在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法技术

本公开涉及在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法。通过提供包括屏蔽层的半导体封装以及使用激光在屏蔽层中形成槽，形成半导体器件。激光被开启并暴露于屏蔽层，其中，激光的中心设置在屏蔽层的第一点上。在激光保持在屏蔽层上并暴露于屏蔽层时，在环路中移动激光。当激光的中心设置在屏蔽层的第二点上时，停止激光到屏蔽层的暴露。第一点与第二点之间的距离近似等于激光的半径。径。径。

【技术实现步骤摘要】
在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法


[0001]本专利技术一般涉及半导体器件，并且更特别地涉及一种在系统级封装（SiP）模块中的电元器件上的电磁干扰屏蔽层中形成具有改进的去除深度的槽（slot）的方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体器件通常在现代电子产品中找到。半导体器件执行各种各样的功能，例如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转换成电、以及为电视显示器产生视觉图像。半导体器件在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中找到。
[0003]半导体器件，特别地在高频应用例如射频（RF）通信中，通常包含一个或多个集成无源器件（IPD）以执行必要的电功能。为了小空间中的更高密度和扩展的电功能，多个半导体管芯和IPD可以集成到SiP模块中。在SiP模块内，半导体管芯和IPD被安装到衬底以用于结构支撑和电互连。封装剂沉积在半导体管芯、IPD和衬底上。电磁屏蔽层通常形成在封装剂上。
[0004]SiP模块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括屏蔽层的半导体封装；以及通过以下步骤使用激光在所述屏蔽层中形成槽，开启所述激光并使所述激光暴露于所述屏蔽层，其中，所述激光的中心设置在所述屏蔽层的第一点上，在所述激光保持在所述屏蔽层上并暴露于所述屏蔽层时，在环路中移动所述激光，以及当所述激光的中心设置在所述屏蔽层的第二点上时停止所述激光到所述屏蔽层的暴露，其中，所述第一点与所述第二点之间的距离近似等于所述激光的半径。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：当所述激光设置在屏蔽层的第三点上时，第一次停止激光到屏蔽层的暴露，其中，所述第一点和所述第三点之间的距离大于所述激光的半径；第二次使屏蔽层暴露于所述激光；以及在第二次使屏蔽层暴露于所述激光时，使所述激光从第四点移动到所述第二点，其中，从所述第三点到所述第四点的距离近似等于所述激光的半径。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述激光的接通延迟大于所述激光的关断延迟。4.根据权利要求2所述的方法，其中，在环路中移动所述激光时激光的第一移动速率大于在将所述激光从所述第四点移动到所述第二点时激光的第二移动速率。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体封装包括设置在所述环路下面的电元器件。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环路包括圆角。...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：