一种化合物和包含其的有机电致发光器件制造技术

技术编号:38835410 阅读:10 留言:0更新日期:2023-09-17 09:52
本发明专利技术公开了一种化合物和包含其的有机电致发光器件,该化合物结构如式(1)所示,R1~R6独立选自氘、取代或未取代的C1~C10烷基、C3~C10环烷基、C6~C24芳基、C2~C24杂芳基;Z1~Z3独立选自N或C(R

【技术实现步骤摘要】
一种化合物和包含其的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机发光材料领域,具体涉及一种化合物和包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(亦被简称为OLED,即有机发光二极管)是一类将电能转换为光能的自发光电子元器件,具有更高的对比度、更宽的可视角、更快的响应时间等优势,以及能够在柔性基底制备成可卷曲、可弯折等多种形态的产品,近年来受到学术界和产业界的广泛关注。
[0003]OLED器件主要由阳极、有机层和阴极三部分组成,其中,有机材料是影响器件发光效率和使用寿命的重要因素。根据电致发光的基本原理,相比于传统的荧光发光材料,磷光发光材料的量子效率在理论上可至多提高4倍。因此,近年来磷光OLED发光技术被广泛地研究。为了减少发光材料聚集引起的浓度淬灭效应,以及提高载流子在发光层中的传输效率,通常会在发光层材料中引入另一主体材料,形成“主

客体”共混结构,以提升器件的发光效率和使用寿命。
[0004]咔唑类化合物是目前常用的磷光主体材料,例如4,4'

双(N

咔唑基)

1,1'

联苯(CBP),3,3'

双(N

咔唑基)

1,1'

联苯(m

CBP)。虽然这类材料能够提供良好的发光特性,但仍然存在以下不足:(1)其玻璃化转变温度偏低,在器件工作时容易受焦耳热的影响,薄膜形貌发生变化,加速主

客体材料的相分离,导致器件老化加速,使用寿命降低;(2)一般地,咔唑类化合物的空穴迁移率远高于电子迁移率,这导致载流子在发光层的传输不平衡,器件需要较高的工作电压才能实现电子和空穴的大量复合,限制了功耗的降低。因此,为了满足消费电子领域对OLED器件高效率与长使用寿命的需求,开发稳定性强、载流子迁移特性良好的有机材料十分必要。
[0005]专利申请公开号WO2014/185595公开一种作为磷光OLED器件,尤其是绿光磷光OLED器件的主体材料的化合物,其同时包含含氮的杂芳基(例如三嗪)与三亚苯基。相比于CBP,这类化合物具有更好的空穴和电子传输平衡,从而实现了器件工作电压的降低,以及器件寿命的提升。然而,在器件发光效率和使用寿命方面,上述公开的OLED器件仍然不令人满意。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种新的化合物,其包含环烷基并芳基或杂环烷基并芳基片段,可作为有机电致发光器件的电子传输层材料、空穴阻挡层材料或发光层主体材料,实现极佳的效率和寿命特性。
[0007]本专利技术提供一种化合物,其具有如式(1)所示的化学结构:
[0008][0009]式(1)中,R1~R6彼此相同或不同,独立地选自氘、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C6~C24芳基、取代或未取代的C2~C24杂芳基;
[0010]Z1,Z2,Z3各自独立选自N或C(R
z
),且至少有两个为N;
[0011]R
z
选自氢、氘、卤素基团、氰基、异腈基、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10烷硫基、取代或未取代的C6~C18芳基、取代或未取代的C2~C18杂芳基、取代或未取代的C1~C18酮基、取代或未取代的C2~C18烷氧基羰基、取代或未取代的C6~C18芳氧基羰基;
[0012]L
11,
L
12
,L
13
彼此相同或不同,各自独立选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C2~C30亚杂芳基,且同时满足:

L
11,
L
12
,L
13
不同时为单键;

L
11,
L
12
,L
13
的取代基中至少一个为取代或未取代的苊基或如式(2)所示的基团:
[0013]式(2)中,苯环上的任意氢原子可以被以下基团中的一个所取代:氘、卤素基团、氰基、异腈基、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10烷硫基、取代或未取代的C6~C18芳基、取代或未取代的C2~C18杂芳基、取代或未取代的C1~C18酮基、取代或未取代的C2~C18烷氧基羰基、取代或未取代的C6~C18芳氧基羰基;
[0014]环G选自式(3)~(5)所示的任意一个环:
[0015][0016]在式(3)~(5)中,Z每一次出现时彼此相同或不同,各自独立选自C(R
a
R
b
)、N(R
c
)、O或S,且所述环G的环状结构中任意一个氢原子均可被氘取代;
[0017]R
a
,R
b
,R
c
彼此相同或不同,各自独立选自氢、氘、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C6~C18芳基、取代或未取代的C2~C18杂芳基;
[0018]L1和L2彼此相同或不同,各自独立选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C2~C30亚杂芳基;
[0019]Ar1和Ar2彼此相同或不同,各自独立选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基、取代或未取代的苊基或如式(2)所示的基团;
[0020]m和n分别表示Ar1,Ar2的数量,各自独立选自1,2或3;
[0021]*表示连接位点,与相应的碳原子连接;
[0022]在式(1)~(5)中,任意一个所述“取代或未取代的
…”
中的“取代的
…”
是指被独立地选自由氘、卤素基团、氰基、硝基、C1~C10烷基、C3~C10环烷基、C1~C10烷氧基、C1~C10烷硫基、C6~C18芳基、C2~C18杂芳基组成的组中的一个或多个取代基所取代。
[0023]本专利技术还提供一种有机电致发光器件,其包括相对设置的阳极、阴极以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层,选自有机发光层、电子传输层、空穴阻挡层或空穴传输层中的至少一层。所述功能层包含本专利技术前述化合物中的一种或多种。
[0024]本专利技术还提供一种显示装置,其包括本专利技术前述有机电致发光器件。
[0025]与现有技术相比,本专利技术具有如下有益效果:首先,环烷基并芳基或环烷基并杂芳基片段的引入,能够进一步地平衡分子的空穴和电子传输特性,有利于降低器件的工作电压,提升发光效率。此外,本专利技术提供的这类化合物,还具有以下几方面的优势:一方面,环烷基或杂环烷基促使分子本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物,其具有如式(1)所示的化学结构:式(1)中,R1~R6彼此相同或不同,独立地选自氘、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代C3~C10环烷基、取代或未取代的C6~C24芳基、取代或未取代的C2~C24杂芳基;Z1,Z2,Z3各自独立选自N或C(R
z
),且至少有两个为N;R
z
选自氢、氘、卤素基团、氰基、异腈基、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10烷硫基、取代或未取代的C6~C18芳基、取代或未取代的C2~C18杂芳基、取代或未取代的C1~C18酮基、取代或未取代的C2~C18烷氧基羰基、取代或未取代的C6~C18芳氧基羰基;L
11,
L
12
,L
13
彼此相同或不同,各自独立选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C2~C30亚杂芳基,且同时满足:

L
11,
L
12
,L
13
不同时为单键;

L
11,
L
12
,L
13
的取代基中至少一个选自取代或未取代的苊基或如式(2)所示的基团:式(2)中,苯环上的任意氢原子可以被以下基团中的一个所取代:氘、卤素基团、氰基、异腈基、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10烷硫基、取代或未取代的C6~C18芳基、取代或未取代的C2~C18杂芳基、取代或未取代的C1~C18酮基、取代或未取代的C2~C18烷氧基羰基、取代或未取代的C6~C18芳氧基羰基;环G选自式(3)~(5)所示的任意一个环:在式(3)~(5)中,Z每一次出现时彼此相同或不同,各自独立选自C(R
a
R
b
)、N(R
c
)、O或S,且所述环G的环状结构中任意一个氢原子均可被氘取代;R
a
,R
b
,R
c
彼此相同或不同,各自独立选自氢、氘、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C6~C18芳基、取代或未取代的C2~C18杂芳基;L1和L2彼此相同或不同,各自独立选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C2~C30亚杂芳基;Ar1和Ar2彼此相同或不同,各自独立选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代
的C2~C30杂芳基、取代或未取代的苊基或如式(2)所示的基团;m和n分别表示Ar1,Ar2的数量,各自独立选自1,2或3;*表示连接位点,与相应的碳原子连接;在式(1)~(5)中,任一所述“取代或未取代的
…”
中的“取代的
…”
是指被独立地选自由氘、卤素基团、氰基、硝基、C1~C10烷基、C3~C10环烷基、C1~C10烷氧基、C1~C10烷硫基、C6~C18芳基、C2~C18杂芳基组成的组中的一个或多个取代基所取代。2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,式(1)所示的化学结构选自式(1

1)或式(1

2)所示的化学结构:在式(1

1)和(1

2)中,R1~R6、L
11
~L
13
、Z1~Z3、L1、L2、Ar1、Ar2、m、n的含义如权利要求1所述。3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述环G选自以下任意一个取代基结构:3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述环G选自以下任意一个取代基结构:其中,R
c
选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、苯基、苄基、甲基苯基、乙基苯基、叔丁基苯基、联苯基或萘基;*表示连接位点,与相应的碳原子连接。4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述环G选自以下任意一个取代基结构:
其中,R
c
选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、苯基、苄基、甲基苯基、乙基苯基、叔丁基苯基、联苯基或萘基;*表示连接位点,与相应的碳原子连接。5.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述环G选自以下任意一个取代基结构:
其中,R
c
选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、苯基、苄基、甲基苯基、乙基苯基、叔丁基苯基、联苯基或萘基;*表示连接位点,与相应的碳原子连接。6.根据权利要求1

5任一项所述的化合物,其特征在于,L
11
~L
13
彼此相同或不同,当不为单键时,独立选自以下任意一个取代基结构:其中,E选自O、S、N(R
20
)或C(R
21
R
22
),R
20
~R
22
各自独立选自C1~C12烷基、C3~C12环烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基,或者R
21
、R
22
键合形成C5~C12脂肪族环,或者R
21
、R
22
键合形成C12~C30芳香稠环;R

【专利技术属性】
技术研发人员:何睦王湘成王鹏
申请(专利权)人:上海钥熠电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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