化合物及其在有机光电器件的应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种化合物及其在有机光电器件的应用。所述化合物的化学结构如式(Ⅰ)：本发明专利技术的化合物应用到有机器件上，能使器件具备有较好电子或空穴传输效率，同时分子具有高的稳定性，能提升器件的发光效率和使用寿命。升器件的发光效率和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
化合物及其在有机光电器件的应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种化合物及其在有机光电器件的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件是一类具有类三明治结构的器件，包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。目前，该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板，进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展，是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。常见的应用于OLED器件的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料、电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。基于此，OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。到目前为止，现有的OLED光电功能材料的发展还远远落后于面板制造企业对OLED材料的要求，因此开发性能更好的有机功能材料满足当前产业发展需求显得尤为紧迫。目前空穴传输材料主要采用具有良好的空穴传输特性的芳香胺化合物。N,N'
‑
二苯基
‑
N,N'
‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1'
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺(NPB)由于具有适中的最高已占据轨道能级和良好的空穴迁移率，从而被广泛应用于多种色光的有机电致发光器件中。然而，该分子的玻璃化转化温度较低(98℃)，器件在长时间工作时累积焦耳热的作用下容易发生相变，从而对器件的寿命造成较大的影响。因此，设计同时具有较高迁移率和玻璃化转变温度的空穴传输材料是十分有必要的。另外，电子传输材料的迁移率性能需要进一步提升，同时材料在常用溶剂中的溶解性需要提升，以便适用于工业生产。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种化合物及其在有机光电器件的应用，用于解决现有技术中的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术一方面提供一种化合物，所述化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：
[0005][0006]其中：
[0007]所述A选自CR5R6、SiR7R8、NR9、O、S：
[0008]R1‑
R4相同或不同，各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的直链或支链的C1～C30的烷基；取代或未取代的C1～C30的杂烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取
代的C3～C30的杂环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基、或取代或未取代的芳香胺基、或与相邻的基团键合成环；
[0009]R5‑
R8各自独立选自氢、氘、C1～C10的烷基、或C1～C10的氘代烷基；
[0010]A选自CR9R
10
、SiR
11
R
12
、NR
13
、O、或S：其中，R9‑
R
13
选自取代或未取代的C1
‑
C30的烷基、取代或未取代的C1
‑
C30的氘代烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基、取代或未取代的C6
‑
C30的氘代芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的氘代杂芳基、或R9、R
10
键合成环、R
11
、R
12
键合成环。
[0011]在一些情况下，A优选自如下：
[0012][0013]其中，R
13
为取代或未取代的C6～C30的芳基；*为原子连接位点。
[0014]本专利技术另一方面提供一种有机层，包括如本专利技术第一方面所述的化合物。
[0015]本专利技术另一方面提供本专利技术所述化合物和/或本专利技术所述的有机层在有机光电器件中的应用。
[0016]本专利技术另一方面提供一种有机光电器件，其包括第一电极、第二电极和如本专利技术所述的有机层，其中，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一层。
[0017]本专利技术另一方面提供一种显示或照明装置，其包括本专利技术所述的有机光电器件。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0019]本专利技术提供的化合物，因为在芴的苯环区域引入杂原子基团，使分子的LUMO降低，并且分子的LUMO固定在芴的区域。并且分子的HOMO随之也降低，更加匹配器件的HOMO、LUMO能级要求。另外，和对比专利技术的化合物相比，因为杂原子的吸电作用，使芳基并烷基基团的供电效应适中，从而本专利技术的化合物应用到有机器件上，能使器件具备有更高的空穴迁移率，并且能够有效的阻挡电子、激子进入到空穴传输层中，器件具备有更高的发光效率和使用寿命。
具体实施方式
[0020]以下，详细说明具体公开的化合物及其在有机光电器件中的应用的实施方式。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0021]在进一步描述本专利技术具体实施方式之前，应理解，本专利技术的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本专利技术实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本专利技术的保护范围；在本专利技术说明书和权利要求书中，除非文中另外明确指出，单数形式“一个”、“一”和“这个”包括复数形式。
[0022]当实施例给出数值范围时，应理解，除非本专利技术另有说明，每个数值范围的两个端
点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。除非另外定义，本专利技术中使用的所有技术和科学术语与本
技术人员通常理解的意义相同。除实施例中使用的具体方法、设备、材料外，根据本
的技术人员对现有技术的掌握及本专利技术的记载，还可以使用与本专利技术实施例中所述的方法、设备、材料相似或等同的现有技术的任何方法、设备和材料来实现本专利技术。
[0023]本专利技术专利技术人经过大量探索研究，提供一种基于氧杂环戊烷系列的化合物，本专利技术的专利技术人发现，将氧杂环戊烷衍生物引入到三芳胺类体系中及和吸电子基团进行组合，获得了一系列性能优良的空穴传输材料和电子传输材料。氧杂环戊烷衍生物的引入，脂肪环相对于芳基具有更好的给电子能力，使得化合物具有良好的空穴、电子传输特性以及热稳定性。因此，这类化合物能够为有机电致发光器件提供较长的使用寿命。氧杂环戊烷衍生物中，由于氧原子的吸电子能力，当与三嗪类吸电子基团组合时，能使整体分子的LUMO能级加深，从而能提升分子的电子传输能力。当氧杂环戊烷基团引入到双极性分子材料中时，也展现了不俗的器件寿命和效率。在此基础上，完成了本专利技术。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，所述化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：其中：R1‑
R4相同或不同，各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的直链或支链的C1～C30的烷基；取代或未取代的C1～C30的杂烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C3～C30的杂环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基、或取代或未取代的芳香胺基、或与相邻的基团键合成环；R5‑
R8各自独立选自氢、氘、C1～C10的烷基、或C1～C10的氘代烷基；A选自CR9R
10
、SiR
11
R
12
、NR
13
、O、或S：其中，R9‑
R
13
各自独立选自取代或未取代的C1
‑
C30的烷基、取代或未取代的C1
‑
C30的氘代烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基、取代或未取代的C6
‑
C30的氘代芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的氘代杂芳基、或R9、R
10
键合成环、R
11
、R
12
键合成环。2.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，其中，R1‑
R4至少有一个选自如下结构：其中：L1‑
L6相同或不相同，各自独立选自单键、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C3～C30的杂芳基；Ar1‑
Ar4相同或不相同，各自独立选自取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C3～C30的杂芳基；E为含氮原子的吸电子基团、或含氟原子的吸电子基团、或含磷原子的吸电子基团、或含氧的吸电子基团、或含硫的吸电子基团。3.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述A选自NR
13
、O、或S或如下所示基团中的任一种：其中，R
13
为取代或未取代的C6～C3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，王湘成，何睦，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：