激光装置和电子器件的制造方法制造方法及图纸

技术编号:34877255 阅读:18 留言:0更新日期:2022-09-10 13:32
本公开的一个观点的激光装置具有:腔,其内部被导入激光气体;一对电极,它们被配置于腔内;电源,其对电极之间施加电压;喷嘴构造体,其具有接受激光气体的内部通路和与内部通路相通的缝,通过从缝吹出的激光气体在电极之间产生激光气体的流动;气体流路,其具有将腔内的激光气体吸入的吸入口,将从吸入口吸入的激光气体引导至喷嘴构造体;以及送风装置,其通过气体流路向喷嘴构造体的内部通路输送激光气体。光气体。光气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光装置和电子器件的制造方法


[0001]本公开涉及激光装置和电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
[0003]KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽,大约为350~400pm。因此,在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时,有时产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrow Module:LNM)。下面,将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:美国专利第6914919号
[0007]专利文献2:日本特开2007

208183号公报

技术实现思路

[0008]本公开的1个观点的激光装置具有:腔,其内部被导入激光气体;一对电极,它们被配置于腔内;电源,其对电极之间施加电压;喷嘴构造体,其具有接受激光气体的内部通路和与内部通路相通的缝,通过从缝吹出的激光气体在电极之间产生激光气体的流动;气体流路,其具有将腔内的激光气体吸入的吸入口,将从吸入口吸入的激光气体引导至喷嘴构造体;以及送风装置,其通过气体流路向喷嘴构造体的内部通路输送激光气体。
[0009]本公开的另1个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤:通过激光装置生成激光,将激光输出到曝光装置,在曝光装置内在感光基板上曝光激光,以制造电子器件,激光装置具有:腔,其内部被导入激光气体;一对电极,它们被配置于腔内;电源,其对电极之间施加电压;喷嘴构造体,其具有接受激光气体的内部通路和与内部通路相通的缝,通过从缝吹出的激光气体在电极之间产生激光气体的流动;气体流路,其具有将腔内的激光气体吸入的吸入口,将从吸入口吸入的激光气体引导至喷嘴构造体;以及送风装置,其通过气体流路向喷嘴构造体的内部通路输送激光气体。
附图说明
[0010]下面,参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
[0011]图1概略地示出比较例的激光装置的结构例。
[0012]图2是图1所示的腔的2

2线处的剖视图。
[0013]图3概略地示出实施方式1的激光装置的结构例。
[0014]图4是概略地示出腔内的放电部和环的放大图。
[0015]图5是图4中的5

5线处的剖视图。
[0016]图6是示出环的动作原理的概要图。
[0017]图7是从气流的下游侧朝向上游侧观察环时的主视图。
[0018]图8例示性地示出实施方式2的激光装置的结构。
[0019]图9示意地示出应用了磁耦合方式的马达的配置构造的例子。
[0020]图10示意地示出应用了磁轴承方式的马达的配置构造的例子。
[0021]图11概略地示出实施方式3的激光装置的结构例。
[0022]图12概略地示出实施方式3的腔内的放电部和环的附近的气体的流动。
[0023]图13概略地示出实施方式4的激光装置的结构。
[0024]图14是概略地示出实施方式4的腔内的第1环、放电部和第2环的放大图。
[0025]图15概略地示出实施方式4的变形例的激光装置的结构。
[0026]图16概略地示出实施方式5的激光装置中的腔内的放电部和带缝的条的结构例。
[0027]图17是图16中的17

17线处的剖视图。
[0028]图18概略地示出实施方式6的激光装置的腔内的放电部周边的结构。
[0029]图19概略地示出曝光装置的结构例。
具体实施方式
[0030]‑
目录

[0031]1.比较例的激光装置的概要
[0032]1.1结构
[0033]1.2动作
[0034]1.3课题
[0035]2.实施方式1
[0036]2.1结构
[0037]2.1.1整体结构
[0038]2.1.2放电部和环的结构
[0039]2.2动作
[0040]2.2.1环的动作原理
[0041]2.2.2具体的数值例
[0042]2.3作用/效果
[0043]3.实施方式2
[0044]3.1结构
[0045]3.2动作
[0046]3.3作用/效果
[0047]4.实施方式3
[0048]4.1结构
[0049]4.2动作
[0050]4.3作用/效果
[0051]5.实施方式4
[0052]5.1结构
[0053]5.2动作
[0054]5.3作用/效果
[0055]5.4变形例
[0056]6.实施方式5
[0057]6.1结构
[0058]6.2动作
[0059]6.3作用/效果
[0060]6.4变形例
[0061]7.实施方式6
[0062]7.1结构
[0063]7.2动作
[0064]7.3作用/效果
[0065]8.电子器件的制造方法
[0066]9.其他
[0067]下面,参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的几个例子,不限定本公开的内容。此外,各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外,对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。
[0068]1.比较例的激光装置的概要
[0069]1.1结构
[0070]图1概略地示出比较例的激光装置10的结构例。图2是图1所示的腔12的2

2线处的剖视图。本公开的比较例是申请人认识到仅申请人知道的方式,不是申请人自己承认的公知例。
[0071]激光装置10包含腔12和电源14。腔12包含一对电极16a、16b、电绝缘部件18、电晕管20、横流风扇30、马达32、磁轴承34、散热器38和2个窗口41、42。
[0072]腔12与未图示的激光气体供给装置和激光气体排气装置连接。在腔12中经由激光气体供给装置被导入激光气体。激光气体例如可以包含作为稀有气体的氩(Ar)或氪(Kr)、作为卤素气体的氟(F2)、作为缓冲气体的氖(Ne)或氦(He)或它们的混合气体。激光气体供给装置包含未图示的阀和未图示的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光装置,其具有:腔,其内部被导入激光气体;一对电极,它们被配置于所述腔内;电源,其对所述电极之间施加电压;喷嘴构造体,其具有接受所述激光气体的内部通路和与所述内部通路相通的缝,通过从所述缝吹出的所述激光气体在所述电极之间产生所述激光气体的流动;气体流路,其具有将所述腔内的所述激光气体吸入的吸入口,将从所述吸入口吸入的所述激光气体引导至所述喷嘴构造体;以及送风装置,其通过所述气体流路向所述喷嘴构造体的所述内部通路输送所述激光气体。2.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述缝的至少一部分被配置于如下的空间内,该空间是在所述电极的短边方向即第1方向上延长所述电极之间的放电空间而成的。3.根据权利要求2所述的激光装置,其中,所述缝的至少一部分与所述电极的长度方向即第2方向平行。4.根据权利要求3所述的激光装置,其中,所述缝具有第1缝和第2缝,所述第1缝和所述第2缝被配置成在所述一对电极相面对的方向即第3方向上分开,所述第1缝与所述第2缝在所述第3方向上的间隔比所述电极的间隔小。5.根据权利要求3所述的激光装置,其中,所述缝在所述第2方向上的长度比所述电极在所述第2方向上的长度大。6.根据权利要求1所述的激光装置,其中,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述喷嘴构造体被配置于比所述电极靠上游侧的位置。7.根据权利要求1所述的激光装置,其中,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述喷嘴构造体被配置于比所述电极靠下游侧的位置。8.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述喷嘴构造体具有第1喷嘴构造体和第2喷嘴构造体,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述第1喷嘴构造体被配置于比所述电极靠上游侧的位置,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述第2喷嘴构造体被配置于比所述电极靠下游侧的位置。9.根据权利要求8所述的激光装置,其中,所述第1喷嘴构造体具有作为所述缝的第3缝和第4缝,所述第2喷嘴构造体具有作为所述缝的第5缝和第6缝,所述第3缝和所述第4缝被配置成在...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐佐木阳一柿崎弘司沟口计
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社
类型:发明
国别省市:

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