一种化合物及其在有机光电器件的应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种化合物及其在有机光电器件的应用。所述化合物的化学结构如式(Ⅰ)：本发明专利技术的化合物应用到有机器件上，能使器件具备有较高的空穴迁移率，并且能够有效的阻挡电子、激子进入到空穴传输层中，从而提高器件的效率，同时分子具有高的稳定性，能进一步提升器件的发光效率和使用寿命。和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其在有机光电器件的应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种化合物及其在有机光电器件的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件是一类具有类三明治结构的器件，包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。目前，该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板，进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展，是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。常见的应用于OLED器件的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料、电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。基于此，OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。到目前为止，现有的OLED光电功能材料的发展还远远落后于面板制造企业对OLED材料的要求，因此开发性能更好的有机功能材料满足当前产业发展需求显得尤为紧迫。目前空穴传输材料主要采用具有良好的空穴传输特性的芳香胺化合物。N,N'
‑
二苯基
‑
N,N'
‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1'
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺(NPB)由于具有适中的最高已占据轨道能级和良好的空穴迁移率，从而被广泛应用于多种色光的有机电致发光器件中。然而，该分子的玻璃化转化温度较低(98℃)，器件在长时间工作时累积焦耳热的作用下容易发生相变，从而对器件的寿命造成较大的影响。因此，设计同时具有较高迁移率和玻璃化转变温度的空穴传输材料是十分有必要的。同时，在绿光器件中，空穴传输材料的寿命一直存在一些问题，制约了器件的使用，因此开发高效率及高寿命的空穴传输材料具有重要意义。
[0003]现有技术中，为了提升空穴传输材料的效率及寿命，采取增加供电子基团或增大分子的共轭程度。例如：专利文献1及专利文献2记载，在远离氮原子的侧链上引入一些烷基基团，能提升材料的迁移效率，但是随着烷基基团的引入，导致材料的热稳定性及电学稳定性降低，从而器件的寿命得不到保障。专利文献3记载，以螺芴氧杂蒽为母体的三芳胺结构上引入苯并烷基基团，材料的迁移率得到提升，但是效果不显著，根据分子的模拟计算结果显示，分子的HOMO、LUMO能级分布均没有氧杂蒽基团的贡献，导致分子的迁移率提升不够。
[0004]专利文献4：在邻近氮原子的位置引入苯环，材料的寿命得以提升，但是迁移率还要进一步提升。
[0005]专利文献：
[0006]专利文献1：CN113773207A
[0007]专利文献2：KR1020220049676A
[0008]专利文献3：CN114507222A
[0009]专利文献4：KR1020170092092

技术实现思路

[0010]如上所述，在现有技术中，在远离氮原子的侧链上引入烷基基团，能提升材料的迁移率，但是尚未兼顾解决材料的效率及寿命的问题。鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种化合物及其在有机光电器件的应用，用于解决现有技术中的问题。
[0011]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术一方面提供一种化合物，所述化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：
[0012][0013]其中：
[0014]所述基团A选自如下所示基团中的一种或多种：
[0015][0016]Z1‑
Z
75
、Z
76
‑
Z
121
各自独立选自CR3R4，NR5，SiR6R7，BR8、O或S；*1，*2为基团A的连接位点；*1或*2可与基团A上的任意位置连接；
[0017]X1，X2各自独立选自单键，CR9R
10
，NR
11
，SiR
12
R
13
，O或S；R1‑
R
13
相同或不同，各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的直链或支链的C1～C30的烷基；取代或未取代的C1～C30的杂烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C3～C30的杂环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C6～C30的杂芳基；
[0018]L1‑
L3相同或不相同，各自独立选自单键，取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基；
[0019]Ar1和Ar2相同或不相同，各自独立选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基。
[0020]本专利技术另一方面提供一种有机层，包括如本专利技术第一方面所述的化合物。
[0021]本专利技术的化合物能与其他组分形成一种有机层，可以在有机光电器件中应用。
[0022]本专利技术另一方面提供一种有机光电器件，其包括第一电极、第二电极和如本专利技术前述的有机层，其中，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一层。
[0023]本专利技术另一方面提供一种显示或照明装置，包括如本专利技术前述的有机光电器件。
[0024]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0025]本专利技术提供的化合物，在邻近氮原子的基团上引入苯并烷基。苯并烷基相对于芳基，具有更好的电子传输能力，从而整体化合物具有良好的空穴传输性能。同时，因为在氮原子的邻近位置引入苯并烷基，能提升分子的三线态能级，使之材料的三线态稳定，从而寿命得以提升。另外，氮原子同苯并烷基之间有弱的共轭效应，从而提升了分子的空穴传输能力。因此，本专利技术的化合物应用到有机器件上，能使器件具备有较高的空穴迁移率，并且能够有效的阻挡电子、激子进入到空穴传输层中，从而提高器件的效率，同时分子具有高的稳定性，能进一步提升器件的发光效率和使用寿命。
[0026]此外，当L1不为单键时，因为引入了芳香基团，调节分子的HOMO、LUMO能级，使之更匹配器件。另外，芳基的引入，降低了分子的三线态能级，提升了分子的热稳定型。更令人意外的是，相较于L1为单键时，当L1不为单键时，材料分子的效率及寿命显著提升，材料更加适合应用于蓝色器件中。
具体实施方式
[0027]以下，详细说明具体公开的化合物及其在有机光电器件中的应用的实施方式。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0028]在进一步描述本专利技术具体实施方式之前，应理解，本专利技术的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本专利技术实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本专利技术的保护范围；在本专利技术说明书和权利要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，所述化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：其中：所述基团A选自如下所示基团中的一种或多种：Z1‑
Z
75
、Z
76
‑
Z
121
各自独立选自CR3R4，NR5，SiR6R7，BR8，O或S；*1，*2为基团A的连接位点；*1或*2可与基团A上的任意位置连接；X1，X2各自独立选自单键，CR9R
10
，NR
11
，SiR
12
R
13
，O或S；或者R9、R
10
键合成环；R1‑
R
13
相同或不同，各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的直链或支链的C1～C30的烷基；取代或未取代的C1～C30的杂烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C3～C30的杂环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C6～C30的杂芳基；L1‑
L3相同或不相同，各自独立地选自单键，取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基；Ar1和Ar2相同或不相同，各自独立选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基。2.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述基团A选自如下所示基团中的任一种：
其中：R
16
‑
R
23
各自独立选自选自氢、氘、取代或未取代的C1
‑
C60的烷基、取代或未取代的C1
‑
C60的环烷基、取代或未取代的C1
‑
C60的杂烷基、取代或未取代的C1
‑
C60的杂环烷基、取代或未取代的C1
‑
C60的芳基或取代或未取代的C1
‑
C60的杂芳基中的一种或多种；其中
‑‑‑‑‑‑
*为原子的连接位点。3.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述基团A选自如下所示基团中的任一种：
4.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述X1、X2各自独立选自单键、O、S、5.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1、R2各自独立的选自氢、氘；和/或，R3‑
R
13
相同或不同，各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的直链或支链的C1～C30的烷基；取代或未取代的C1～C12的烷氧基、取代或未取代的C1～C12的烷硫基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C3～C30的杂环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C6～C30的杂芳基。6.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L1～L3各自独立选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，王湘成，何睦，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：