或多个色光芯片进行喷粉
、
点胶或贴膜工艺，在色光芯片上形成荧光层，而在对某一色光芯片进行相关工艺时，荧光层容易溅射或溢出至相邻的色光芯片上，造成这些色光芯片在工作时发光的色纯度降低；同时，由于基板上的色光芯片都处于同一水平高度，相邻色光芯片容易相互交叉影响，造成光源发出的色光的色纯度无法达到要求
。

技术实现思路

[0004]为了改善相关技术中的
LED
光源在封装时色纯度不佳的问题，本技术提供一种高色纯度光源
。
[0005]一种高色纯度光源，包括基板以及芯片组件，所述芯片组件至少包括设置于所述基板的第一芯片以及第二芯片，还包括用于隔开所述第一芯片以及第二芯片的围挡，所述围挡设置于所述基板，所述围挡位于所述第一芯片以及所述第二芯片之间，所述第一芯片用于配合工艺形成荧光层，所述荧光层位于所述第一芯片上
。
[0006]进一步的，所述围挡将所述第二芯片包围，所述围挡的高度为
300
‑
600
μ
m
，所述围挡高于所述荧光层
。
[0007]进一步的，所述围挡与所述第二芯片的间隔大于或等于
50
μ
m。
[0008]进一步的，所述围挡上设置有透明胶层，所述透明胶层粘合于所述围挡的内边缘，所述透明胶层覆盖于所述第二芯片的上方
。
[0009]进一步的，所述基板具有用于安装所述芯片组件的发光区域，所述第一芯片以及所述第二芯片位于所述发光区域内
。
[0010]进一步的，所述芯片组件还包括第三芯片以及第四芯片，所述第三芯片以及第四芯片设置在所述发光区域中，所述第三芯片以及第四芯片位于所述第二芯片远离所述第一芯片的一侧
。
[0011]进一步的，还包括围坝胶层，所述围坝胶层设置在所述基板上，所述围坝胶层将所述发光区域包围，所述围坝胶层的高度大于所述芯片组件的高度
。
[0012]进一步的，还包括透明胶覆盖层，所述透明胶覆盖层涂覆于所述围坝胶层内并覆盖所述芯片组件
。
[0013]本技术，具有以下优点：
[0014]1.
本技术的一种高色纯度光源，通过设置基板以及芯片组件，并通过在第一
芯片以及第二芯片之间设置围挡，第一芯片在进行喷涂
、
点胶或贴膜工艺时，荧光层不易溅射或溢出至第二芯片处，从而有效避免对第二芯片的色纯度造成影响；同时，第二芯片与第一芯片在使用时，色光不易交叉发射影响，从而提升第一芯片以及第二芯片等发光器件的色纯度，继而改善相关技术中的
LED
光源在封装时色纯度无法达到要求的问题
。
[0015]2.
本技术的一种高色纯度光源，还在围挡上设置透明胶层，通过设置透明胶层，透明胶层覆盖在第二芯片上，能进一步对第二芯片进行保护，避免第二芯片受到影响，从而增加第二芯片的色纯度
。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0017]图1为本申请实施例一种高色纯度光源的结构示意图；
[0018]图2为图1中
A
部分的局部放大示意图
。
[0019]附图标记说明：
[0020]1、
基板；
11、
发光区域；
2、
芯片组件；
21、
第一芯片；
211、
荧光层；
22、
第二芯片；
23、
第三芯片；
24、
第四芯片；
3、
围挡；
4、
透明胶层；
5、
围坝胶层；
6、
透明胶覆盖层
。
具体实施方式
[0021]为使本申请的上述目的
、
特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明
。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请
。
但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制
。
[0022]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制
。
[0023]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征
。
在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定
。
[0024]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义
。
[0025]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以
是第一和第二特征直接接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高色纯度光源，包括基板
(1)
以及芯片组件
(2)
，所述芯片组件
(2)
至少包括设置于所述基板
(1)
的第一芯片
(21)
以及第二芯片
(22)
，其特征在于，还包括用于隔开所述第一芯片
(21)
以及第二芯片
(22)
的围挡
(3)
，所述围挡
(3)
设置于所述基板
(1)
，所述围挡
(3)
位于所述第一芯片
(21)
以及所述第二芯片
(22)
之间，所述第一芯片
(21)
用于配合工艺形成荧光层
(211)
，所述荧光层
(211)
位于所述第一芯片
(21)
上；所述围挡
(3)
将所述第二芯片
(22)
包围，所述围挡
(3)
的高度为
300
‑
600
μ
m
，所述围挡
(3)
高于所述荧光层
(211)。2.
根据权利要求1所述的一种高色纯度光源，其特征在于，所述围挡
(3)
与所述第二芯片
(22)
的间隔大于或等于
50
μ
m。3.
根据权利要求1所述的一种高色纯度光源，其特征在于，所述围挡
(3)
上设置有透明胶层
(4)
，所述透明胶层
(4)
粘合于所述围挡
(3)
的内边缘，所述透明胶层
(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明珠，苏佳槟，李春莲，
申请(专利权)人：硅能光电半导体广州有限公司，
类型：新型
国别省市：