晶片太鼓环宽度测量方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片太鼓环宽度测量方法。该晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤：从太鼓环上确定一固定点；使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中；基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离；使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中；基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离；基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。该晶片太鼓环宽度测量方法，可以解决相关技术中太鼓环环宽测量不准确的问题。准确的问题。准确的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶片太鼓环宽度测量方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种晶片太鼓环宽度测量方法。

技术介绍

[0002]通过太鼓减薄工艺制备出的太鼓环，可以在制造中为晶片提供支撑力，减小晶片翘曲的问题。在制作太鼓环的过程中需要对太鼓环进行边缘检测以确定环宽，从而保证机台的稳定性，使得晶圆减薄过程同心无偏移，避免后期工艺出现破片的问题。
[0003]图1为带有太鼓环的晶片剖视结构示意图，从图1中可以看出，太鼓环包括主环区域110和位于该主环区域110外边缘的弧面区域120，然而该弧面区域120的实际宽度难以确定，因此相关技术通常通过实际测定主环区域110的宽度加上固定的弧面区域120调整值，以估测得到太鼓环的环宽。
[0004]然而对于不同批次的晶片，该弧面区域大小有所差异，通过固定的弧面区域调整值难免使得估测得到太鼓环的环宽与实际环宽有所偏差，不利于机台对环宽的判断。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种晶片太鼓环宽度测量方法，可以解决相关技术中太鼓环环宽测量不准确的问题。
[0006]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种晶片太鼓环宽度测量方法，所述晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤：
[0007]从太鼓环上确定一固定点；
[0008]使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中；
[0009]基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离；
[0010]使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中；
[0011]基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离；
[0012]基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。
[0013]可选地，所述基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离的步骤，包括：
[0014]在所述第一图像中建立第一坐标系；
[0015]从所述第一图像中获取所述固定点在所述第一坐标系中的坐标信息(x1，y1)；
[0016]从所述第一图像中获取所述太鼓环的内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0，设定第一随机点(u，v)为所述内边界线上的任意点，即f(u，v)＝0；
[0017]基于所述固定点在所述第一坐标系中的坐标信息(x1，y1)，以及所述内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0，确定所述固定点到所述第一随机点的第一向量
函数W1＝(u，v)
‑
(x1，y1)，其中f(u，v)＝0；
[0018]确定所述第一向量函数的最小值为所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离。
[0019]可选地，所述从所述第一图像中获取所述太鼓环的内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0的步骤，包括：
[0020]从所述第一图像中获取位于所述内边界线上至少三个点的坐标信息；
[0021]基于所述内边界线上至少三个点的坐标信息，确定所述内边界线在所述第一坐标系中的圆心坐标信息和半径；
[0022]基于所述内边界线在所述第一坐标系中的圆心坐标信息和半径，确定所述内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0。
[0023]可选地，所述基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离的步骤，包括：
[0024]在所述第二图像中建立第二坐标系；
[0025]从所述第二图像中获取所述固定点在所述第二坐标系中的坐标信息(m2，n2)；
[0026]从所述第二图像中获取所述太鼓环的外边界线在所述第二坐标系中的曲线函数f(m，n)＝0，设定第二随机点(p，q)为所述外边界线上的任意点，即f(p，q)＝0；
[0027]基于所述固定点在所述第二坐标系中的坐标信息(m2，n2)，以及所述外边界线在所述第二坐标系中的曲线函数f(m，n)＝0，确定所述固定点到所述第二随机点的第二向量函数W2＝(p，q)
‑
(m2，n2)，其中f(p，q)＝0；
[0028]确定所述第二向量函数的最小值为所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离。
[0029]可选地，所述从所述第二图像中获取所述太鼓环的外边界线在所述第二坐标系中的曲线函数f(m，n)＝0的步骤，包括：
[0030]从所述第二图像中获取位于所述外边界线上至少三个点的坐标信息；
[0031]于所述外边界线上至少三个点的坐标信息，确定所述外边界线在所述第二坐标系中的圆心坐标信息和半径；
[0032]基于所述外边界线在所述第二坐标系中的圆心坐标信息和半径，确定所述外边界线在所述第二坐标系中的曲线函数f(m，n)＝0。
[0033]可选地，所述固定点位于所述太鼓环的任意位置。
[0034]可选地，在所述第一图像中，所述太鼓环的内边缘显示为清晰的内边界线。
[0035]可选地，在所述第二图像中，所述太鼓环的外边缘显示为清晰的外边界线。
[0036]本申请技术方案，至少包括如下优点：通过分别使得焦平面对准太鼓环的内边缘和外边缘以得到第一图像和第二图像，其中在所述第一图像中，太鼓环的内边缘显示为清晰的内边界线，在第二图像中，太鼓环的外边缘显示为清晰的外边界线，计算一固定点至内边界线之间的距离与该固定点至外边界线之间的距离之和为太鼓环的环宽，使得所计算的太鼓环的环宽更接近实际值，避免环宽测量不准确的问题。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体
实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1示出了相关技术中带有太鼓环的晶片剖视结构示意图；
[0039]图2示出了本申请一实施例提供的晶片太鼓环宽度测量方法流程图；
[0040]图3示出了在第一图像中测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间第一距离的示意图；
[0041]图4示出了在第二图像中测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间第二距离的示意图。
具体实施方式
[0042]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0043]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片太鼓环宽度测量方法，其特征在于，所述晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤：从太鼓环上确定一固定点；使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中；基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离；使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中；基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离；基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。2.如权利要求1所述的晶片太鼓环宽度测量方法，其特征在于，所述基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离的步骤，包括：在所述第一图像中建立第一坐标系；从所述第一图像中获取所述固定点在所述第一坐标系中的坐标信息(x1，y1)；从所述第一图像中获取所述太鼓环的内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0，设定第一随机点(u，v)为所述内边界线上的任意点，即f(u，v)＝0；基于所述固定点在所述第一坐标系中的坐标信息(x1，y1)，以及所述内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0，确定所述固定点到所述第一随机点的第一向量函数W1＝(u，v)
‑
(x1，y1)，其中f(u，v)＝0；确定所述第一向量函数的最小值为所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离。3.如权利要求2所述的晶片太鼓环宽度测量方法，其特征在于，所述从所述第一图像中获取所述太鼓环的内边界线在所述第一坐标系中的曲线函数f(x，y)＝0的步骤，包括：从所述第一图像中获取位于所述内边界线上至少三个点的坐标信息；基于所述内边界线上至少三个点的坐标信息，确定所述内边界线在所述第一坐标系中的圆心坐标信息和半径；基于所述内边界线在所述第一坐标系中的圆心坐标信息和半径，确定所述内...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永慧，靳耀乐，许有超，谭秀文，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：