半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，其在引线框架安装有将Ga2O3系半导体用作基板和外延层的材料的纵型的半导体元件，能够使热从半导体装置向引线框架高效地散逸。作为一实施方式，提供一种半导体装置(1)，其具备：引线框架(20)，其在表面具有凸部(200)；以及SBD(10)，其以面朝下的方式安装在引线框架(20)上，具有：基板(11)，其包括Ga2O3系半导体；外延层(12)，其层叠于基板(11)，包括Ga2O3系半导体；阴极电极(13)，其连接到基板(11)；以及阳极电极(14)，其连接到外延层(12)并在外周部具有场板部(140)，SBD(10)固定在凸部(200)上，外延层(12)的外周部(120)位于引线框架(20)的平坦部(201)的正上方。位于引线框架(20)的平坦部(201)的正上方。位于引线框架(20)的平坦部(201)的正上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，已知一种半导体封装体，其在引线框架上连接有纵型的肖特基势垒二极管(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1所记载的肖特基势垒二极管具有SiC半导体基板和形成在其之上的SiC外延层，设置在SiC半导体基板侧的电极经由导电接合件连接到引线框架的焊盘部，设置在SiC外延层侧的电极经由导线连接到引线框架的端子。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：特许第6563093号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]根据专利文献1，据称也可以使用GaN、Ga2O3等与SiC不同的半导体材料。然而，在肖特基势垒二极管的基板包括Ga2O3等热传导度低的材料的情况下，在肖特基势垒二极管的动作时无法将外延层所产生的热高效地传递到引线框架，因此，散热性差，会对肖特基势垒二极管的动作带来不良影响。
[0009]本专利技术的目的在于，提供一种半导体装置，其在引线框本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：引线框架，其在表面具有凸部；以及半导体元件，其以面朝下的方式安装在上述引线框架上，具有：基板，其包括Ga2O3系半导体；外延层，其层叠于上述基板，包括Ga2O3系半导体；第1电极，其连接到上述基板的与上述外延层相反的一侧的面；以及第2电极，其连接到上述外延层的与上述基板相反的一侧的面并在外周部具有场板部，上述半导体元件固定在上述凸部上，上述外延层的位于上述场板部的外侧的外周部位于上述引线框架的未设置有上述凸部的部分即平坦部的正上方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第2电极经由导电性粘接材料电连接到上述凸部，在上述导电性粘接材料位于上述平坦部上的上述外周部的正下方的情况下，上述外周部与位于上述外周部的正下方的上述导电性粘接材料的间隔为3μm以上，在上述导电性粘接材料不位于上述平坦部上的上述外周部的正下...

【专利技术属性】
技术研发人员：町田信夫，佐佐木公平，
申请(专利权)人：诺维晶科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：