用于多管芯操作的峰值功率管理制造技术

提供了一种用于两个NAND存储管芯的峰值功率管理(PPM)方法。每个NAND存储管芯包括具有保持在所述两个NAND存储管芯之间所共有的电势的PPM接触焊盘的PPM电路。该方法包括以下步骤：在用于第一NAND存储管芯的第一峰值功率检查(PPC)例程期间检测电势；如果所检测到的电势处于高于第二电压电平的第一电压电平，则将电势驱动到第二电压电平；如果未检测到暂停信号，则在电势中生成暂停信号，以暂停用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程；以及在第一NAND存储管芯完成了第一峰值功率操作之后，在电势中生成恢复信号，以恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。管芯的第二PPC例程。管芯的第二PPC例程。

【技术实现步骤摘要】
用于多管芯操作的峰值功率管理
[0001]本申请是针对申请日为2021年02月07日，申请号为PCT/CN2021/075725，专利技术名称为用于多管芯操作的峰值功率管理的专利的分案申请。


[0002]本公开总体上涉及半导体
，并且更具体地涉及用于存储系统中的峰值功率管理的电路设计和方法。

技术介绍

[0003]在很多服务器和移动设备中，NAND存储系统因其高存储密度和相对低的访问延迟而被广泛用作主要的非易失性存储设备。然而，高密度存储系统(例如，三维(3D)NAND存储系统)的性能往往受到其能够使用的最大量的功率(或峰值电流)的限制。当前，可以通过系统控制器使由NAND存储系统的各种存储管芯执行的消耗高功率的操作(例如，峰值功率操作)错开。只有有限数量的峰值功率操作能够同时执行。该方法还可能因不必要的过度管理而导致增加的系统负荷。希望在不同的存储管芯之间建立通信，以协调峰值功率操作。在本公开中，可以通过每个存储管芯上的峰值功率管理(PPM)电路布置两个或更多个存储管芯之间的协作，其中，可以使PPM电路的PPM接触焊盘保持在相同的电势上。可以通过调节PPM接触焊盘的电势以及通过针对每个存储管芯实施独特的延迟时段而在两个或更多个存储管芯之间协调峰值功率操作。

技术实现思路

[0004]本公开的一个方面提供了用于多个NAND存储管芯的峰值功率管理(PPM)的方法。多个NAND存储管芯具有第一NAND存储管芯和第二NAND存储管芯，并且第一NAND存储管芯和第二NAND存储管芯中的每个包括具有保持在第一NAND存储管芯和第二NAND存储管芯之间共有的电势上的PPM接触焊盘的PPM电路。该方法包括下述步骤：在用于第一NAND存储管芯的第一峰值功率检查(PPC)例程期间的第一时刻检测PPM接触焊盘的电势；如果检测到的电势在第一时刻处于第一电压电平，则将PPM接触焊盘的电势驱动到第二电压电平，其中，第二电压电平低于第一电压电平；使第一NAND存储管芯等待第一延迟时段；在用于第一NAND存储管芯的第一PPC例程期间的第二时刻确定在PPM接触焊盘的电势中是否有暂停信号，其中，第二时刻比第一时刻晚；如果在第二时刻未检测到暂停信号，则在PPM接触焊盘的电势中生成暂停信号以暂停用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程；使第一NAND存储管芯执行第一峰值功率操作；以及在第一NAND存储管芯完成第一峰值功率操作之后在PPM接触焊盘的电势中生成恢复信号，以恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。
[0005]在一些实施例中，该方法还包括在用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程期间的第三时刻检测PPM接触焊盘的电势。
[0006]在一些实施例中，该方法还包括：如果所检测到的电势在第三时刻处于第二电压电平，则使第二NAND存储管芯暂停第二PPC例程。
[0007]在一些实施例中，该方法还包括：响应于在第一NAND存储管芯完成了第一峰值功率操作之后生成的恢复信号来恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。
[0008]在一些实施例中，恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程包括：将PPM接触焊盘的电势驱动到第二电压电平；以及使第二NAND存储管芯等待第三延迟时段，其中，第二NAND存储管芯的第三延迟时段不同于第一NAND存储管芯的第一延迟时段。
[0009]在一些实施例中，恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程包括：在用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程期间的第四时刻确定在PPM接触焊盘的电势中是否有暂停信号，其中，第四时刻比第三时刻晚；以及如果在第四时刻未检测到暂停信号，则在PPM接触焊盘的电势中生成暂停信号，以暂停用于多个NAND存储管芯中的第三NAND存储管芯的第三PPC例程。
[0010]在一些实施例中，恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程还包括：使第二NAND存储管芯执行第二峰值功率操作；以及在第二NAND存储管芯完成了第二峰值功率操作之后在PPM接触焊盘的电势中生成恢复信号，以恢复用于第三NAND存储管芯的第三PPC例程。
[0011]在一些实施例中，该方法还包括：如果所检测到的电势在第三时刻处于第一电压电平，则使第二NAND存储管芯等待第三延迟时段，其中，第二NAND存储管芯的第三延迟时段不同于第一NAND存储管芯的第一延迟时段。
[0012]在一些实施例中，该方法还包括：在用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程期间的第四时刻确定在PPM接触焊盘的电势中是否有暂停信号，其中，第四时刻比第三时刻晚。
[0013]在一些实施例中，该方法还包括：如果在第四时刻检测到暂停信号，则暂停用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。
[0014]在一些实施例中，该方法还包括：响应于在第一NAND存储管芯完成了第一峰值功率操作之后生成的恢复信号来恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。
[0015]在一些实施例中，该方法还包括：在执行第一峰值功率操作之前，在用于第一NAND存储管芯的第一PPC例程中等待第二延迟时段。
[0016]在一些实施例中，生成恢复信号包括将PPM接触焊盘的电势驱动到第一电压电平。
[0017]在一些实施例中，生成暂停信号包括在PPM接触焊盘的电势中生成正脉冲，该正脉冲具有在约0.1μS和约10μS之间的范围内的脉冲宽度。
[0018]在一些实施例中，确定是否有暂停信号包括在第一探测和第二探测处测量PPM接触焊盘的电势，其中，第一探测和第二探测以比脉冲宽度长的测量时段隔开。
[0019]本公开的另一方面提供了用于在存储芯片中的多个NAND存储管芯之间管理峰值功率操作的峰值功率管理(PPM)电路。该PPM电路具有保持在设置在第一NAND存储管芯上的PPM电路和设置在第二NAND存储管芯上的PPM电路之间共有的电势上的PPM接触焊盘。该PPM电路被配置为：在用于第一NAND存储管芯的第一峰值功率检查(PPC)例程期间的第一时刻检测PPM接触焊盘的电势；如果检测到的电势在第一时刻处于第一电压电平，则将PPM接触焊盘的电势驱动到第二电压电平，其中，第二电压电平低于第一电压电平；使第一NAND存储管芯等待第一延迟时段；在用于第一NAND存储管芯的第一PPC例程期间的第二时刻确定在PPM接触焊盘的电势中是否有暂停信号，其中，第二时刻比第一时刻晚；如果在第二时刻未检测到暂停信号，则在PPM接触焊盘的电势中生成暂停信号以暂停用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程；使第一NAND存储管芯执行第一峰值功率操作；以及在第一NAND存储管芯完
成第一峰值功率操作之后在PPM接触焊盘的电势中生成恢复信号，以恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。
[0020]在一些实施例中，该PPM电路还被配置为：在用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程期间的第三时刻检测PPM接触焊盘的电势。
[0021]在一些实施例中，该PPM电路还被配置为：如果所检测到的电势在第三时刻处于第二电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多个存储管芯的峰值功率管理(PPM)方法，其特征在于，所述多个存储管芯包括第一存储管芯和第二存储管芯，所述第一存储管芯包括具有第一PPM接触焊盘的第一PPM电路，所述第二存储管芯包括具有第二PPM接触焊盘的第二PPM电路，所述第一PPM接触焊盘与所述第二PPM接触焊盘电连接以使所述第一PPM接触焊盘与所述第二PPM接触焊盘具有共有的电势；所述方法包括：在执行所述第一存储管芯的第一峰值功率检查(PPC)例程期间的第一峰值功率操作之前，在所述电势中生成暂停信号；其中，所述暂停信号用于暂停所述第二存储管芯的第二PPC例程；在所述第一存储管芯完成了所述第一峰值功率操作之后，在所述电势中生成恢复信号；其中，所述恢复信号用于恢复所述第二PPC例程。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述电势中生成暂停信号，包括：在所述电势中生成脉冲。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述脉冲为正脉冲。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述脉冲具有在0.1μS和10μS之间的范围内的脉冲宽度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电势中生成恢复信号，包括：将所述电势从第二电压电平驱动到第一电压电平，产生所述电势的上升沿；其中，所述第二电压电平低于所述第一电压电平。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述电势从第一电压电平驱动到第二电压电平，产生所述电势的下降沿；其中，所述第二电压电平低于所述第一电压电平。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述暂停信号包括：所述电势的下降沿。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在生成所述暂停信号之前，所述第一存储管芯等待第一延迟时段；其中，所述第一延迟时段不同于所述第二PPC例程期间的任一个延迟时段。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在执行所述第一峰值功率操作之前，所述第一存储管芯等待第二延迟时段。10.一种用于多个存储管芯的峰值功率管理(PPM)方法，其特征在于，所述多个存储管芯包括第一存储管芯和第二存储管芯，所述第一存储管芯包括具有第一PPM接触焊盘的第一PPM电路，所述第二存储管芯包括具有第二PPM接触焊盘的第二PPM电路，所述第一PPM接触焊盘与所述第二PPM接触焊盘电连接以使所述第一PPM接触焊盘与所述第二PPM接触焊盘具有共有的电势；所述方法包括：在接触焊盘的电势处于第一电压电平的条件下，进入所述第一存储管芯的第一峰值功率检查(PPC)例程；在第一时刻，将所述电势驱动到第二电压电平；其中，所述第二电压电平低于所述第一电压电平；在将所述电势驱动到所述第二电压电平之后，所述第一存储管芯等待第一延迟时段；在所述第一时刻之后的第二时刻，当所述电势中包括暂停信号时，暂停所述第二存储管芯的第二PPC例程；
所述第一存储管芯执行第一峰值功率操作；在执行所述第一峰值功率操作之后，在所述电势中生成恢复信号，以恢复所述第二存储管芯的第二PPC例程。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：开始执行所述第二存储管芯的第二PPC例程；在第三时刻，当所述电势中包括暂停信号时，暂停所述第二PPC例程。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第三时刻比所述第一时刻晚，所述第二时刻比所述第三时刻晚；所述方法还包括：在第一时刻，将所述电势从所述第一电压电平驱动到所述第二电压电平，产生所述电势的下降沿；其中，所述暂停信号包括所述电势的下降沿。13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第三时刻比所述第二时刻晚；所述方法还包括：在第二时刻，在所述电势中生成正脉冲；其中，所述暂停信号包括所述正脉冲。14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第三时刻，当所述电势处于所述第一电压电平时，所述第二存储管芯等待第三延迟时段；其中，所述第三延迟时段不同于所述第一延迟时段；所述第三时刻与所述第一时刻相同。15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述恢复信号，恢复所述第二PPC例程。16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述在所述电势中生成恢复信号，包括：在执行所述第一峰值功率操作之后，将所述电势驱动到所述第一电压电平，产生所述电势的上升沿；所述响应于所述恢复信号，恢复所述第二PPC例程，包括：在产生所述电势的上升沿时，恢复所述第二PPC例程，并将所述电势驱动到所述第二电压电平；在将所述电势驱动到所述第二电压电平之后，所述第二存储管芯等待第三延迟时段；其中，所述第三延迟时段不同于所述第一延迟时段。17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述多个存储管芯还包括第三存储管芯，所述第三存储管芯包括具有第三PPM接触焊盘的第三PPM电路，所述第三PPM接触焊盘与所述第二PPM接触焊盘电连接以使所述第三PPM接触焊盘与所述第二PPM接触焊盘具有所述共有的电势；所述方法还包括：开始执行所述第三存储管芯的第三PPC例程；在第四时刻，当所述电势中包括暂停信号时，暂停所述第三存储管芯的第三PPC例程；其中，所述第四时刻比所述第二时刻晚，所述第四时刻比所述第三时刻晚；所述第二存储管芯执行第二峰值功率操作；在执行所述第二峰值功率操作之后，在所述电势中生成恢复信号，以恢复所述第三PPC例程。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述恢复信号，恢复所述第三PPC例程。
19.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第二时刻，确定所述电势中是否包括所述暂停信号；其中，当所述电势中未包括所述暂停信号时，在所述电势中生成所述暂停信号；在所述电势中生成所述暂停信号之后，且在执行所述第一峰值功率操作之前，所述第一存储管芯等待第二延迟时段。20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述在所述电势中生成所述暂停信号，包括：在所述电势中生成正脉冲；其中，所述正脉冲具有在0.1μS和10μS之间的范围内的脉冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：