一种脉冲放电辐射源包括气体腔室、窗口和导管系统。该导管系统包括再填充路径和导管。脉冲放电辐射源生成辐射。气体腔室局限在生成辐射期间所产生的气体和污染物。窗口将气体与气体腔室外部的环境隔离，并且允许辐射在气体腔室与环境之间行进。再填充路径允许替换气体。导管在生成期间将气体循环到气体腔室或循环自气体腔室。导管系统至少在再填充操作期间引导再填充气体和气体、再填充气体或气体中的一者流动，以防止污染物接触窗口，由此导管系统延长至少窗口的可用寿命。统延长至少窗口的可用寿命。统延长至少窗口的可用寿命。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导管系统、辐射源、光刻装置及其方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月6日提交的题为“导管系统、辐射源、光刻装置及其方法”的美国申请号63/005,845的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
[0003]本专利技术涉及脉冲放电辐射源，例如，一种用于光刻系统的紫外线气体放电激光器。
技术介绍
[0004]用于产生深紫外(DUV)辐射的方法包括但不限于使用脉冲放电辐射源。准分子激光器是脉冲放电辐射源的示例。脉冲放电辐射源激发局限在腔室中的气体分子以生成期望波长的激光辐射。可以通过窗口从腔室中放出辐射。气体分子可以包括但不限于氟、氖、氪、氩等。可以通过经由电极向气体供应电压(例如，电脉冲)激发气体分子。在辐射源寿命的过程中，由于电极与气体的相互作用，所以气体腔室可能会出现污染物颗粒。然后，污染物颗粒可能会污染其他光学敏感部件(例如，窗口)并且导致辐射源发生意外早期故障。
[0005]脉冲放电辐射源可以用于在多种应用中生成辐射，例如，在光刻装置中生成DUV辐射。光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种实例中，图案形成装置(可以被称为掩模或掩模版)可以用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被传递到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。图案通常经由成像传递到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般而言，单个衬底包含经过连续图案化的相邻目标部分的网络。传统光刻装置包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中凭借沿给定方向(“扫描”方向)通过辐射射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底辐射每个目标部分。
[0006]光刻装置通常包括在辐射入射到图案形成装置上之前调节由辐射源生成的辐射的照射系统。经图案化的DUV射束或光射束可以用于在衬底上产生极小特征。该照射系统可以包括脉冲放电辐射源，该脉冲放电辐射源具有气体腔室，该气体腔室由于气体腔室中的污染物而易于过早发生故障。
技术实现思路
[0007]因而，期望保护光学敏感部件或以其他方式(例如，通过管理辐射源内的气流)降低脉冲放电辐射源由于污染物而过早发生故障的可能性。
[0008]在一些实施例中，脉冲放电辐射源包括气体腔室、窗口和导管系统。该导管系统包括再填充路径和导管。脉冲放电辐射系统被配置为生成辐射。该气体腔室被配置为局限在生成期间产生的气体和污染物。该窗口被配置为将气体与气体腔室外部的环境隔离、并且允许辐射在气体腔室与环境之间行进。再填充路径被配置为允许替换气体。导管被配置为在生成期间使气体循环到气体腔室或循环自气体腔室。导管系统被配置为至少在再填充操
作期间引导再填充气体和气体、再填充气体或气体中的一者流动，以防止污染物接触窗口，由此导管系统延长至少窗口的可用寿命。
[0009]在一些实施例中，一种方法包括：使用脉冲放电辐射源，生成辐射；使用气体腔室，局限在生成期间产生的气体和污染物；使用窗口，将气体与气体腔室外部的环境隔离；使用窗口，允许辐射在气体腔室与环境之间行进；使用再填充路径，替换气体；在生成期间，使气体循环到气体腔室或循环自气体腔室；以及在再填充操作期间，引导再填充气体和气体、再填充气体或气体中的一者流动，以防止污染物接触窗口。
[0010]在一些实施例中，光刻装置包括照射系统和投射系统。该照射系统包括气体腔室、窗口和导管系统。该照射系统被配置为照射图案形成装置的图案。该气体腔室被配置为局限在生成期间生成的气体和污染物。该窗口被配置为将气体与气体腔室外部的环境隔离并且允许辐射在气体腔室与环境之间行进。再填充路径被配制为允许替换气体。导管被配置为在生成期间使气体循环到气体腔室或循环自气体腔室。导管系统被配置为至少在再填充操作期间引导再填充气体和气体、再填充气体或气体中的一者流动，以防止污染物接触窗口，由此导管系统延长至少窗口的可用寿命。投射系统被配置为将图案的图像投射到衬底上。
[0011]下文参考附图对本公开的其他特征以及各种实施例的结构和操作进行详细描述。应当指出，本专利技术不限于本文中所描述的特定实施例。本文中提出的这些实施例仅用于说明目的。基于本文中所包含的教导，对于一个或多个相关领域的技术人员而言，附加实施例将是显而易见的。
附图说明
[0012]并入本文中并且形成说明书的一部分的附图图示了本公开，并且与说明书一起还用于解释本公开的原理，并且使得一个或多个相关领域的技术人员能够制造并使用本文中所描述的实施例。
[0013]图1A示出了根据一些实施例的反射式光刻装置。
[0014]图1B示出了根据一些实施例的透射式光刻装置。
[0015]图2示出了根据一些实施例的光刻单元的示意图。
[0016]图3和图4示出了根据一些实施例的辐射源。
[0017]图5A、图5B和图5C各自示出了根据一些实施例的辐射源的一部分。
[0018]图6示出了根据一些实施例的单向阀。
[0019]图7示出了根据一些实施例的单向阀的横截面。
[0020]图8是示出了根据一些实施例的、用于执行本文中所描述的实施例的功能的方法步骤的流程图。
[0021]根据下文当结合附图时所阐述的具体实施方式，本公开的特征将变得更加显而易见，其中相同的附图标记始终标识对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常指示相同、功能类似和/或结构类似的元件。附加地，通常，附图标记的一个或多个最左边的数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有说明，否则在整个公开内容中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
[0022]本说明书公开了并入本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例作为示例提供。本公开的范围不限于所公开的实施例。所要求保护的特征由所附权利要求限定。
[0023]所描述的一个或多个实施例以及说明书中对“一个实施例”、“一实施例”、“一示例性实施例”、“一示例实施例”等的引用指示所描述的一个或多个实施例可以包括特定特征、结构或特点，但是每个实施例可能不必包括该特定特征、结构或特点。而且，这些短语不一定是指同一实施例。进一步地，当结合实施例对特定特征、结构或特点进行描述时，应当理解无论是否明确描述，结合其他实施例实现这些特征、结构或特点都在所属领域的技术人员的知识范围之内。
[0024]为了便于描述，本文中可以使用空间上相对的术语，诸如“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下部”、“在
……
上方”、“在
……
上”、上部等，以描述如图所示的一个元件或特征与一个或多个另一元件或特征的关系。除了图中所描绘的方位之外，空间上相对的术语旨在涵盖使用或操作时的设备的不同方位。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或以其他方位)，并且同样可以对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种脉冲放电辐射源，被配置为生成辐射，所述脉冲放电辐射系统包括：气体腔室，被配置为局限在生成所述辐射期间所产生的气体和污染物；窗口，被配置为用于将所述气体与所述气体腔室外部的环境隔离、并且允许所述辐射在所述气体腔室与所述环境之间行进；以及导管系统，包括：再填充路径，被配置为允许更换所述气体；以及导管，被配置为用于在所述生成所述辐射期间使所述气体循环至所述气体腔室或使所述气体循环自所述气体腔室，其中所述导管系统被配置为至少在再填充操作期间引导再填充气体和所述气体、所述再填充气体或所述气体中的一者流动，以防止所述污染物接触所述窗口，由此所述导管系统延长至少所述窗口的可用寿命。2.根据权利要求1所述的脉冲放电辐射源，其中所述导管系统还包括阀，所述阀被设置为与所述导管相交并且被配置为防止所述污染物的至少一部分流向所述窗口。3.根据权利要求2所述的脉冲放电辐射源，其中所述阀包括单向阀。4.根据权利要求3所述的脉冲放电辐射源，其中所述单向阀包括以下各项中的至少一项：球式止回阀、瓣式止回阀、弹簧式止回阀和重力式止回阀。5.根据权利要求2所述的脉冲放电辐射源，其中所述阀包括用户可调阀。6.根据权利要求1所述的脉冲放电辐射源，其中所述导管系统还包括旁通导管和单向阀，所述单向阀被设置为与所述旁通导管相交；所述旁通导管将所述导管连接到所述再填充路径；以及所述单向阀被配置为防止所述气体从所述气体腔室流向所述窗口。7.根据权利要求1所述的脉冲放电辐射源，其中所述再填充路径还被配置为允许排空所述气体。8.根据权利要求1所述的脉冲放电辐射源，其中所述导管系统还包括排空路径，所述排空路径被配置为允许排空所述气体，以防止所述污染物进入所述再填充路径。9.根据权利要求1所述的脉冲放电辐射源，还包括电连接件，所述电连接件被配置为向所述气体递送电脉冲，以生成所述辐射。10.根据权利要求1所述的脉冲放电辐射源，其中所述辐射包括DUV辐射。11.一种方法，包括：使用脉冲放电辐射系统，生成辐射；使用气体腔室，局限在所述生成期间所产生的气体和污染物；使用窗口，将所述气体与所述气体腔室外部的所述环境隔离；使用所述窗口，允许所述辐射在所述气体腔室与所述环境之间行进；使用再填充路径，更换所述气体；在所述生成期间，使所述气体循环到所述气体腔室或使所述气体循环自所述气体腔室；以及在再填充操作期间，引导再填充气体和所述气体、所述再填充气体或...
【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：
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