特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法技术

一种特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法，其中图形修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括待修正区域和待修正特殊单元结构区域；获取待修正特殊单元结构区域中的待修正最小重复单元图形；提供特殊单元总数据库；在所述特殊单元总数据库中获取与所述待修正最小重复单元图形对应的单元修正图形的信息；对所述待修正区域进行光学临近修正，获取第二修正图形的信息；根据所述第二修正图形的信息和单元修正图形的信息获取修正版图。所述图形修正方法的修正效率得到提升。所述图形修正方法的修正效率得到提升。所述图形修正方法的修正效率得到提升。

【技术实现步骤摘要】
特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法。

技术介绍

[0002]很多设计版图中存在特殊单元结构区域，如存储单元(SRAM)、像素单元(Pixel)等，且对于不同平台公司设计的一些特殊单元结构是有限的。随着芯片规模的增加，在特殊单元中，不同位置的重复结构也增多。那么在进行光学临近修正(OPC)的过程中，关于特殊单元区域的计算量较大，这使得在不同产品下，同一个特殊单元结构的光学临近修正结果重复计算，造成了光学临近修正资源的部分浪费。而且特殊单元区域的光学临近修正结果常会出现一些问题，这使得光学临近修正人员要花费时间精力去排除问题。
[0003]为了更好的进行光学临近修正工作，对于特殊单元区域的识别，分类是非常有必要的。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法，以提升光学临近修正工作效率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，包括：提供设计版图，所述设计版图包括若干特殊单元结构区域，所述特殊单元结构区域包括若干图形；获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形；根据所述最小重复单元图形的信息建立特殊单元结构数据库；获取设计版图修正后的第一修正版图，所述第一修正版图中具有与最小重复单元图形对应的单元修正图形；根据若干单元修正图形的信息建立特殊单元修正结果数据库；根据所述特殊单元结构数据库和特殊单元修正结果数据库建立特殊单元总数据库，且在所述特殊单元总数据库中，各最小重复单元图形的信息和各单元修正图形的信息一一对应。
[0006]可选的，获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形的方法包括：根据预设条件选取特征图形；根据所述特征图形获取所述特征图形的特征向量；根据所述特征向量在设计版图中获取符合所述特征向量的图形；以所述特征图形边长中的任一端点为第一顶点，沿相互垂直的第一方向和第二方向扩展预设的长度，获取最小重复单元区域，所述最小重复单元区域的形状为矩形，所述最小重复单元区域内的图形为所述最小重复单元图形。
[0007]可选的，所述预设条件包括：特征图形的边长数量大于或等于6。
[0008]可选的，所述特征向量的参量包括：图形面积、顶点个数、有效边长和边的夹角中的一者或多种的组合。
[0009]可选的，所述最小重复单元图形的信息包括原矩阵信息、旋转矩阵信息和镜像矩阵信息。
[0010]可选的，获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形的信息的方法包括：将所
述最小重复单元图形转化成二维的原矩阵，获取所述最小重复单元的原矩阵信息；将所述成二维的原矩阵进行旋转、镜像操作，获取所述最小重复单元的旋转矩阵信息和镜像矩阵信息。
[0011]可选的，将所述最小重复单元图形转化成二维的原矩阵的方法包括：获取所述最小重复单元图形的最小覆盖区域，所述最小覆盖区域的形状为矩形；以所述最小重复单元图形的每个顶点为定点，沿第一方向和第二方向延伸到最小重复单元图形的边界以构建网格单元格；根据网格单元格的填充情况，每个空的网格单元格被替换为0，每个完全填充的网格单元格被替换为1，获取由0和1表示的初始原矩阵，所述初始原矩阵的每个网格单元格具有行高和列宽；根据所述初始原矩阵每个单元格的行高和列宽获取单元值，获取所述二维的原矩阵。
[0012]可选的，所述二维的原矩阵为m行
×
n列，所述旋转矩阵信息包括：原m
×
n矩阵中的任一元素Aij，旋转90
°
的坐标为(j，m
‑
i
‑
1)，旋转180
°
的坐标为(m
‑
i
‑
1，n
‑
j
‑
1)，旋转270
°
的坐标为(n
‑
j
‑
1，i)；所述镜像矩阵信息包括：原m
×
n矩阵中的任一元素Aij，水平镜像后的坐标为(i，n
‑
j+1),垂直镜像后的坐标为(m
‑
i+1，j)。
[0013]可选的，所述初始原矩阵的网格单元格的行高和列宽的计算方式为：将所述最小覆盖区域沿第一方向均匀地划分为若干子列，部分子列线与所述最小重复单元图形平行于第二方向上的轮廓线重合；将所述最小覆盖区域沿第二方向Y均匀地划分为若干子行，部分子行线与所述最小重复单元图形平行于第一方向上的轮廓线重合；计算每一列网格单元格在第一方向上的子列的列数，获取所述网格单元格的行高；计算每一行网格单元格在第二方向上的子行的行数，获取所述网格单元格的列宽。
[0014]可选的，所述最小重复单元图形相邻两条轮廓线之间相互垂直。
[0015]可选的，所述最小重复单元图形相邻两条轮廓线之间的夹角为钝角或锐角，部分所述网格单元格为部分填充；所述填充部分的面积为所述部分填充的网格单元格的二维的原矩阵取值。
[0016]可选的，所述填充部分的面积的获取方法包括：获取所述部分填充的网格单元格对应的子列的列数和子行的行数；根据所述子列的列数和子行的行数，计算所述部分填充的网格单元格的填充部分的面积。
[0017]可选的，获取与最小重复单元图形对应的单元修正图形的方法包括：根据特殊单元结构数据库获取最小重复单元图形；根据所述第一修正版图获取与所述最小重复单元图形对应的单元修正图形。
[0018]可选的，根据所述第一修正版图获取与所述最小重复单元图形对应的单元修正图形之前，还包括：判断所述最小重复单元图形是否处于特殊单元结构区域边界处；若所述最小重复单元图形未处于特殊单元结构区域边界处，则根据所述第一修正版图获取与所述最小重复单元图形对应的单元修正图形。
[0019]可选的，判断所述最小重复单元图形是否处于特殊单元结构区域的边界处的方法包括：以所述最小重复单元图形边长中的任一端点为第二顶点，沿相互垂直的第一方向和第二方向扩展预设长度，获取扩展区域，所述第二顶点的选取规则与第一顶点的选取规则相同；以所述最小重复单元图形为中心，获取所述扩展区域中最小重复单元图形周围的第二顶点的数量；若所述扩展区域中最小重复单元图形周围的第二顶点的数量大于或等于4，
则判断所述最小重复单元图形未处于特殊单元结构区域的边界处；若所述扩展区域中最小重复单元图形周围的第二顶点的数量小于4，则判断所述最小重复单元图形处于特殊单元结构区域的边界处。
[0020]相应地，本专利技术技术方案还提供一种采用上述方法所建立的特殊单元总数据库。
[0021]相应地，本专利技术技术方案还提供一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括待修正区域和待修正特殊单元结构区域；获取待修正特殊单元结构区域中的待修正最小重复单元图形；提供特殊单元总数据库；在所述特殊单元总数据库中获取与所述待修正最小重复单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，包括：提供设计版图，所述设计版图包括若干特殊单元结构区域，所述特殊单元结构区域包括若干图形；获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形；根据所述最小重复单元图形的信息建立特殊单元结构数据库；获取设计版图修正后的第一修正版图，所述第一修正版图中具有与最小重复单元图形对应的单元修正图形；根据若干单元修正图形的信息建立特殊单元修正结果数据库；根据所述特殊单元结构数据库和特殊单元修正结果数据库建立特殊单元总数据库，且在所述特殊单元总数据库中，各最小重复单元图形的信息和各单元修正图形的信息一一对应。2.如权利要求1所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形的方法包括：根据预设条件选取特征图形；根据所述特征图形获取所述特征图形的特征向量；根据所述特征向量在设计版图中获取符合所述特征向量的图形；以所述特征图形边长中的任一端点为第一顶点，沿相互垂直的第一方向和第二方向扩展预设的长度，获取最小重复单元区域，所述最小重复单元区域的形状为矩形，所述最小重复单元区域内的图形为所述最小重复单元图形。3.如权利要求2所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，所述预设条件包括：特征图形的边长数量大于或等于6。4.如权利要求2所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，所述特征向量的参量包括：图形面积、顶点个数、有效边长和边的夹角中的一者或多种的组合。5.如权利要求2所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，所述最小重复单元图形的信息包括原矩阵信息、旋转矩阵信息和镜像矩阵信息。6.如权利要求5所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形的信息的方法包括：将所述最小重复单元图形转化成二维的原矩阵，获取所述最小重复单元的原矩阵信息；将所述成二维的原矩阵进行旋转、镜像操作，获取所述最小重复单元的旋转矩阵信息和镜像矩阵信息。7.如权利要求6所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，将所述最小重复单元图形转化成二维的原矩阵的方法包括：获取所述最小重复单元图形的最小覆盖区域，所述最小覆盖区域的形状为矩形；以所述最小重复单元图形的每个顶点为定点，沿第一方向和第二方向延伸到最小重复单元图形的边界以构建网格单元格；根据网格单元格的填充情况，每个空的网格单元格被替换为0，每个完全填充的网格单元格被替换为1，获取由0和1表示的初始原矩阵，所述初始原矩阵的每个网格单元格具有行高和列宽；根据所述初始原矩阵每个单元格的行高和列宽获取单元值，获取所述二维的原矩阵。8.如权利要求7所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，所述二维的原矩阵为m行
×
n列，所述旋转矩阵信息包括：原m
×
n矩阵中的任一元素A
ij
，旋转90
°
的坐标为(j，m
‑
i
‑
1)，旋转180
°
的坐标为(m
‑
i
‑
1，n
‑
j
‑
1)，旋转270
°
的坐标为(n
‑
j
‑
1，i)；所述镜像矩阵信息包括：原m
×
n矩阵中的任一元素A
ij
，水平镜像后的坐标为(i，n
‑
j+1),垂直镜像后的坐标为(m
‑
i+1，j)。
9.如权利要求7所述的图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，所述初始原矩阵的网格单元格的行高和列宽的计算方式为：将所述最小覆盖区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓婉君，金晓亮，冯佳计，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：