三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开一种三态内容可定址存储器与双端口静态随机存取存储器，其包括存储单元以及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极线横跨第三主动区与第四主动区，第二栅极线横跨第四主动区，第三栅极线横跨第一主动区，且第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体管电连接到存储单元，其中晶体管与存储单元沿着第一方向排列。着第一方向排列。着第一方向排列。

【技术实现步骤摘要】
三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器


[0001]本专利技术涉及一种三态内容可定址存储器(ternary content addressable memory,TCAM)以及两端口(two
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port)静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)，特别是涉及以8颗晶体管作为单元结构的TCAM与两端口SRAM。

技术介绍

[0002]在传统存储器阵列结构中，常见以6颗晶体管的静态随机存取存储器(six
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transistor static
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random access memory,6T
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SRAM)单元作为位元单元结构。随着存储器效能的提升，存储器位元单元结构中进一步包括两颗晶体管。然而，这两颗晶体管的设置使得原本较为对称的布局结构失去对称性，造成存储器位元单元结构中的晶体管特性不同，进而影响存储器的效能。举例来说，在传统存储器位元单元结构中，这两颗晶体管会设置于6T
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SRAM沿着栅极线延伸方向的一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三态内容可定址存储器，其特征在于，包括：存储单元，包括：第一主动区，沿着第一方向延伸；第二主动区，沿着该第一方向延伸；第三主动区，沿着该第一方向延伸；第四主动区，沿着该第一方向延伸，其中该第一主动区、该第二主动区、该第三主动区与该第四主动区沿着第二方向依序排列；第一栅极线，横跨该第三主动区与该第四主动区并沿着该第二方向延伸；第二栅极线，横跨该第四主动区并沿着该第二方向延伸；第三栅极线，横跨该第一主动区并沿着该第二方向延伸；以及第四栅极线，横跨该第一主动区与该第二主动区并沿着该第二方向延伸；以及两搜寻晶体管，电连接到该存储单元，其中该两搜寻晶体管与该存储单元沿着该第一方向排列。2.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，还包括第一绝缘区块以及第二绝缘区块，该第一绝缘区块设置于该第一主动区相对于该第二主动区的一侧，且该第二绝缘区块设置于该第四主动区相对于该第三主动区的一侧，其中该第一绝缘区块在该第二方向上的宽度等于该第二绝缘区块在该第二方向上的宽度。3.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该两搜寻晶体管的源/漏极与漏/源极设置于该第四主动区中。4.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该第一栅极线与该第四栅极线在该第二方向上具有相同的长度。5.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，还包括另一存储单元，其中该存储单元与该另一存储单元沿着该第一方向排列，且该两搜寻晶体管设置于该存储单元与该另一存储单元之间。6.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该两搜寻晶体管中的一个包括第五栅极线，横跨该第四主动区。7.如权利要求6所述的三态内容可定址存储器，其中该第一栅极线与该第五栅极线以该第二方向为对称轴呈镜像对称。8.如权利要求6所述的三态内容可定址存储器，还包括连接线，连接于该第一栅极线与该第五栅极线之间。9.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该两搜寻晶体管中的一个包括第六栅极线，横跨该第四主动区。10.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，另包括两虚置栅极线，横跨该第一主动区。11.一种两端口静态随机存取存储器，其特征在于，包括：存储单...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊宪，郭有策，王淑如，曾俊砚，张竣杰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：