光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置制造方法及图纸

本公开提供一种光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置，能够从预设库中确定晶圆表面的目标层上的至少一个目标图案，并将至少一个目标图案作为目标层对应的光罩的标记。本实施例提供的方法所确定的标记，进行质量检测或者对准检测时，能够提高检测的精确度。能够提高检测的精确度。能够提高检测的精确度。

【技术实现步骤摘要】
光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置。

技术介绍

[0002]在半导体制作过程中，光刻机在晶圆的一个层上放置光罩(mask)，光罩上具有设计好的光刻图形。随后，利用光刻胶感光后因化学反应形成耐蚀性的特点，光刻机透过光罩对晶圆进行曝光处理，能够将光罩上的光刻图形加工到晶圆的层上。
[0003]现有技术中，光罩上设置有至少一个特殊图案的标记，该标记可用于在光罩生产完成后，对光罩是否合格进行质量检测。
[0004]但是，采用现有技术，光罩上的标记的位置和形状较为单一，且多设置在光罩的边界上，导致了使用这些标记对光罩进行检测的精准度较低。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置，用于解决对光罩进行检测时使用的标记导致精确度较低的技术问题。
[0006]本公开第一方面提供一种确定光罩标记的方法，包括：从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案；将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记；其中，所述标记用于在所述光罩生产完成后，检测所述光罩上所述标记的偏移量与预设阈值的关系；或者，所述标记用于检测所述光罩与所述晶圆的目标层是否对准。
[0007]在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从预设库中所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，确定与所述光罩的类型对应的至少一个图案为所述目标图案。
[0008]在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，数量最多的第一图案中的全部或者部分为所述目标图案。
[0009]在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，面积最小的第二图案中的全部或者部分为所述目标图案。
[0010]在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，与相邻图案距离最小的第三图案中的全部或者部分为所述目标图案。
[0011]在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，至少一个缺陷点图案为所述目标图案。
[0012]在本公开第一方面一实施例中，所述将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目
标层对应的光罩上的标记之后，还包括：通过模拟检测所述光罩上所述标记的偏移量与预设阈值的关系或者模拟检测所述光罩与所述晶圆的目标层是否对准，调整所述标记中图案的数量。
[0013]在本公开第一方面一实施例中，所述将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记之后，还包括：通过模拟检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准，且在检测时对所述光罩上的部分标记所在的位置进行扫描，使扫描次数最少且在模拟检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准时符合预设检测结果。
[0014]本公开第二方面提供一种光罩检测方法，包括：在晶圆的目标层的表面放置光罩；所述光罩设置有标记；所述标记包括所述晶圆的目标层上的所有图案中的至少一个目标图案；根据所述标记和所述至少一个目标图案，检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准。
[0015]在本公开第二方面一实施例中，所述标记是根据本公开第一方面任一项所述的确定光罩标记的方法确定的。
[0016]在本公开第二方面一实施例中，所述检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准，包括：对所述光罩上的部分标记所在的位置进行扫描，通过所述部分标记与对应的目标图案的位置关系，确定所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准。
[0017]本公开第三方面提供一种光罩检测方法，包括：确定光罩上的标记的偏移量；所述标记包括所述光罩对应的晶圆的目标层上的所有图案中的至少一个目标图案；根据所述偏移量与预设阈值的关系，对所述光罩进行检测。
[0018]在本公开第三方面一实施例中，所述标记是本公开第一方面任一项所述的确定光罩标记的方法确定的。
[0019]本公开第四方面提供一种确定光罩标记的装置，用于执行如本申请第一方面任一项所述的方法。
[0020]本公开第五方面提供一种光罩检测装置，用于执行如本申请第二方面或者第三方面任一项所述的方法。
[0021]本公开提供的光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置，能够从预设库中确定晶圆表面的目标层上的至少一个目标图案，并将至少一个目标图案作为目标层对应的光罩的标记。由于所确定的标记是根据晶圆的目标层上已有的图案确定的，因此确定的标记能够更为准确地反应光罩的位置，后续在使用标记进行质量检测或者对准检测时，能够提高检测的精确度。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为一种技术中光罩上设置的标记的位置示意图；
[0024]图2为本公开提供的一种应用场景的示意图；
[0025]图3为本公开提供的一种确定光罩标记的方法一实施例的流程示意图；
[0026]图4为本公开提供的从目标层的所有图案中确定的第一图案作为至少一个目标图
案的示例图；
[0027]图5为本公开提供的从目标层的所有图案中确定第二图案作为至少一目标图案的示例图；
[0028]图6为本公开提供的从目标层的所有图案中确定第三图案作为至少一个目标图案的示例图；
[0029]图7为本公开提供的从目标层的所有图案中确定缺陷点图案作为至少一个目标图案的示例图；
[0030]图8为本公开提供的确定光罩标记方法一实施例的示例图；
[0031]图9为本公开提供的光罩检测方法一实施例的流程示意图；
[0032]图10为本公开提供的另一种应用场景的示意图；
[0033]图11为本公开提供的光罩检测方法另一实施例的流程示意图；
[0034]图12为本公开提供的一实施例中检测光罩是否与晶圆的目标层对准时的扫描示意图；
[0035]图13为本公开提供的另一实施例中检测光罩是否与晶圆的目标层对准时的扫描示意图。
具体实施方式
[0036]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定光罩标记的方法，其特征在于，包括：从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案；将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记；其中，所述标记用于在所述光罩生产完成后，检测所述光罩上所述标记的偏移量与预设阈值的关系；或者，所述标记用于检测所述光罩与所述晶圆的目标层是否对准。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从预设库中所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，确定与所述光罩的类型对应的至少一个图案为所述目标图案。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，数量最多的第一图案中的全部或者部分为所述目标图案。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，面积最小的第二图案中的全部或者部分为所述目标图案。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，与相邻图案距离最小的第三图案中的全部或者部分为所述目标图案。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，至少一个缺陷点图案为所述目标图案。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记之后，还包括：通过模拟检测所述光罩上所述标记的偏移量与预设阈值的关系或者模拟检测所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙筱雨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：