一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置及其方法，包括单晶炉、坩埚、热场部件、下降装置和支撑装置，坩埚的外侧围绕设置有热场部件，S1：将籽晶安装于籽晶卡槽内；S2：将混匀的高纯原料装入坩埚内并盖上坩埚盖；S3：将坩埚安装在热场部件中心处，通过观察孔微调后热器与坩埚位置，使坩埚底部与籽晶对准；本发明专利技术设计的坩埚与观察孔，能够清晰的观察坩埚内部原料熔化后籽晶接种的状态，防止籽晶熔化，并可以及时调整坩埚位置，提高晶体的结晶质量与完整性，节约长晶成本与资源，节省时间；本发明专利技术可以在真空或者流动气氛中实现晶体生长，获得高质量氧化物或氟化物等晶体，具有广泛的应用价值。有广泛的应用价值。有广泛的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置及其方法


[0001]本专利技术属于晶体生长
，具体涉及一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置及其方法。

技术介绍

[0002]一种生长晶体的方法是布里奇下降法，即坩埚下降法，该方法通过使晶体生长坩埚在加热炉中缓慢下降来获取晶体；传统的坩埚下降法，籽晶位于坩埚底部，是在非真空系统中，采用全封闭或者半封闭铂金坩埚封装原料，通过坩埚下降使熔体结晶。但是这种方法的缺点是籽晶与原料被坩埚、发热体和保温层完全包裹，长晶初期尤其原料完全熔化后，温度控制不好时，籽晶易被熔化；无法实时观察到籽晶与熔体接触后开始长晶的关键过程；而且在非真空无流动气氛的系统中难以获得高质量晶体。最重要的是坩埚下降法生长晶体的周期一般在一周以上，若长晶初期籽晶熔化或开裂等，只能开炉后才看到，严重浪费资源、提高长晶成本，影响科研。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于有效防止籽晶熔化，提高接种成功率，改善晶体生长过程中因接种初期不可视引起的开裂、晶界等缺陷的进一步延伸，提高晶体的结晶质量与完整性，提供的一种可视化接种的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置，其特征在于：包括单晶炉、坩埚(1)、热场部件、下降装置(9)和支撑装置(10)，所述坩埚(1)的外侧围绕设置有热场部件，所述热场部件由内向外依次由由后热器(4)、发热体(5)、保温层(6)、感应线圈(7)组成，所述坩埚(1)放置在后热器(4)上，所述保温层(6)的底部设置有支撑装置(10)，所述支撑装置(10)的内侧设置有供坩埚(1)升降的下降装置(9)，且下降装置(9)的顶部设置有籽晶卡槽(3)，所述籽晶卡槽(3)上安装有籽晶(2)，且籽晶(2)与坩埚(1)底部中心对齐，所述热场部件上开设有用于观察后热器(4)与坩埚(1)位置的观察孔(8)。2.根据权利要求1所述的一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置，其特征在于：所述后热器(4)、发热体(5)、保温层(6)、感应线圈(7)与坩埚(1)均呈水平中心对称分布。3.根据权利要求1所述的一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置，其特征在于：所述后热器(4)为石墨或钨环，所述发热体(5)为石墨或钨发热体。4.根据权利要求1所述的一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置，其特征在于：所述保温层(6)材质为碳毡或氧化锆。5.根据权利要求1所述的一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置，其特征在于：所述坩埚(1)为石墨或钨坩埚，并配有坩埚盖，所述坩埚(1)顶部内侧壁与水平方向夹角为80
‑
87
°
，坩埚(1)底部有直径0.1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐军，薛艳艳，唐慧丽，房前成，罗平，王庆国，逯占文，李岩，韩建峰，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：