冗余金属填充方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本公开提供了一种冗余金属填充方法、装置、设备及介质，涉及半导体制造技术领域。所述方法包括提供初始版图，初始版图中包括电位线；根据初始版图中的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线；根据同层同网金属线，确定各个金属层图层中的待填充区域；在各个金属层图层的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使同层金属线连接到同一电位线上；在填充完成同层金属线的版图上，添加冗余金属，输出目标版图。本公开根据电位线的布线方式，确定同层金属线的待填充区域，在待填充区域内自动添加相应的同层金属线，增加整体电位线的宽度，增强了电位线的强度。增强了电位线的强度。增强了电位线的强度。

【技术实现步骤摘要】
冗余金属填充方法、装置、设备及介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种冗余金属填充方法、冗余金属填充装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在集成电路工艺中，因晶片密度不同，发生图形效应(Pattern Effect)，即微负荷效应(Micro
‑
loading Effect)。微负荷效应是有关同时在较高密度图形与较低密度图形上进行曝光、蚀刻、和/或抛光时所发生的现象。由于薄膜上不同位置见在曝光/蚀刻/抛光速率上的差异，由曝光/蚀刻/抛光所产生的反应量回变得局部密集或稀疏，在曝光后造成蚀刻/抛光速率或图形尺寸上的不均匀。
[0003]在相关技术中，通常采用冗余金属填充的布局设计，将冗余金属填充至具有低图形密度的位置。然而，冗余金属本身产生额外的寄生电容，造成芯片处理速度变慢。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种冗余金属填充方法、装置、设备及芯片，至少在一定程度上克服相关技术中提供的冗余金属填充产生的寄生电容导致芯片处理速度慢的问题。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0007]根据本公开的一个方面，提供一种冗余金属填充方法，包括：
[0008]提供初始版图，所述初始版图中包括电位线；
[0009]根据所述初始版图中的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线，其中，所述同层同网金属线为处于同一金属层图层且连接到同一电位线的布线；
[0010]根据所述同层同网金属线，确定所述各个金属层图层中的待填充区域；
[0011]在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使所述同层金属线连接到所述同一电位线上；
[0012]在填充完成所述同层金属线的版图上，添加冗余金属，输出目标版图。
[0013]在本公开的一个实施例中，所述根据所述初始版图中的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线，包括：
[0014]根据所述初始版图中的布线连接关系，确定连接到同一电位线上的同网金属线；
[0015]筛选处于同一金属层图层的所述同网金属线，得到所述同层同网金属线。
[0016]在本公开的一个实施例中，在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使所述同层金属线连接到所述同一电位线上之前，所述方法还包括：
[0017]根据所述待填充区域和预设的所述同层金属线的填充参数，确定各个待填充区域内所述同层金属线的填充信息，以利用所述同层金属线的填充信息对所述各个金属层图层
中的待填充区域进行填充。
[0018]在本公开的一个实施例中，所述同层金属线的填充参数包括所述同层金属线的宽度、所述同层金属线与所述同层同网金属线之间的间隔、相邻同层金属线之间的间隔中的至少一种。
[0019]在本公开的一个实施例中，所述各个待填充区域内所述同层金属线的填充信息包括所述同层金属线的填充数量、填充位置、实际填充间隔中的至少一种。
[0020]在本公开的一个实施例中，所述在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，包括：
[0021]按照重复式填充方式和/或交错式填充方式，在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，其中，采用所述重复式填充方式的同层金属线连接到相同的电位线，采用交错式填充方式的同层金属线交替连接到不同的电位线。
[0022]在本公开的一个实施例中，所述电位线包括具有不同电压值的电源线、地线中的至少一种。
[0023]在本公开的一个实施例中，所述在填充完成所述同层金属线的版图上，添加冗余金属，输出目标版图，包括：
[0024]在填充完成所述同层金属线的版图上，添加冗余金属；
[0025]根据预设设计规则对填充完冗余金属的版图进行验证，得到验证结果；
[0026]若验证结果为验证通过，则输出验证通过的所述目标版图。
[0027]在本公开的一个实施例中，所述根据所述同层同网金属线，确定所述各个金属层图层中的待填充区域，包括：
[0028]若相邻两条同层同网金属线的间隔满足预设条件，则将相邻两条所述同层同网金属线之间的区域确定为待填充区域。
[0029]在本公开的一个实施例中，所述预设条件包括相邻两条同层同网金属线的间隔大于或等于预设间隔阈值。
[0030]在本公开的另一个方面，提供了一种冗余金属填充装置，包括：
[0031]初始版图提供模块，用于提供初始版图，所述初始版图中包括电位线；
[0032]同层同网确定模块，用于根据所述初始版图的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线，其中，所述同层同网金属线为处于同一金属层图层且连接到同一电位线的布线；
[0033]填充区域确定模块，用于根据所述同层同网金属线，确定所述各个金属层图层中的待填充区域；
[0034]同层金属填充模块，用于在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使所述同层金属线连接到所述同一电位线上；
[0035]目标版图输出模块，用于在填充完成所述同层金属线的版图上，添加冗余金属，输出目标版图。
[0036]根据本公开的另一个方面，还提供了一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的冗余金属填充方法。
[0037]根据本公开的另一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机
程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的冗余金属填充方法。
[0038]根据本公开的另一个方面，提供了一种计算机程序产品，包括可执行指令，该可执行指令存储在计算机可读存储介质中，电子设备的处理器从计算机可读存储介质读取该可执行指令，处理器执行该可执行指令，使得该电子设备执行上述实施例中任一所述的冗余金属填充方法。
[0039]本公开提供了一种冗余金属填充方法，在版图的空余区域中，根据电位线的布线方式，确定同层金属线的待填充区域，在待填充区域内自动添加相应的同层金属线，增加整体电位线的宽度，增强了电位线的强度，减小了需要填充冗余金属的面积。
[0040]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0041]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1示出相关技术中冗余金属填充的原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冗余金属填充方法，其特征在于，包括：提供初始版图，所述初始版图中包括电位线；根据所述初始版图中的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线，其中，所述同层同网金属线为处于同一金属层图层且连接到同一电位线的布线；根据所述同层同网金属线，确定所述各个金属层图层中的待填充区域；在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使所述同层金属线连接到所述同一电位线上；在填充完成所述同层金属线的版图上，添加冗余金属，输出目标版图。2.根据权利要求1所述的冗余金属填充方法，其特征在于，所述根据所述初始版图中的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线，包括：根据所述初始版图中的布线连接关系，确定连接到同一电位线上的同网金属线；筛选处于同一金属层图层的所述同网金属线，得到所述同层同网金属线。3.根据权利要求1所述的冗余金属填充方法，其特征在于，在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使所述同层金属线连接到所述同一电位线上之前，所述方法还包括：根据所述待填充区域和预设的所述同层金属线的填充参数，确定各个待填充区域内所述同层金属线的填充信息，以利用所述同层金属线的填充信息对所述各个金属层图层中的待填充区域进行填充。4.根据权利要求3所述的冗余金属填充方法，其特征在于，所述同层金属线的填充参数包括所述同层金属线的宽度、所述同层金属线与所述同层同网金属线之间的间隔、相邻同层金属线之间的间隔中的至少一种。5.根据权利要求3所述的冗余金属填充方法，其特征在于，所述各个待填充区域内所述同层金属线的填充信息包括所述同层金属线的填充数量、填充位置、实际填充间隔中的至少一种。6.根据权利要求1所述的冗余金属填充方法，其特征在于，所述在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，包括：按照重复式填充方式和/或交错式填充方式，在所述各个金属层图层中的待填充区域填充同层金属线，其中，采用所述重复式填充方式的同层金属线连接到相同的电位线，采用交错式填充方式的同层金属线交替连接到不同的电位线。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁坤，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：