制备陶瓷粉末的装置制造方法及图纸

一种制备陶瓷粉末的装置，包括：反应腔；位于反应腔顶部的等离子体发生腔，所述等离子体发生腔与反应腔相连通；位于反应腔内底部的坩埚，所述坩埚用于承载反应物料；从等离子体发生腔顶部贯穿并延伸至等离子体发生腔内的进料管，所述进料管用于向坩埚内传输反应物料；高频电源，所述高频电源与等离子体发生腔电连接，所述高频电源用于在等离子体发生腔内生成等离子体；与反应腔相连通的沉降室；位于沉降室底部的收集罐，所述收集罐与沉降室相连通；与沉降室相连通的真空泵，所述真空泵用于使反应腔保持真空状态。所述装置制备的氮化铝纳米颗粒粒度小、纯度高，能够满足高要求器件的原材料需要；同时所述装置能够连续生产，生产效率和安全性高。率和安全性高。率和安全性高。

【技术实现步骤摘要】
制备陶瓷粉末的装置


[0001]本专利技术涉及陶瓷
，尤其涉及一种制备陶瓷粉末的装置。

技术介绍

[0002]氮化铝(AlN)陶瓷具有导热性好、带隙宽、击穿电场强度高、载流子饱和迁移率高等优异特性，因此被广泛应用于高温、高频、大功率电子器件和集成电路的制作领域作为散热基片或者衬底。高纯氮化铝纳米颗粒，是制备氮化铝陶瓷、氮化铝单晶的源材料。氮化铝纳米颗粒的纯度，颗粒直径，粒度均匀性对材料的性能影响很大。
[0003]制备氮化铝纳米颗粒的方法有氧化铝碳热还原法、铝粉直接氮化法、溶胶法、等离子合成法、含氮化铝键聚合物分解法、水引发固相发应法、溶胶
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凝胶法、化学气相沉积法等等。目前工业上运用最为广泛的是氧化铝碳热还原法，业界对其研究也最为深入，这种方法制备的氮化铝纳米颗粒可以规模化生产，纯度也较高，但纳米颗粒粒度较大，且其中的含氧量过高，不能直接用于作为大尺寸氮化铝单晶制备的原料。
[0004]其他制备氮化铝纳米颗粒的方法也都存在纳米颗粒粒度较大、纯度不够高的问题，不能满足高要求的氮化铝单晶制备。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备陶瓷粉末的装置，其特征在于，包括：反应腔；位于反应腔顶部的等离子体发生腔，所述等离子体发生腔与反应腔相连通；位于反应腔内底部的坩埚，所述坩埚用于承载反应物料；从等离子体发生腔顶部贯穿并延伸至等离子体发生腔内的进料管，所述进料管用于向坩埚内传输反应物料；高频电源，所述高频电源与等离子体发生腔电连接，所述高频电源用于在等离子体发生腔内生成等离子体；与反应腔相连通的沉降室；位于沉降室底部的收集罐，所述收集罐与沉降室相连通；与沉降室相连通的真空泵，所述真空泵用于使反应腔保持真空状态。2.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置，其特征在于，所述高频电源包括等离子射频电源。3.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置，其特征在于，位于所述反应腔内的所述等离子体的温度范围为大于3000摄氏度。4.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置，其特征在于，所述坩埚的材料包括铝。5.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置，其特征在于，还包括：与等离子体发生腔相连通第一进气管和第二进气管，所述第一进气管用于向等离子体发生腔内通入反应气体，所述第二进气管用于向等离子体发生腔内通入保护气体。6.如权利要求5所述的制备陶瓷粉末的装置，其特征在于，所述反应气体包括氮气和氩气；所述保护气体包括氩气。7.如权利要求5所述的制备陶瓷粉末的装...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩刚，郭若冰，戚延龄，程兴德，韩启航，
申请(专利权)人：江苏集萃先进金属材料研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：