一种低膨胀系数的挤压瓷管制造技术

本发明专利技术公开了一种低膨胀系数的挤压瓷管，该挤压瓷管的材料如下：35

【技术实现步骤摘要】
一种低膨胀系数的挤压瓷管


[0001]本专利技术涉及挤压瓷管
，具体是一种低膨胀系数的挤压瓷管。

技术介绍

[0002]目前的辐射盘电陶炉温度传感装置，在发热体中心，并且与控制电路电性连接，通过调节控制电路的触电的距离，温度变化，75氧化铝陶瓷棒等材质膨胀尺寸变化的距离长短，实现调节控制电路的断开。因此75氧化铝受到炉盘温度变化引起的瓷管的尺寸变化，从而又影响到电陶炉的温度变化的范围；但因75氧化铝瓷棒等其他材料膨胀系数大，导致电陶炉的温控公差大，温控不精准。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种低膨胀系数的挤压瓷管，以解决现在市面的其他材料瓷棒应用于炉盘温控不精准，温差大的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种低膨胀系数的挤压瓷管，该挤压瓷管的材料如下：
[0005]35
±
5％的三氧化二铝、50
±
5％的二氧化硅、1
±
0.1％的三氧化二铁、0.5
±
0.05％的氧化钙、12.5
±
1％的氧化镁、0.5
±
0.05％的氧化钾、0.5
±
0.05％的氧化钠、0.4
±
0.05％的氧化钛、≤0.01
±
0.01％的二氧化锆ZrO2、≤0.05
±
0.05％的氧化钡、0.1
±
0.01％的五氧化二磷、0.05
±
0.01％的其他。
[0006]进一步的，0.05
±
0.01％的其他成分如下：
[0007]≤0.01的三氧化二钇、≤0.01的氧化锂、≤0.01的一氧化铅、≤0.01的氧化锌、≤0.01的氧化镉、≤0.01的氧化锶、≤0.01的一氧化锰、≤0.01的三氧化二铬、≤0.01的一氧化镍、≤0.01的一氧化钴、≤0.01的氧化铜、≤0.01的氧化铷、≤0.05的三氧化硫。
[0008]进一步的，挤压瓷管的制备方法为
[0009]S1、原料按照权利要求1和权利要求2中的比例进行球磨混料加工48小时，球磨后要求粉体的粒径小于0.7μm以下，浆料含水率约50％；
[0010]S2、进行压滤，压力20T压力设备，通过压滤方式把浆泥水份压滤掉，压滤时间1小时左右，控制浆泥含水率26
±
1％。取出泥胚，密封储存待练泥；
[0011]S3、进行练泥，将含水率26
±
1％的泥料，经过真空练泥机2
‑
3次排真空气练制，致使泥坯不易断层，粘性良好，硬度10
‑
12，含水率下降为25
±
1％；
[0012]S4、将练制好的泥料密封好放置阴暗老化5
‑
7天，使用确认含水率在25
±
1％；
[0013]S5、瓷管的挤制，挤压射出60条每分钟，3米烘箱线烘干温度110度，电机输送频率50HZ，尾端压轮整直；
[0014]S6、干燥后经过1400℃
±
20℃高温烧制，烧成制品密度2.5
±
0.1g/cm3,含水率2％
‑
3％，抗折强度80
±
10Mpa,潮态绝缘电阻≥100MΩ，热膨胀系数2.8
±
0.18X10
‑
6K
‑
1(20
‑
700℃)。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0016]该种低膨胀系数的挤压瓷管，解决温差大的问题，提高辐射电陶炉，温控性能稳定，温控更加精准，材料成本更加低。
附图说明
[0017]图1为本专利技术为一种低膨胀系数的挤压瓷管的结构示意图；
[0018]图2为本专利技术为一种低膨胀系数的挤压瓷管的剖面图；
[0019]图3为本专利技术为一种低膨胀系数的挤压瓷管的局部图；
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]实施例1，
[0022]实施例
[0023]如图1
‑
3所示，本专利技术实施例中，一种低膨胀系数的挤压瓷管，该挤压瓷管的材料如下：
[0024]35
±
5％的三氧化二铝、50
±
5％的二氧化硅、1
±
0.1％的三氧化二铁、0.5
±
0.05％的氧化钙、12.5
±
1％的氧化镁、0.5
±
0.05％的氧化钾、0.5
±
0.05％的氧化钠、0.4
±
0.05％的氧化钛、≤0.01
±
0.01％的二氧化锆ZrO2、≤0.05
±
0.05％的氧化钡、0.1
±
0.01％的五氧化二磷、0.05
±
0.01％的其他。
[0025]如图二所示，L1＝70,瓷管能承受48N压力不破裂。
[0026]倒角前，图三所示区域，瓷管两端允许有缺口。
[0027]材料符合ROHS环保要求；
[0028]热膨胀系数：2.8
±
0.18X10
‑
6/k
‑
1/(20
‑
700℃)，1.2
±
0.3X10
‑
6/k
‑
1/(20
‑
80℃)。
[0029]0.05
±
0.01％的其他成分如下：
[0030]≤0.01的三氧化二钇、≤0.01的氧化锂、≤0.01的一氧化铅、≤0.01的氧化锌、≤0.01的氧化镉、≤0.01的氧化锶、≤0.01的一氧化锰、≤0.01的三氧化二铬、≤0.01的一氧化镍、≤0.01的一氧化钴、≤0.01的氧化铜、≤0.01的氧化铷、≤0.05的三氧化硫。
[0031]挤压瓷管的制备方法为
[0032]S1、原料按照权利要求1和权利要求2中的比例进行球磨混料加工48小时，球磨后要求粉体的粒径小于0.7μm以下，浆料含水率约50％；
[0033]S2、进行压滤，压力20T压力设备，通过压滤方式把浆泥水份压滤掉，压滤时间1小时左右，控制浆泥含水率26
±
1％。取出泥胚，密封储存待练泥；
[0034]S3、进行练泥，将含水率26
±
1％的泥料，经过真空练泥机2
‑
3次排真空气练制，致使泥坯不易断层，粘性良好，硬度10
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低膨胀系数的挤压瓷管，其特征在于，该挤压瓷管的材料如下：35
±
5％的三氧化二铝、50
±
5％的二氧化硅、1
±
0.1％的三氧化二铁、0.5
±
0.05％的氧化钙、12.5
±
1％的氧化镁、0.5
±
0.05％的氧化钾、0.5
±
0.05％的氧化钠、0.4
±
0.05％的氧化钛、≤0.01
±
0.01％的二氧化锆ZrO2、≤0.05
±
0.05％的氧化钡、0.1
±
0.01％的五氧化二磷、0.05
±
0.01％的其他。2.根据权利要求1所述的一种低膨胀系数的挤压瓷管，其特征在于，0.05
±
0.01％的其他成分如下：≤0.01的三氧化二钇、≤0.01的氧化锂、≤0.01的一氧化铅、≤0.01的氧化锌、≤0.01的氧化镉、≤0.01的氧化锶、≤0.01的一氧化锰、≤0.01的三氧化二铬、≤0.01的一氧化镍、≤0.01的一氧化钴、≤0.01的氧化铜、≤0.01的氧化铷、≤0.05的三氧化硫。3.根据权利要求1和2所述的一种低膨胀系数的挤压瓷管，其特征在于，挤压瓷管的制备方法为S1...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫卓荣，
申请(专利权)人：四会市康荣新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：