下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号:35537030

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法,半导体结构的形成方法包括:提供基底以及堆叠结构,堆叠结构包括在垂直于基底表面方向上间隔设置的多个半导体层;在半导体层表面依次形成第一牺牲层、掩膜层和第二牺牲层,第一牺牲层、掩膜层和第二牺牲层填充于...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。