本申请公开了一种晶圆传送装置和晶圆传送方法，涉及半导体设备制造领域。其中，晶圆传送装置包括处理腔室、导气管道和加热组件，本申请实施例通过在处理腔室的腔室内壁与外壳之间设置导气管道并在导气管道与腔室内壁间设置加热组件，使传送装置启动后通过加热组件对处理腔室和导气管道同时进行加热以起到气体烘干的效果，减少晶圆上的残留腐蚀气体在传送过程中冷凝生成聚合物。由此降低对晶圆传送装置造成污染和腐蚀，在保护晶圆传送装置的同时提高产品良率、降低运营成本。降低运营成本。降低运营成本。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆传送装置和晶圆传送方法
[0001]本申请实施例涉及半导体设备制造领域，具体涉及一种晶圆传送装置和晶圆传送方法。
技术介绍
[0002]半导体设备的工艺生产中，为提高产品良率多通过传送装置将晶圆传送至工艺腔室进行处理。传送装置内设有气闸腔室(Airlock)和真空传送腔室(VTM)。具体通过将晶圆传送至气闸腔室进行如清洁、预热等预处理后，经真空传送腔室将晶圆传送至工艺腔室进行工艺处理。待工艺处理结束再由真空传送腔室将晶圆取出并传送至气闸腔室进行降温、清洁等处理操作，以降低晶圆在工艺腔室内的停留时间，提高生产效率。
[0003]然而晶圆在工艺处理结束后会附着部分工艺残留气体，这些残留气体会随着晶圆在各腔室间传送的过程中带入腔室内，并产生遇冷凝结的聚合物。这些聚合物不仅会对传送装置的零部件造成污染和腐蚀，还会在晶圆表面附着，影响产品良率。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种晶圆传送装置和晶圆传送方法，用于对晶圆上的残留气体进行处理以降低晶圆传送过程中聚合物的产生，在保护晶圆传送装置的同时提高产品良率。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种晶圆传送装置，所述装置包括：
[0006]处理腔室，包括气闸腔室和真空传送腔室；所述气闸腔室用于对晶圆进行预处理，所述真空传送腔室用于将预处理后的晶圆传送至工艺腔室进行工艺处理；
[0007]导气管道，位于所述处理腔室的腔室内壁与外壳之间，用于向所述处理腔室内通入第一指定气体以平衡所述处理腔室内外的气压；
[0008]加热组件，位于所述导气管道与所述腔室内壁之间，用于对所述处理腔室和所述导气管道进行加热。
[0009]在一些可能的实施例中，所述导气管道与所述处理腔室连通的一端设有扩散器，所述扩散器用于将所述导气管道内的第一指定气体通入所述处理腔室。
[0010]在一些可能的实施例中，所述扩散器外套设有清洁组件，所述清洁组件为连接动力装置的镂空网状套筒，所述动力装置与所述镂空网状套筒通过可旋转连杆结构连接，所述可旋转连杆结构在所述动力装置驱动下带动所述镂空网状套筒旋转；其中，所述导气管道内的第一指定气体通过所述镂空网状套筒的镂空区域通入所述处理腔室。
[0011]在一些可能的实施例中，所述镂空区域内包含均匀分布的镂空孔洞，所述镂空孔洞的形状为圆形、椭圆形、扇形以及正多边形中的至少一种，所述镂空孔洞的尺寸为3
‑
6毫米，相邻镂空孔洞的孔洞中心间距为6
‑
12毫米。
[0012]在一些可能的实施例中，所述处理腔室内设有排气装置，所述排气装置用于排除所述处理腔室内的气体。
[0013]在一些可能的实施例中，所述处理腔室内还设有气体检测装置，所述气体检测装置与所述排气装置的排气口相邻；
[0014]所述气体检测装置用于检测所述处理腔室内的第二指定气体的浓度，所述第二指定气体为对所述晶圆传送装置具备腐蚀性的腐蚀气体。
[0015]在一些可能的实施例中，所述加热组件的表面覆盖有保温层。
[0016]在一些可能的实施例中，所述保温层的材质为舒乐板、发泡水泥板、无机防火保温砂浆、网格布、纤维棉、酚醛泡沫中的任一种。
[0017]第二方面，本申请实施例提供一种晶圆传送方法，所述方法包括：
[0018]在晶圆传输过程中通过所述加热组件对所述处理腔室和所述导气管道进行加热，以挥发所述处理腔室内的气体；
[0019]在所述加热过程中对所述处理腔室内的第二指定气体的浓度进行检测，并根据检测到的第二指定气体的浓度调整所述加热组件的功率；所述第二指定气体为对所述晶圆传送装置具备腐蚀性的腐蚀气体。
[0020]在一些可能的实施例中，所述处理腔室内设有排气装置，所述排气装置用于对所述处理腔室执行排气操作；所述方法还包括：
[0021]检测所述晶圆传送装置内的晶圆传送状态，若检测到所述晶圆由大气环境传输至所述处理腔室，则在预设时段内控制所述排气装置执行排气操作。
[0022]在一些可能的实施例中，所述在所述加热过程中对所述处理腔室内的第二指定气体的浓度进行检测，并根据检测到的第二指定气体的浓度调整所述加热组件的功率，包括：
[0023]若所述第二指定气体的浓度小于浓度阈值，则控制所述加热组件采用第一加热功率执行加热操作；
[0024]若所述第二指定气体的浓度大于或等于所述浓度阈值，则控制所述加热组件采用第二加热功率执行加热操作；所述第二加热功率大于所述第一加热功率。
[0025]在一些可能的实施例中，所述第一加热功率使得所述处理腔室内的温度被设置为43℃
‑
47℃。
[0026]在一些可能的实施例中，所述第二加热功率使得所述处理腔室内的温度被设置为53℃
‑
57℃。
[0027]在一些可能的实施例中，所述方法还包括：
[0028]控制所述加热组件采用第二加热功率执行加热操作的过程中，若检测到所述第二指定气体的浓度小于所述浓度阈值，则控制所述加热组件采用所述第二加热功率加热预设时间后变更为采用所述第一加热功率执行加热操作。
[0029]在一些可能的实施例中，所述方法还包括：
[0030]在所述加热组件执行加热操作后的指定时间内控制清洁组件进行旋转；其中，所述导气管道与所述处理腔室连通的一端设有扩散器，所述扩散器用于将所述导气管道内的第一指定气体通入所述处理腔室；
[0031]所述扩散器外套设有清洁组件，所述清洁组件为连接动力装置的镂空网状套筒，所述动力装置与所述镂空网状套筒通过可旋转连杆结构连接，所述可旋转连杆结构在所述动力装置驱动下带动所述镂空网状套筒旋转；所述导气管道内的第一指定气体通过所述镂空网状套筒的镂空区域通入所述处理腔室。
[0032]在一些可能的实施例中，所述在所述加热组件执行加热操作后的指定时间内控制清洁组件进行旋转，包括：
[0033]控制所述加热组件以所述第一加热功率执行加热操作后的所述指定时间内控制所述动力装置采用第一驱动功率驱动所述镂空网状套筒旋转；
[0034]控制所述加热组件以所述第二加热功率执行加热操作后的所述指定时间内控制所述动力装置采用第二驱动功率驱动所述镂空网状套筒旋转；所述第二驱动功率大于所述第一驱动功率。
[0035]在一些可能的实施例中，所述第一驱动功率使得所述镂空网状套筒的旋转速度被设置为每分钟55
‑
65转。
[0036]在一些可能的实施例中，所述第二驱动功率使得所述镂空网状套筒的旋转速度被设置为每分钟115
‑
125转。
[0037]本申请实施例提供了一种晶圆传送装置和晶圆传送方法，其中，晶圆传送装置包括处理腔室、导气管道和加热组件，本申请实施例通过在处理腔室的腔室内壁与外壳之间设置导气管道并在导气管道与腔室内壁间设置加热组件，使晶圆传送装置启动后通过加热组件对处理腔室和导气管道同时进行加热以起到本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送装置，其特征在于，所述晶圆传送装置包括：处理腔室，包括气闸腔室和真空传送腔室；所述气闸腔室用于对晶圆进行预处理，所述真空传送腔室用于将预处理后的晶圆传送至工艺腔室进行工艺处理；导气管道，位于所述处理腔室的腔室内壁与外壳之间，用于向所述处理腔室内通入第一指定气体以平衡所述处理腔室内外的气压；加热组件，位于所述导气管道与所述腔室内壁之间，用于对所述处理腔室和所述导气管道进行加热。2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述导气管道与所述处理腔室连通的一端设有扩散器，所述扩散器用于将所述导气管道内的第一指定气体通入所述处理腔室。3.根据权利要求2所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述扩散器外套设有清洁组件，所述清洁组件为连接动力装置的镂空网状套筒，所述动力装置与所述镂空网状套筒通过可旋转连杆结构连接，所述可旋转连杆结构在所述动力装置驱动下带动所述镂空网状套筒旋转；其中，所述导气管道内的第一指定气体通过所述镂空网状套筒的镂空区域通入所述处理腔室。4.根据权利要求3所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述镂空区域内包含均匀分布的镂空孔洞，所述镂空孔洞的形状为圆形、椭圆形、扇形以及正多边形中的至少一种，所述镂空孔洞的尺寸为3
‑
6毫米，相邻镂空孔洞的孔洞中心间距为6
‑
12毫米。5.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述处理腔室内设有排气装置，所述排气装置用于排除所述处理腔室内的气体。6.根据权利要求5所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述处理腔室内还设有气体检测装置，所述气体检测装置与所述排气装置的排气口相邻；所述气体检测装置用于检测所述处理腔室内的第二指定气体的浓度，所述第二指定气体为对所述晶圆传送装置具备腐蚀性的腐蚀气体。7.根据权利要求1
‑
6中任一所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述加热组件的表面覆盖有保温层。8.一种晶圆传送方法，其特征在于，应用于权利要求1
‑
7中任一所述的晶圆传送装置，所述晶圆传送方法包括：在晶圆传输过程中通过所述加热组件对所述处理腔室和所述导气管道进行加热，以挥发所述处理腔室内的气体；在所述加热过程中对所述处理腔室内的第二指定气体的浓度进行检测，并根据检测到的第二指定气体的浓度调整所述加热组件的功率；所述第二指定气体为对所述晶圆传送装置具备腐蚀性的腐蚀气体。9.根据权利要求8所述的晶圆传送方法，其特征在于，所述处理腔室内设有排气装置，所述排气装置用于对所述处理腔室执行排气操作；所述晶圆传送方法还包括：检测所述晶圆传送装置内的晶圆传...
【专利技术属性】
技术研发人员：周斌，陈新，谭志豪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。