带基板电极导电柱的晶圆制作方法技术

本发明专利技术提供了一种带基板电极导电柱的晶圆制作方法，包括以下步骤：S1导电铜箔贴敷；S2去边；S3光刻胶涂布；S4曝光、显影、刻蚀；S5晶圆绑定；S6玻璃基片剥离；S7绝缘保护层填充；S8保护膜正面贴敷；S9晶圆减薄；S10撕膜；S11背面金属化；S12划片封装。通过晶圆级绑定制造技术，能够提高芯片的功率密度，降低热阻，缩小封装体积。并通过加厚金属层以及保护绝缘层，提高了晶圆强度，降低了晶圆破裂几率。使得产品适用于各种功率器件芯片二极管，三极管，MOSFET，IGBT，TVS，SCR，GTO，SiC Diodes，SiC MOSFET，GaN MOSFET等等。MOSFET等等。MOSFET等等。

【技术实现步骤摘要】
带基板电极导电柱的晶圆制作方法


[0001]本专利技术涉及电子元件制造领域，尤其涉及一种带基板电极导电柱的晶圆制作方法。

技术介绍

[0002]集成电路芯片不断向高密度、轻薄的方向发展，为了满足要求，需要对晶圆进行减薄及切割。晶圆减薄技术是层叠式芯片封装的关键技术，而减薄工序作为芯片生产的重要工序，它对芯片的生产质量等起到较大影响。目前的晶圆减薄工序中，一般都是先将晶圆减薄到预定的厚度范围内，然后再对晶圆切割成单个芯片。然而，随着芯片行业的发展，芯片厚度越来越薄，按目前的减薄工序进行直接减薄处理，晶圆容易因为太薄而导致在减薄过程中发生破碎，大大影响到生产质量，导致良品率降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是目前的晶圆减薄工序中，一般都是先将晶圆减薄到预定的厚度范围内，然后再对晶圆切割成单个芯片。然而，随着芯片行业的发展，芯片厚度越来越薄，按目前的减薄工序进行直接减薄处理，晶圆容易因为太薄而导致在减薄过程中发生破碎，大大影响到生产质量，导致良品率降低，本专利技术提供了一种带基板电极导电柱的晶圆制作方法来解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.带基板电极导电柱的晶圆制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1导电铜箔贴敷，在玻璃基片的端面涂覆UV胶，并将导电铜箔贴敷在所述玻璃基片上；S2去边，将所述导电铜箔超出所述玻璃基片的部分去除；S3光刻胶涂布，在所述导电铜箔远离所述玻璃基片的端面上涂布光刻胶；S4曝光、显影、刻蚀，对涂布好光刻胶的导电铜箔进行曝光、显影和刻蚀形成图形化铜箔；S5晶圆绑定，在所述图形化铜箔上刷上锡膏，将所述晶圆绑定在所述图形化铜箔上，并进行高温烧结；S6玻璃基片剥离，溶解所述UV胶将所述玻璃基片从所述图形化铜箔上剥离；S7绝缘保护层填充，在所述图形化铜箔之间填充绝缘材料形成绝缘保护层；S8保护膜正面贴敷，...

【专利技术属性】
技术研发人员：任留涛，
申请(专利权)人：南通格普微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：