单晶生长设备制造技术

一种用于生长氧化镓基半导体的单晶的单晶生长设备。该单晶生长设备包括：坩埚，其包括用于容纳籽晶的籽晶段和位于所述籽晶段上侧的生长晶体段，在所述生长晶体段中通过使容纳在其中的原料熔体结晶来生长所述单晶；管状承托器，其围绕所述籽晶段，并且还从下方支撑所述坩埚；和二硅化钼加热元件，其用于熔化所述生长晶体段中的原料，以获得所述原料熔体。所述承托器包括在高度方向上的一部分的厚部，与其他部分相比，该厚部较厚并且与所述籽晶段的水平距离较短。所述厚部包围所述籽晶段的在所述高度方向上的至少一部分。述高度方向上的至少一部分。述高度方向上的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
单晶生长设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求2021年10月26日提交的日本专利申请号2021/174626的优先权，并且该日本专利申请号2021/174626的全部内容以引用方式并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种使用单向固化晶体生长方法的单晶生长设备，特别是涉及一种垂直布里奇曼(Bridgman)型单晶生长设备。

技术介绍

[0004]已知一种通过垂直布里奇曼方法生长氧化镓单晶的技术(参见，例如，专利文献1)。在垂直布里奇曼方法中，通常是将填充有原料的坩埚插入具有垂直温度梯度的晶体生长炉中，然后向下拉，从而生长单晶。然后，为了控制晶体取向以获得高质量的晶体，需要进行引晶过程，在该过程中放置在坩埚中的籽晶的一部分保持非熔化状态，并使其与原料熔体接触。
[0005]为了稳定地进行引晶过程，籽晶的上部和下部之间必须有足够的温差。当籽晶的上部和下部之间的温差不够大时，会导致引晶过程的失败，比如整个籽晶熔化，或者原料有一部分未熔化，这会导致单晶生长的产量下降。
[0006]通常，通过使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶生长设备，是用于生长氧化镓基半导体的单晶的单晶生长设备，包括：坩埚，其包括用于容纳籽晶的籽晶段；和位于所述籽晶段上侧的生长晶体段，在所述生长晶体段中通过使容纳在其中的原料熔体结晶来生长所述单晶；管状的承托器，其围绕所述籽晶段，并且从下方支撑所述坩埚；和二硅化钼加热元件，其用于熔化所述生长晶体段中的原料，以获得所述原料熔体，其中所述承托器在高度方向上的一部分具有厚部，该厚部与其他部分相比较厚并且与所述籽晶段的水...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚拓也，上田悠贵，舆公祥，
申请(专利权)人：诺维晶科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：