本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光元件及发光装置，包括第一LED子单元，第二LED子单元，以及第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，第一焊盘电极与第一LED子单元和第二LED子单元共同地电性连接，第二焊盘电极与第一LED子单元电性连接，第三焊盘电极与第二LED子单元电性连接；第二LED子单元围绕第一LED子单元设置，第二LED子单元和第一LED子单元各自的发光区域呈旋转对称图形并且具有重叠的旋转中心。通过个LED子单元各自的发光区域旋转对称设置，可以使得发光元件在多个方向上与排列时形成正确显示的排列方向，可以解决小尺寸发光元件焊接时小尺寸发光元件焊接时需要进行统一排列方向的工作量巨大的问题，有利于提高发光元件的焊接效率。有利于提高发光元件的焊接效率。有利于提高发光元件的焊接效率。
【技术实现步骤摘要】
一种发光元件及发光装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种发光元件及发光装置。
技术介绍
[0002]近些年，新型显示技术发展的如火如荼，比如OLED，MicroLED等技术得到了非常广泛的研究和关注。新型显示具有节能，高分辨率，高色域等一系列优点，几乎所有的终端厂商都投入了大量的人力和资金在开发相关的技术。在这些技术中，尤以MicroLED显示技术得到最多的关注，也是最有可能的下一代显示技术。相比于另一个热门技术OLED，具有更低功耗、高可靠性、响应时间快等优点。
[0003]分辨率越高，就需要更小的像素间距，因此需要发光元件的尺寸就越小。这么小的发光元件需要一颗颗的焊接到PCB板上。而且，为了避免花屏问题，上百万颗的发光元件需要先进行炒灯（类似于把大量的沙子搅拌混合均匀）, 然后再进行焊接。然而，如此巨量而且微小的发光元件经过搅拌后，要保证所有的发光元件按照相同的方向排列，也即需要使得每一发光元件上的红、蓝、绿三色的晶粒分布相同，将变得非常困难。如果有方向错误的发光元件被焊接到PCB板上，由于发光元件的引脚和PCB的引脚位置没有对应，会导致该发光元件显示错误或者不能点亮，影响产品良率。但是对于现有技术而言对于如此巨量且微小的MicroLED发光元件进行同向排列整理，则需要花费巨大的成本。
[0004]综上，如何提高微发光元件的焊接效率成为了本领域技术人员需要解决的一大问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一种发光元件，包括：第一LED子单元，第二LED子单元，以及第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一LED子单元和所述第二LED子单元共同地电性连接，所述第二焊盘电极与所述第一LED子单元电性连接，所述第三焊盘电极与所述第二LED子单元电性连接；所述第二LED子单元围绕所述第一LED子单元设置，所述第二LED子单元和所述第一LED子单元各自的发光区域呈旋转对称图形并且具有重叠的旋转中心。
[0006]在一些实施例中，还包括第三LED子单元，所述第三LED子单元围绕所述第二LED子单元设置，所述第三LED子单元的发光层呈旋转对称图形并且与所述第二LED子单元的具有重叠的旋转中心，所述第一焊盘电极与所述第一LED子单元、所述第二LED子单元和所述第三LED子单元共同地电性连接；还包括第四焊盘电极，所述第四焊盘电极与所述第三LED子单元电性连接。
[0007]在一些实施例中，所述第一LED子单元包括依次层叠的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；
所述第二LED子单元包括依次层叠的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；所述第三LED子单元包括依次层叠的第五半导体层、第三发光层和第六半导体层；所述第一半导体层、所述第三半导体层和所述第五半导体层均为第一导电类型半导体，所述第二半导体层、所述第四半导体和所述第六半导体层均为第二导电类型半导体。
[0008]在一些实施例中，所述第一半导体层、所述第三半导体层和所述第五半导体层各自背离所述发光层的一面位于同一平面内。
[0009]在一些实施例中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层各自可以发出彼此相同峰值波长的光或者彼此相异峰值波长的光。
[0010]在一些实施例中，包括发光堆叠结构；所述发光堆叠结构包括依次层叠的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，所述发光堆叠结构具有自所述第二导电类型半导体层至所述第一导电类型半导体层的第一沟槽和第二沟槽；所述发光堆叠结构被所述第一沟槽和所述第二沟槽划分为所述第一LED子单元、所述第二LED子单元和所述第三LED子单元。
[0011]在一些实施例中，所述第一沟槽位于所述第一LED子单元和所述第二LED子单元之间，所述第二沟槽位于所述第二LED子单元和所述第三LED子单元之间。
[0012]在一些实施例中，所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层为一体结构的所述第一导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层被所述第一沟槽和所述第二沟槽划分为所述第二半导体层、所述第四半导体层和所述第六半导体层；所述发光层被所述第一沟槽和所述第二沟槽划分为所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层。
[0013]在一些实施例中，所述发光堆叠结构还具有自所述第二导电类型半导体层至所述第一导电类型半导体层的共极沟槽，所述第一焊盘电极通过所述共极沟槽与所述第一导电类型半导体层电性连接。
[0014]在一些实施例中，所述共极沟槽位于所述第一LED子单元的中央。
[0015]在一些实施例中，还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述发光堆叠结构背离所述第一导电类型半导体层的一侧、所述共极沟槽与所述第一焊盘电极之间的间隙以及所述发光堆叠结构的外侧壁。
[0016]在一些实施例中，所述第二焊盘电极与所述第二半导体层电性连接，所述第三焊盘电极与所述第四半导体层电性连接，所述第四焊盘电极与所述第六半导体层电性连接。
[0017]在一些实施例中，所述第一焊盘电极具有露出于所述绝缘层的第一焊接区域，所述第二焊盘电极具有露出于所述绝缘层的第二焊接区域，所述第三焊盘电极具有露出于所述绝缘层的第三焊接区域，所述第四焊盘电极具有露出于所述绝缘层的第四焊接区域。
[0018]在一些实施例中，所述第一焊接区域、所述第二焊接区域、所述第三焊接区域和所述四焊接区域各自呈旋转对称图形并且具有重叠的旋转中心。
[0019]在一些实施例中，所述第一焊接区域、所述第二焊接区域、所述第三焊接区域和所述第四焊接区域组成的图形呈旋转对称图形。
[0020]在一些实施例中，所述第一导电类型半导体层背离所述发光层的第一表面上设有
第一波长转换层和第二波长转换层，所述第一波长转换层和所述第二波长转换层分别与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层的其中之二各自在所述第一表面上的正投影相重叠。
[0021]在一些实施例中，所述第一波长转换层和所述第二波长转换层的间隙中设有阻隔层。
[0022]在一些实施例中，所述旋转对称图形的旋转角包括90度或者180度。
[0023]本专利技术还提供一种发光装置，包括如上任一项所述的发光元件。
[0024]本专利技术一实施例提供的一种发光元件，通过个LED子单元各自的发光区域旋转对称的设置，可以使得发光元件在多个方向上与排列时形成正确显示的排列方向，可以解决小尺寸发光元件焊接时小尺寸发光元件焊接时需要进行统一排列方向的工作量巨大的问题，有利于提高发光元件的焊接效率。
[0025]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：第一LED子单元，第二LED子单元，以及第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一LED子单元和所述第二LED子单元共同地电性连接，所述第二焊盘电极与所述第一LED子单元电性连接，所述第三焊盘电极与所述第二LED子单元电性连接；所述第二LED子单元围绕所述第一LED子单元设置，所述第二LED子单元和所述第一LED子单元各自的发光区域呈旋转对称图形并且具有重叠的旋转中心。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：还包括第三LED子单元，所述第三LED子单元围绕所述第二LED子单元设置，所述第三LED子单元的发光层呈旋转对称图形并且与所述第二LED子单元的具有重叠的旋转中心，所述第一焊盘电极与所述第一LED子单元、所述第二LED子单元和所述第三LED子单元共同地电性连接；还包括第四焊盘电极，所述第四焊盘电极与所述第三LED子单元电性连接。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述第一LED子单元包括依次层叠的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；所述第二LED子单元包括依次层叠的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；所述第三LED子单元包括依次层叠的第五半导体层、第三发光层和第六半导体层；所述第一半导体层、所述第三半导体层和所述第五半导体层均为第一导电类型半导体，所述第二半导体层、所述第四半导体和所述第六半导体层均为第二导电类型半导体。4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第一半导体层、所述第三半导体层和所述第五半导体层各自背离所述发光层的一面位于同一平面内。5.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层各自可以发出彼此相同峰值波长的光或者彼此相异峰值波长的光。6.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：包括发光堆叠结构；所述发光堆叠结构包括依次层叠的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，所述发光堆叠结构具有自所述第二导电类型半导体层至所述第一导电类型半导体层的第一沟槽和第二沟槽；所述发光堆叠结构被所述第一沟槽和所述第二沟槽划分为所述第一LED子单元、所述第二LED子单元和所述第三LED子单元。7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于：所述第一沟槽位于所述第一LED子单元和所述第二LED子单元之间，所述第二沟槽位于所述第二LED子单元和所述第三LED子单元之间。8.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于：所述第一半导体层、所述第二半导体层和...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋武贤，韩梦超，时军朋，王杰凌，陈清河，
申请(专利权)人：湖北三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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