一种化合物及其在有机光电器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种化合物及其在有机光电器件中的应用，该化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示，基团A中X1‑

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其在有机光电器件中的应用


[0001]本专利技术属于有机光电材料领域，特别涉及一种化合物及其在有机光电器件中的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(Organic Light Emission Diodes，OLED)器件是一类具有类三明治结构的器件，包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层，该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板，还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展，是一种发展快、技术要求高的新型显示技术，有机电致发光(OLED)材料在信息显示材料、有机光电子材料等领域的应用具有极大的研究价值和应用前景。
[0003]随着OLED技术的研究和发展，器件所用的发光材料、空穴传输材料、电子传输材料制备技术有日新月异的提升。然而，电子传输材料的电子迁移率远低于空穴传输材料的空穴迁移率，一方面会导致OLED器件中载流子的注入和传输不均衡，空穴与电子的复合几率降低，进而会降低器件的发光效率；另一方面由于电子传输材料的电子迁移率低下，会导致器件的工作电压升高，从而降低器件的整体功率效率，也造成能源损耗。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种可用于有机光电器件的化合物，其化学结构如式(Ⅰ)所示：
[0005][0006]式(Ⅰ)中，A选自如下基团结构：
[0007][0008]X1‑
X3独立选自O、S、
‑
NR
16
‑
或
‑
CR
17
>R
18
‑
，其中至多两个为
‑
CR
17
R
18
‑
，至多一个为O；
[0009]Z1‑
Z9独立选自O、S、
‑
CR
19
R
20
‑
或
‑
NR
21
‑
，且在同一个分子内至少一个为
‑
CR
19
R
20
‑
；
[0010]*为与B的连接位点；
[0011]B选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C2
‑
C30杂芳基；
[0012]R1‑
R8和R
16
‑
R
21
各自独立选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1
‑
C12烷基、取代或未取代的C1
‑
C12烷氧基、取代或未取代的C1
‑
C12烷硫基、取代或未取代的C3
‑
C18环烷基、取代
或未取代的C3
‑
C18杂环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C2
‑
C30杂芳基，且R1‑
R8至少一个选自式(Ⅱ)所示的基团结构：
[0013][0014]E为含有N或O的吸电子基团；
[0015]L1和L2选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C2
‑
C30杂芳基。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的化合物由于并环类基团的引入，调节化合物的HOMO、LUMO能级的同时，使化合物分子之间的堆积更为松散，不仅降低了升华温度，更加利于蒸镀操作，而且降低了分子间的淬灭过程，提升了器件的寿命。另外，引入一些含有N原子或O原子的吸电子基团，降低分子的LUMO能级，能更加适用于电子传输材料。本专利技术的化合物应用于有机光电器件，能使器件具备有较高效率，同时分子具有高的稳定性，能进一步提升器件的发光效率和使用寿命。
具体实施方式
[0017]以下详细说明具体公开的化合物及其在有机光电器件中的应用的实施方式。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0018]在进一步描述本专利技术具体实施方式之前，应理解本专利技术的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本专利技术实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本专利技术的保护范围；在本专利技术说明书和权利要求书中，除非文中另外明确指出，单数形式“一个”、“一”和“这个”包括复数形式。
[0019]当实施例给出数值范围时，应理解除非本专利技术另有说明，每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。除非另外定义，本专利技术中使用的所有技术和科学术语与本
技术人员通常理解的意义相同，除实施例中使用的具体方法、设备、材料外，根据本
的技术人员对现有技术的掌握及本专利技术的记载，还可以使用与本专利技术实施例中方法、设备、材料相似或等同的现有技术中任何方法、设备和材料来实现本专利技术。
[0020]本专利技术中取代基的实例描述如下，但取代基并不限于此：
[0021]【取代或未取代】是指经选自以下的一个或更多个取代基取代：氘、卤素、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、氧化膦基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、甲硅烷基、硼基、烷基、环烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、芳烷基胺基、杂芳基胺基、芳基胺基、芳基膦基和杂芳基、苊基或未取代；或者经连接以上示例的取代基中的两个或更多个取代基的取代基取代，或未取代，例如“连接两个或更多个取代基的取代基”可包括联苯基，即联苯基可为芳基，或者为连接两个苯基的取代基。
[0022]【烷基】可为直链或支链的烷基，并且碳原子数没有特别限制。在一些实施例中，烷基包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1
‑
甲基
‑
丁基、1
‑
乙基
‑
丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1
‑
甲基戊
基、2
‑
甲基戊基、4
‑
甲基
‑2‑
戊基、3,3
‑
二甲基丁基、2
‑
乙基丁基、庚基、正庚基、1
‑
甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1
‑
甲基庚基、2
‑
乙基己基、2
‑
丙基戊基、正壬基、2,2
‑
二甲基庚基、1
‑
乙基
‑
丙基、1,1
‑
二甲基
‑
丙基、异己基、4
‑
甲基己基、5
‑
甲基己基。
[0023]以上对烷基的描述也可用于芳烷基、芳烷基胺基、烷基芳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其化学结构如式(Ⅰ)所示：式(Ⅰ)中，A选自如下基团结构：X1‑
X3独立选自O、S、
‑
NR
16
‑
或
‑
CR
17
R
18
‑
，其中至多两个为
‑
CR
17
R
18
‑
，至多一个为O；Z1‑
Z9独立选自O、S、
‑
CR
19
R
20
‑
或
‑
NR
21
‑
，且在同一个分子内至少一个为
‑
CR
19
R
20
‑
；*为与B的连接位点；B选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C2
‑
C30杂芳基；R1‑
R8和R
16
‑
R
21
各自独立选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1
‑
C12烷基、取代或未取代的C1
‑
C12烷氧基、取代或未取代的C1
‑
C12烷硫基、取代或未取代的C3
‑
C18环烷基、取代或未取代的C3
‑
C18杂环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C2
‑
C30杂芳基，且R1‑
R8至少一个选自式(Ⅱ)所示的基团结构：E为含有N或O的吸电子基团；L1和L2选自单键、取代或未取代的C6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，王湘成，何睦，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：