一种功率器件晶圆级减薄封装工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种功率器件晶圆级减薄封装工艺，其特征在于：包括以下步骤，S1，在wafer的正面使用组焊绿油涂装形成阻焊绿油层；S2，烘干、曝光、显影形成刻蚀区和非刻蚀区；S3，通过溅射或电子束蒸发形成导电种子层或者可焊层；S4，在导电种子层或者可焊层的表面镀铜层，并形成导电柱；S5，在铜层的外表面刷锡膏；S6，通过高温炉熔化锡膏；S7，采用正面研磨工艺去掉超过阻焊绿油层上面的金属层；S8，将晶圆整体采用背面减薄、金属化工艺得到厚度为10

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件晶圆级减薄封装工艺


[0001]本专利技术涉及功率器件减薄领域，尤其涉及一种功率器件晶圆级减薄封装工艺。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺由逐个芯片封装向圆片级封装转变，而晶圆级芯片尺寸封装因具有高密度、体积小可靠性高，电热性能优良等优点而正好满足封装工艺的要求而逐渐成为目前最先进也是最重要的封装形式之一。目前，晶圆级芯片尺寸封装广泛的应用于消费类芯片产品的封装，而晶圆减薄技术是晶圆级芯片封装的关键技术，减薄工序作为芯片生产的重要工序，它对芯片的生产质量等起到较大影响。目前的晶圆减薄工序中，一般都是先将晶圆减薄到预定的厚度范围内，然后再对晶圆切割成单个芯片。然而，随着芯片行业的发展，芯片厚度越来越薄，按目前的减薄工序进行直接减薄处理，晶圆容易因为太薄而导致在减薄过程中发生破碎，大大影响到生产质量，导致良品率降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是现有的晶圆减薄工序中晶圆容易破裂而影响产品质量，本专利技术提供了一种功率器件晶圆级减薄封装工艺来解决上述问题。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种功率器件晶圆级减薄封装工艺，包括以下步骤，S1，在wafer的正面使用组焊绿油涂装形成阻焊绿油层；S2，烘干、曝光、显影形成刻蚀区和非刻蚀区；S3，通过溅射或电子束蒸发形成导电种子层或者可焊层；S4，在导电种子层或者可焊层的表面镀铜层，并形成导电柱；S5，在铜层的外表面刷锡膏；S6，通过高温炉熔化锡膏；S7，采用正面研磨工艺去掉超过阻焊绿油层上面的金属层； S8，将晶圆整体采用背面减薄、金属化工艺得到厚度为10
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200um的晶圆。
[0005]进一步地：所述组焊绿油涂装的厚度为30
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500um。
[0006]进一步地：所述可焊层的材料为为Ag、Cu、Sn、Ni、Ti或Au。
[0007]进一步地：所述铜层的厚度为10
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480um。
[0008]进一步地：所述正面研磨工艺为CMP工艺。
[0009]进一步地：完成正面研磨工艺后晶圆整体的厚度增加为10
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500um。
[0010]进一步地：S8中将wafer减薄至10
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100um厚度。
[0011]本专利技术的有益效果是，1，通过正面加厚金属导电层工艺，提高芯片由于打线工艺带来的内阻，热阻增加；2，通过加厚金属层以及保护绝缘层，提高晶圆强度，降低晶圆破裂几率；3，通过正面加厚金属层替代传统封装的引线工艺，降低导电阻值，提高散热；4，通过正面支撑，尽可能的减薄晶圆背面基底厚度，直接降低导通电阻或者导通压降等方式，减少半导体材料本身热阻，提高散热速度。
附图说明
[0012]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0013]图1是本专利技术的流程图；图2是S5的结构示意图。
具体实施方式
[0014]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。相反，本专利技术的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
[0015]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0016]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0017]流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本专利技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本专利技术的实施例所属
的技术人员所理解。
[0018]如图1至图2所示，本专利技术提供了一种功率器件晶圆级减薄封装工艺，包括以下步骤，S1，在wafer的正面使用组焊绿油涂装形成阻焊绿油层；S2，烘干、曝光、显影形成刻蚀区和非刻蚀区；S3，通过溅射或电子束蒸发形成导电种子层或者可焊层；S4，在导电种子层或者可焊层的表面镀铜层，并形成导电柱；S5，在铜层的外表面刷锡膏；S6，通过高温炉熔化锡膏；S7，采用正面研磨工艺去掉超过阻焊绿油层上面的金属层；S8，将晶圆整体采用背面减薄、金属化工艺得到厚度为10
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200um的晶圆。
[0019]本专利技术通过芯片正面设计工艺以及背面减薄工艺实现超薄晶圆处理，产品适用于各种功率器件芯片 二极管，三极管，MOSFET，IGBT，TVS，SCR，GTO，SiC Diodes， SiC MOSFET， GaN MOSFET等，现将目前晶圆厂出来的晶圆，不做背面金属化，先在wafer正面使用阻焊绿油涂装30
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500um厚度，然后烘干、光刻、显影，形成深槽，便于芯片电极引出，通过溅射或电子束蒸发形成导电种子层，或者材料为Ag 、 Cu、Sn、Ni、Ti或Au的可焊层，再利用电镀铜技术，在整个晶圆上面电镀10
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480um铜层，完成铜层电镀以后，再进行锡膏涂刷，通
过高温炉熔化锡膏，排除有机助焊剂，再进行正面研磨工艺（CMP）去除掉超过阻焊绿油上面的金属层，直至露出阻焊绿油层，停止研磨，再进行清理即可完成正面电极引出工艺，然后高温固化，使得晶圆整体厚度增加10
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500um，便于背面减薄背金，然后再通过减薄背面、金属化工艺，将原有Si材料减薄到10
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100um厚度，通过正面金属化柱等先进制程，防止硅片或者SiC，GaN基底片在后续工艺过程中破裂，再通过贴膜划片等方式，完成芯片封装前处理工艺，主要用于降低功率器件内阻或者热阻等功效。
[0020]所述组焊绿油涂装的厚度为30
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500um。所述可焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件晶圆级减薄封装工艺，其特征在于：包括以下步骤，S1，在wafer的正面使用组焊绿油涂装形成阻焊绿油层；S2，烘干、曝光、显影形成刻蚀区和非刻蚀区；S3，通过溅射或电子束蒸发形成导电种子层或者可焊层；S4，在导电种子层或者可焊层的表面镀铜层，并形成导电柱；S5，在铜层的外表面刷锡膏；S6，通过高温炉熔化锡膏；S7，采用正面研磨工艺去掉超过阻焊绿油层上面的金属层；S8，将晶圆整体采用背面减薄、金属化工艺得到厚度为10
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200um的晶圆。2.根据权利要求1所述的一种功率器件晶圆级减薄封装工艺，其特征在于：所述组焊绿油涂装的厚度为30
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500um。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：任留涛，
申请(专利权)人：南通格普微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：