半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器技术

本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、多个接触插塞以及多个第一介质部，接触插塞与第一介质部在衬底上沿与衬底厚度方向垂直的方向交替设置；在接触插塞远离衬底的表面上形成间隔排布的第一导电部，第一导电部与接触插塞连接；在第一导电部上形成介质层；形成多个第二导电部，第二导电部贯穿介质层，且与第一预定表面以及第二预定表面分别接触，第一预定表面为第一导电部的部分表面，第二预定表面为与第一预定表面相邻的第一介质部的部分表面。本申请解决了现有技术中直接对导电层进行刻蚀，来形成S型的接触垫片，造成刻蚀过程较难控制，且得到的接触垫片形貌不好的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器。

技术介绍

[0002]现有技术中，在形成有接触插塞的衬底上形成电容接触垫的过程，通常是先在衬底上沉积导电层，再对导电层进行图案化，以形成多个S型的电容接触垫，该图案化过程较难控制，且得到的电容接触垫的头部有大有小，部分电容接触垫的颈部比较薄，整体形貌不好，影响后续器件的电性性能。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器，以解决现有技术中形成的电容接触垫的形貌不好的问题。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底、多个接触插塞以及多个第一介质部，所述接触插塞与所述第一介质部在所述衬底上沿与所述衬底厚度方向垂直的方向交替设置；在所述接触插塞远离所述衬底的表面上形成间隔排布的第一导电部，所述第一导电部与所述接触插塞连接；在所述第一导电部上形成介质层；形成多个第二导电部，所述第二导电部贯穿所述介质层，且与第一预定表面以及第二预定表面分别接触，所述第一预定表面为至少所述第一导电部的部分表面，所述第二预定表面为与所述第一预定表面相邻的所述第一介质部的部分表面。
[0006]在一些实施例中，所述接触插塞的顶部与衬底的预定表面的距离小于所述第一介质部的顶部与所述预定表面的距离，在所述接触插塞远离所述衬底的表面上形成间隔排布的第一导电部，包括：形成覆盖所述基底的第一导电层，且所述第一导电层的上表面为平面；去除部分的所述第一导电层，使得各所述第一介质部远离所述衬底的表面裸露，剩余的所述第一导电层形成多个间隔的所述第一导电部。
[0007]在一些实施例中，去除部分的所述第一导电层，包括：平坦化所述第一导电层，使得所述第一介质部裸露。
[0008]在一些实施例中，形成多个第二导电部，包括：去除部分的所述介质层，形成多个凹槽，所述凹槽使得所述第一预定表面以及所述第二预定表面裸露，剩余的所述介质层形成多个间隔的第二介质部；在所述凹槽中形成所述第二导电部。
[0009]在一些实施例中，去除部分的所述介质层，形成多个凹槽，包括：在所述介质层远离所述衬底的表面上形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜，图案化所述介质层，以形成多个所述凹槽；去除所述掩膜结构。
[0010]在一些实施例中，在所述凹槽中形成所述第二导电部，包括：在所述凹槽中以及所述第二介质部远离所述衬底的表面上形成第二导电层，所述第二导电层填满所述凹槽；平坦化所述第二导电层，使得所述第二介质部裸露，剩余的所述第二导电层形成多个所述第二导电部。
[0011]在一些实施例中，在形成多个第二导电部之后，所述方法还包括：在所述第二导电部远离所述衬底的表面上形成电容结构，所述电容结构与所述第二导电部连接。
[0012]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种半导体器件，包括基底、多个第一导电部以及多个第二导电部，其中，所述基底包括衬底、多个接触插塞以及多个第一介质部，所述接触插塞与所述第一介质部在所述衬底上沿与所述衬底厚度方向垂直的方向交替设置；所述第一导电部一一对应地位于所述接触插塞远离所述衬底的表面上；所述第二导电部位于所述第一导电部以及所述第一介质部远离所述衬底的表面上，所述第二导电部与第一预定表面以及第二预定表面分别接触，所述第一预定表面为所述第一导电部的部分表面，所述第二预定表面为与所述第一预定表面相邻的所述第一介质部的部分表面。
[0013]在一些实施例中，所述半导体器件还包括多个第二介质部，所述第二介质部位于所述第一导电部以及所述第一介质部远离所述衬底的表面上，所述第二介质部还位于所述相邻的两个所述第二导电部之间。
[0014]在一些实施例中，在平行于所述衬底的方向上，所述第一导电部的宽度不大于所述第二导电部的宽度。
[0015]在一些实施例中，在平行于所述衬底的方向上，所述第一介质部的宽度不小于所述第二介质部的宽度。
[0016]在一些实施例中，所述第一介质部以及所述第二介质部的材料相同或不同。
[0017]在一些实施例中，所述第一导电部以及所述第二导电部的材料包括金属导电材料、半导体导电材料中的一种或多种。
[0018]根据本专利技术实施例的再一方面，还提供了一种存储器，包括采用任一种所述的方法制作得到的半导体器件，或者包括任一种所述的半导体器件。
[0019]采用本申请的技术方案，所述的半导体器件的制作方法中，首先提供包括衬底、多个接触插塞以及多个第一介质部的基底，所述接触插塞与所述第一介质部交替设置在所述衬底上；然后，在所述接触插塞的顶部形成间隔排布的第一导电部，再在第一导电部的裸露表面上覆盖上介质层；最后，形成贯穿所述介质层的多个第二导电部，所述第二导电部和所述第一导电部的部分表面接触，还和所述第一预定表面相邻的所述第一介质部的部分表面接触。本申请的实施例先在电容接触插塞上形成第一导电部，再形成横向偏移第一导电部一部分的第二导电部，第一导电部以及第二导电部构成电容接触垫片，无需对导电材料进行刻蚀，保证了电容接触垫片的形成过程较为可控，得到的电容接触垫片的形貌较好，解决了现有技术中直接对导电层进行刻蚀，来形成S型的接触垫片，造成刻蚀过程较难控制，且得到的接触垫片的形貌不好的问题。另外，相比于现有技术中刻蚀形成S型的电容接触垫的方式，本申请的所述方法消耗掉的第二导电部的材料较少，保证了由第一导电部和第二导电部构成的S型接触垫片的面积较大，电阻较小，从而保证了整个半导体器件的性能较好。
附图说明
[0020]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0021]图1示出了根据本申请的实施例的半导体器件的制作方法的流程示意图；
[0022]图2至图8分别示出了本申请实施例的半导体器件的制作方法在各工艺步骤后得到的结构示意图；
[0023]图9示出了根据本申请的实施例的半导体器件的结构示意图。
[0024]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0025]100、衬底；101、接触插塞；102、第一介质部；103、第一导电部；104、介质层；105、第二导电部；106、第一导电层；107、凹槽；108、第二介质部；109、掩膜结构；110、有源区；111、隔离层；112、接触部；113、金属部；114、第三导电层。
具体实施方式
[0026]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、多个接触插塞以及多个第一介质部，所述接触插塞与所述第一介质部在所述衬底上沿与所述衬底厚度方向垂直的方向交替设置；在所述接触插塞远离所述衬底的表面上形成间隔排布的第一导电部，所述第一导电部与所述接触插塞连接；在所述第一导电部上形成介质层；形成多个第二导电部，所述第二导电部贯穿所述介质层，且与第一预定表面以及第二预定表面分别接触，所述第一预定表面为至少所述第一导电部的部分表面，所述第二预定表面为与所述第一预定表面相邻的所述第一介质部的部分表面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触插塞的顶部与衬底的预定表面的距离小于所述第一介质部的顶部与所述预定表面的距离，在所述接触插塞远离所述衬底的表面上形成间隔排布的第一导电部，包括：形成覆盖所述基底的第一导电层，且所述第一导电层的上表面为平面；去除部分的所述第一导电层，使得各所述第一介质部远离所述衬底的表面裸露，剩余的所述第一导电层形成多个间隔的所述第一导电部。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除部分的所述第一导电层，包括：平坦化所述第一导电层，使得所述第一介质部裸露。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成多个第二导电部，包括：去除部分的所述介质层，形成多个凹槽，所述凹槽使得所述第一预定表面以及所述第二预定表面裸露，剩余的所述介质层形成多个间隔的第二介质部；在所述凹槽中形成所述第二导电部。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，去除部分的所述介质层，形成多个凹槽，包括：在所述介质层远离所述衬底的表面上形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜，图案化所述介质层，以形成多个所述凹槽；去除所述掩膜结构。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述第二导电部，包括：在所述凹槽中以及所述第二介质部远离所述衬底的表面上形成第二导电层，所述第二导电层填满所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊少游，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：