一种PLM-14T抗辐照SRAM存储单元电路制造技术

本发明专利技术涉及一种PLM

【技术实现步骤摘要】
一种PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路


[0001]本专利技术涉及静态随机存储器
，特别涉及一种可以提高存储单元读写速度和提高单元抗单粒子翻转的能力的单元电路结构，即PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路。

技术介绍

[0002]当辐射粒子通过金属氧化物半导体(MOS)器件时，其入射路径会产生大量的电子
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空穴对，从而损失能量。由于电场和浓度梯度的影响，辐射诱导的载流子漂移和扩散，最终被反向偏置结的耗尽区收集，产生瞬态脉冲，SRAM受到单粒子效应(Single Event Effects，SET)的影响而产生单粒子翻转(Single Event Upset，SEU)的概率越来越高。单粒子翻转(SEUs)是一种主要的可靠性故障机制，可通过临时改变存储值导致电子系统故障。当带电粒子击中集成电路的敏感节点时，沿其路径的感应电荷可以通过漂移过程有效地收集和积累。一旦积聚的电荷产生的瞬时电压脉冲超过电路的开关阈值，这个敏感节点中的存储值就会改变。在当下，在电子系统中SRAM电路承担着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，其包括：十个NMOS晶体管N1～N10和四个PMOS晶体管P1～P4；晶体管P1～P4的源极与VDD电连接，晶体管N1～N6的源极接地，晶体管P1和P2以及P3和P4交叉耦合；晶体管N1的漏极与P1的漏极、P2的栅极、N6的栅极、N7的漏极电连接，N1的栅极与P3的漏极、P4的栅极、N3的漏极、N4的栅极、N6的漏极、N10的漏极电连接；晶体管N2的漏极与P1的栅极、P2的漏极、N5的栅极、N8的漏极电连接，N2的栅极与P3的栅极、P4的漏极、N3的栅极、N4的漏极、N5的漏极、N9的漏极电连接；位线BL与N7、N9的源极电连接；位线BLB与N8、N10的源极电连接；字线WL与N7、N8、N9、N10的栅极电连接；存储节点Q与QB通过N7、N8分别与位线BL和BLB相连，存储节点S1与S0通过N9、N10分别与位线BL和BLB相连；晶体管N5和N6构成调节存储节点的反馈回路。2.根据权利要求1所述的PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，所述晶体管N1～N10和P1～P4的栅长为65nm，晶体管N1～N4的栅宽为280nm，晶体管N5和N6的栅宽为420nm，晶体管N7～N10和P1～P4的栅宽为140nm。3.根据权利要求1所述的PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，所述存储节点Q与QB为主存储节点，所述存储节点S1与S0为冗余存储节点。4.根据权利要求1所述的PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，所述晶体管N7～N10为传输晶体管，且由字线WL控制。5.根据权利要求4所述的PLM
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14T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，所述抗辐照SRAM存储单元处...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵强，马屹飞，吴秀龙，彭春雨，蔺智挺，卢文娟，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：