【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光装置和电子器件的制造方法
[0001]本公开涉及激光装置和电子器件的制造方法。
技术介绍
[0002]近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
[0003]KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽,大约为350~400pm。因此,在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时,有时产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrow Module:LNM)。下面,将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:美国专利第6914919号
[0007]专利文献2:日本特开2007
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208183号公报
技术实现思路
[0008]本公开的1个观点的激光装置具有:腔,其内部被导入激光气体;一对电极,它们被配置于腔内;电源,其对电极之间施加电压;喷嘴构造体,其具有接受激光气体的内部通路和与内部通路相通的缝, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光装置,其具有:腔,其内部被导入激光气体;一对电极,它们被配置于所述腔内;电源,其对所述电极之间施加电压;喷嘴构造体,其具有接受所述激光气体的内部通路和与所述内部通路相通的缝,通过从所述缝吹出的所述激光气体在所述电极之间产生所述激光气体的流动;气体流路,其具有将所述腔内的所述激光气体吸入的吸入口,将从所述吸入口吸入的所述激光气体引导至所述喷嘴构造体;以及送风装置,其通过所述气体流路向所述喷嘴构造体的所述内部通路输送所述激光气体。2.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述缝的至少一部分被配置于如下的空间内,该空间是在所述电极的短边方向即第1方向上延长所述电极之间的放电空间而成的。3.根据权利要求2所述的激光装置,其中,所述缝的至少一部分与所述电极的长度方向即第2方向平行。4.根据权利要求3所述的激光装置,其中,所述缝具有第1缝和第2缝,所述第1缝和所述第2缝被配置成在所述一对电极相面对的方向即第3方向上分开,所述第1缝与所述第2缝在所述第3方向上的间隔比所述电极的间隔小。5.根据权利要求3所述的激光装置,其中,所述缝在所述第2方向上的长度比所述电极在所述第2方向上的长度大。6.根据权利要求1所述的激光装置,其中,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述喷嘴构造体被配置于比所述电极靠上游侧的位置。7.根据权利要求1所述的激光装置,其中,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述喷嘴构造体被配置于比所述电极靠下游侧的位置。8.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述喷嘴构造体具有第1喷嘴构造体和第2喷嘴构造体,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述第1喷嘴构造体被配置于比所述电极靠上游侧的位置,相对于在所述电极之间流动的所述激光气体的流动,所述第2喷嘴构造体被配置于比所述电极靠下游侧的位置。9.根据权利要求8所述的激光装置,其中,所述第1喷嘴构造体具有作为所述缝的第3缝和第4缝,所述第2喷嘴构造体具有作为所述缝的第5缝和第6缝,所述第3缝和所述第4缝被配置成在...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐佐木阳一,柿崎弘司,沟口计,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:
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