半导体结构及其形成方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底以及堆叠结构，堆叠结构包括在垂直于基底表面方向上间隔设置的多个半导体层；在半导体层表面依次形成第一牺牲层、掩膜层和第二牺牲层，第一牺牲层、掩膜层和第二牺牲层填充于半导体层之间；图形化第二牺牲层、掩膜层、第一牺牲层以及半导体层，形成多个沿第一方向延伸的凹槽，凹槽的侧壁露出第一牺牲层；去除第一牺牲层，以形成空隙；形成初始字线层，初始字线层填充满凹槽以及空隙；去除第二牺牲层，以形成刻蚀孔；去除刻蚀孔露出的部分初始字线层，以形成在垂直于基底表面方向间隔排布的多个字线结构。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着动态存储器的集成密度朝着更高的方向发展，对动态存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及晶体管尺寸产生了更高的要求。
[0003]全环绕栅极晶体管结构作为动态存储器中的晶体管时，可在给定工艺条件下可获得较小的图案尺寸，有利于增加动态存储器的集成密度。目前动态存储器中字线结构的形貌以及字线结构之间的间隔距离取决于形成字线结构的工艺条件，但形成字线结构的工艺条件无法精准的控制字线结构的形貌和相邻字线结构之间的间隔距离，可能导致不同字线结构的形貌不同甚至导致字线结构内存在孔洞，造成字线结构的断路，影响动态存储器的性能。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，至少有利于提高半导体结构的性能。
[0005]本公开实施例一方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底以及位于基底上的堆叠结构，堆叠结构包括在垂直于基底表面方向上间隔设置的多个半导体层；在半导体层表面依次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于所述基底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括在垂直于所述基底表面方向上间隔设置的多个半导体层；在所述半导体层表面依次形成第一牺牲层、掩膜层和第二牺牲层，所述第一牺牲层、所述掩膜层和所述第二牺牲层填充于所述半导体层之间；图形化所述第二牺牲层、所述掩膜层、所述第一牺牲层以及所述半导体层，形成多个沿第一方向延伸的凹槽，所述凹槽的侧壁露出所述第一牺牲层；去除所述第一牺牲层，以形成空隙；形成初始字线层，所述初始字线层填充满所述凹槽以及所述空隙；去除所述第二牺牲层，以形成刻蚀孔；去除所述刻蚀孔露出的部分所述初始字线层，以形成在垂直于所述基底表面方向间隔排布的多个字线结构。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体层表面依次形成所述第一牺牲层、所述掩膜层和所述第二牺牲层包括：在所述半导体层顶面、底面以及侧面形成所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成所述掩膜层，沿垂直于所述基底表面方向上，相邻的所述半导体层之间的所述掩膜层间隔有第一间隙；在所述掩膜层表面形成填充满所述第一间隙的所述第二牺牲层。3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述堆叠结构沿所述第一方向间隔排布；在所述第一牺牲层表面形成所述掩膜层后，相邻所述堆叠结构之间的所述掩膜层间隔有第二间隙；所述第二牺牲层还填充满所述第二间隙。4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，每一所述半导体层顶面或底面的所述第一牺牲层的厚度相同，每一所述第一间隙在垂直于所述基底表面的方向上的宽度相同。5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括氧化硅；所述掩膜层的材料包括氮化硅；所述第二牺牲层的材料包括低介电常数材料。6.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述堆叠结构的工艺步骤包括：在所述基底表面形成依次层叠的牺牲膜以及半导体膜；图形化所述牺牲膜以及所述半导体膜，形成多个沿第二方向延伸的初始第二间隙；去除所述牺牲膜，剩余的所述半导体膜作为所述半导体层。7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲膜之后还包括：对所述半导体膜的厚度进行减薄处理。8.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：