一种靶材及其制造方法技术

一种靶材及其制造方法，其中制造方法包括：提供靶材原料，所述靶材原料包括多个靶材原料颗粒，所述靶材原料颗粒呈球形；对所述靶材原料进行第一热等静压工艺处理，形成中间坯料；对所述中间坯料进行第二热等静压工艺处理，形成靶材从整体上有利于形成高成品率且高质量的靶材。质量的靶材。质量的靶材。

【技术实现步骤摘要】
一种靶材及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种靶材及其制造方法。

技术介绍

[0002]钨靶材广泛应用于集成电路、平面显示器、太阳能电池、汽车玻璃、微电子、存储器、X
‑
射线管、医疗设备、熔炼设备等产品中。高纯钨薄膜通常采用溅射法工艺制备，通过高速离子轰击靶材，从而产生粒子使其沉积在基体的表面，形成薄膜。
[0003]薄膜的性能受靶材性能的影响，一般要求钨靶材具有高纯度（99.999％以上）、高致密度、小粒度且无织构等性能。然而，现有靶材的制造方法在满足钨靶材的性能要求的同时，难以获得较高的成品率。
[0004]因此，现有的靶材的制造方法仍有待改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的问题是提供一种靶材及其制造方法，在满足钨靶材的性能要求的同时，获得较高的成品率，降低生产成本。
[0006]为解决上述问题，本专利技术的技术方案提供一种靶材，所述靶材的平均晶粒尺寸小于50
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m，尺寸小于10
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>m的晶粒数量占比小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种靶材，其特征在于，所述靶材的平均晶粒尺寸小于50
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m，尺寸小于10
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m的晶粒数量占比小于或等于5%，且尺寸大于80
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m的晶粒数量小于或等于5%。2.如权利要求1所述的靶材，其特征在于，所述靶材的纯度范围为大于或等于99.99%。3.一种靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供靶材原料，所述靶材原料包括多个靶材原料颗粒，所述靶材原料颗粒呈球形，所述靶材原料的形成工艺包括射频等离子体球化工艺，所述射频等离子体球化工艺的工艺参数包括：等离子体的功率范围为10kW至200kW，载气流量为1L/min至10L /min，中气流量为1m3/h至5m3/h，边气流量为2m3/h至10m3/h；对所述靶材原料进行第一热等静压工艺处理，形成中间坯料；对所述中间坯料进行第二热等静压工艺处理，形成靶材，所述靶材中尺寸小于10
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m的晶粒数量占比小于或等于5%，且尺寸大于80
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m的晶粒数量小于或等于5%。4.如权利要求3所述的靶材的制造方法，其特征在于，所述第一热等静压工艺处理方法包括：将所述靶材原料放入包套，并抽真空；对包套内的所述靶材原料进行第一烧结处理，使所述靶材原料的相对密度范围达92%至95%，且靶材原料颗粒之间的间隙封闭，形成所述中间坯料。5.如权利要求4所述的靶材的制造方法，其特征在于，所述第一热等静压工艺处理的工艺参数包括：工艺气体包括惰性气体，工艺温度范围为1200℃至1400℃，腔室压强范围为180MPa至200MPa，工艺时间为2h至8h。6.如权利要求4所述的靶材的制造方法，其特征在于，所述包套的材料包括不锈钢或低碳钢。7.如权利要求4所述的靶材的制造方法，其特征在于，所述第二热等静压工艺处理方法包括：去掉所述中间坯料表面的所述包...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩刚，戚延龄，郭若冰，程兴德，韩启航，俞正，
申请(专利权)人：江苏集萃先进金属材料研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：