低功耗静态随机存储器单元以及存储器制造技术

本发明专利技术提供了低功耗静态随机存储器单元，包括由第一N型晶体管和第一P型晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二N型晶体管和第二P型晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置；还包括第五N型晶体管，其栅极接第一CMOS反相器的输入端，源/漏极接第六N型晶体管的漏/源极；所述第五N型晶体管为背栅晶体管，其背栅接本体栅极；所述第六N型晶体管为背栅晶体管，其背栅接本体栅极，并连接至读字线。本发明专利技术在原有传统6管存储单元的基础上增加了第五和第六N型晶体管，写操作时的阈值电压变小，增强了静态随机存储器的写入能力；在读操作时，增大了读“0”电流。电流。电流。

【技术实现步骤摘要】
低功耗静态随机存储器单元以及存储器


[0001]本专利技术涉及微电子学领域，尤其涉及一种低功耗的静态随机存储器单元以及存储器。

技术介绍

[0002]静态随机存储器因其良好的性能被广泛应用于电子设备。附图1所示是现有技术中一种典型的六晶体管结构静态随机存储器的存储单元，WL为字线，BL为位线，VDD是工作电压。在可穿戴设备和移动设备应用场景中，会遇到工作电压VDD变低的情况，存储单元的静态噪声容限和操作正确性也随之降低。因此，如何在低电压范围内进行正确的操作，降低了存储器静态功耗，是现有技术需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种低功耗的静态随机存储器单元以及存储器。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了低功耗静态随机存储器单元，包括由第一N型晶体管和第一P型晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二N型晶体管和第二P型晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置，第一和第二CMOS反相器的输出端分别连接第三N型晶体管和第四N型晶体管的源/漏极，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗静态随机存储器单元，包括由第一N型晶体管和第一P型晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二N型晶体管和第二P型晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置，第一和第二CMOS反相器的输出端分别连接第三N型晶体管和第四N型晶体管的源/漏极，其特征在于，第一N型晶体管和第二N型晶体管是背栅晶体管，背栅接读字线；第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三N型晶体管、以及第四N型晶体管是背栅晶体管，背栅接写字线；还包括第五N型晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，吕迎欢，谢甜甜，王青，葛浩，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：